公开(公告)号：CN119390125B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510001266.6

申请日：2025-01-02

Applicant: 济南大学

Inventor： 蒋绪川 ,  王增齐 ,  马法豪 ,  张春焕 ,  许佳乐

IPC: C01G41/02 ,  E06B9/24 ,  G02F1/1524 ,  C03C17/34

Abstract: 本发明涉及光学调制元件技术领域，具体涉及一种双波段光学调制材料及其元件的制备与应用。具体技术方案为：一种双波段光学调制材料的制备方法，将氧化钨、氧化钼和水合钨酸钠混合研磨，在氨气的气氛下高温退火得到Mo掺杂的二维氮化钨，去除钨盐后，通过硝酸氧化后即得Mo、N共掺杂的氧化钨。本发明采用金属氮化物的原位氧化的方式成功制备了Mo、N共掺杂的WO3·xH2O。通过将其作为电致变色层、FTO作为离子存储层，组装了光学调制元件。相比于传统的电致变色元件，实现了对可见光和近红外光的独立调控。

公开(公告)号：CN118814204A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410709523.7

申请日：2024-06-03

Applicant: 济南大学

Inventor： 马法豪 ,  蒋绪川 ,  刘冰 ,  王增齐 ,  张春焕 ,  林佳伟 ,  胡俞泽

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/061 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明属于电催化技术领域，具体涉及一种氮化钴/氮化钨电催化材料及其制备方法和应用。将导电基底置于钴盐、氟化铵和尿素的混合溶液中进行水热反应，得到生长Co‑OH前驱体的导电基底；将生长Co‑OH前驱体的导电基底置于偏钨酸铵溶液中进行水热反应，得到生长CoW‑OH前驱体的导电基底；将生长CoW‑OH前驱体的导电基底于氨气中热处理，得到氮化钴/氮化钨电催化材料。通过两步水热法依次构建了Co‑OH前驱体和CoW‑OH前驱体，将CoW‑OH前驱体热处理氮化即得氮化钴/氮化钨电催化材料，得益于界面协同效应、超亲水表面和多级Janus结构，氮化钴/氮化钨电催化材料具有优异的产氢和微塑料重整性能。

公开(公告)号：CN119390125A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202510001266.6

申请日：2025-01-02

Applicant: 济南大学

Inventor： 蒋绪川 ,  王增齐 ,  马法豪 ,  张春焕 ,  许佳乐

IPC: C01G41/02 ,  E06B9/24 ,  G02F1/1524 ,  C03C17/34

Abstract: 本发明涉及光学调制元件技术领域，具体涉及一种双波段光学调制材料及其元件的制备与应用。具体技术方案为：一种双波段光学调制材料的制备方法，将氧化钨、氧化钼和水合钨酸钠混合研磨，在氨气的气氛下高温退火得到Mo掺杂的二维氮化钨，去除钨盐后，通过硝酸氧化后即得Mo、N共掺杂的氧化钨。本发明采用金属氮化物的原位氧化的方式成功制备了Mo、N共掺杂的WO3·xH2O。通过将其作为电致变色层、FTO作为离子存储层，组装了光学调制元件。相比于传统的电致变色元件，实现了对可见光和近红外光的独立调控。

公开(公告)号：CN117661007A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311361536.1

申请日：2023-10-19

Applicant: 济南大学

Inventor： 蒋绪川 ,  马法豪 ,  李金凯 ,  王增齐 ,  郝晓月 ,  何琦 ,  张春焕

IPC: C25B11/075 ,  C25B11/054 ,  C25B1/04 ,  C25B3/01 ,  C08G83/00

Abstract: 本发明属于电催化塑料升级技术领域，具体涉及废塑料衍生的缺陷态氢氧化镍及其制备和塑料升级应用。制备方法包括以下步骤：将PET塑料与碱溶解，滴加酸析对苯二甲酸；将得到的对苯二甲酸、镍盐溶于DMF中，放入导电基底水热反应后，获得均匀生长Ni‑MOFs纳米片的导电基底；S3、以均匀生长Ni‑MOFs纳米片的导电基底为工作电极，在含乙二醇的碱性溶液中进行原位电化学重构，得到缺陷态氢氧化镍。本发明缺陷态氢氧化镍的制备采用“以废制废”的理念，缺陷态氢氧化镍比表面积更大，而且更容易重构，为反应提供更多的活性位点，驱动100mA的电流密度仅需1.41V，在塑料废弃物升级利用方面显示出潜在的应用价值。