公开(公告)号：CN119390125A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202510001266.6

申请日：2025-01-02

Applicant: 济南大学

Inventor： 蒋绪川 ,  王增齐 ,  马法豪 ,  张春焕 ,  许佳乐

IPC: C01G41/02 ,  E06B9/24 ,  G02F1/1524 ,  C03C17/34

Abstract: 本发明涉及光学调制元件技术领域，具体涉及一种双波段光学调制材料及其元件的制备与应用。具体技术方案为：一种双波段光学调制材料的制备方法，将氧化钨、氧化钼和水合钨酸钠混合研磨，在氨气的气氛下高温退火得到Mo掺杂的二维氮化钨，去除钨盐后，通过硝酸氧化后即得Mo、N共掺杂的氧化钨。本发明采用金属氮化物的原位氧化的方式成功制备了Mo、N共掺杂的WO3·xH2O。通过将其作为电致变色层、FTO作为离子存储层，组装了光学调制元件。相比于传统的电致变色元件，实现了对可见光和近红外光的独立调控。

公开(公告)号：CN119390125B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510001266.6

申请日：2025-01-02

Applicant: 济南大学

Inventor： 蒋绪川 ,  王增齐 ,  马法豪 ,  张春焕 ,  许佳乐

IPC: C01G41/02 ,  E06B9/24 ,  G02F1/1524 ,  C03C17/34

Abstract: 本发明涉及光学调制元件技术领域，具体涉及一种双波段光学调制材料及其元件的制备与应用。具体技术方案为：一种双波段光学调制材料的制备方法，将氧化钨、氧化钼和水合钨酸钠混合研磨，在氨气的气氛下高温退火得到Mo掺杂的二维氮化钨，去除钨盐后，通过硝酸氧化后即得Mo、N共掺杂的氧化钨。本发明采用金属氮化物的原位氧化的方式成功制备了Mo、N共掺杂的WO3·xH2O。通过将其作为电致变色层、FTO作为离子存储层，组装了光学调制元件。相比于传统的电致变色元件，实现了对可见光和近红外光的独立调控。