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公开(公告)号：CN116840117A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310799107.6
申请日：2023-06-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及探测装置技术领域，提供了一种基于硫化铂基散射光测量的烟雾探测装置，以解决现有的基于硫化铂基散射光测量的烟雾探测装置的机动性能差、散热效果弱及不便于对探测后烟雾进行净化处理的问题，包括探测箱，所述探测箱内固定安装有探测器，所述探测箱内固定连接有导风管。本申请通过导风管、半导体制冷片、电机一、扇叶、滤网一、弹簧一等结构的设置，通过半导体制冷片的作用，可对空气进行制冷处理，在电机一、扇叶的作用下，可吹动冷空气进行流动，以达到对探测器进行散热的效果，在滤网一的作用下，可对空气中的杂质进行滤除，并配合撞击杆、凸块等结构的作用，可对滤网一上的杂质进行清理。
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公开(公告)号：CN117316773B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311594680.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的Pd/WSe2肖特基晶体管，其转移特性的开/关比提升了100倍，截止电流减小到10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能。
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公开(公告)号：CN117317044A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311132041.1
申请日：2023-09-04
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L21/36
Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，尤其涉及一种二硒化钯基光电探测器。本发明中的PdSe2基光电探测器基于高质量的二硒化钯材料构建，光响应度为1.15×103mA·W−1，探测率为8.13×1010Jones，具有大面积均匀性和良好的光响应特性，可应用于半导体行业的大规模生产。
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公开(公告)号：CN117316773A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311594680.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的100倍，截止电流减小到Pd/WSe2肖特基晶体管10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能，其转移特性的开/关比提升了。
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公开(公告)号：CN117286458A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310933969.3
申请日：2023-07-27
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及的二维材料制备技术领域，尤其涉及一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用。本发明通过流体动力学模拟管式炉内温度和气体流速，验证硒化过程中管式炉内的温度和气体流速是否均匀分布；验证硒化温度对二硒化钯薄膜合成的影响；验证前驱体厚度对二硒化钯制备的影响，比较温度和厚度对通过电子束蒸发Pd金属和后硒化合成PdSe2的质量的影响来拓宽生长参数窗口。最终制备得到高性能的二硒化钯晶圆级，并进一步将该制备方法应用与制备二硒化钯器件，构建场效应晶体管和光电探测器。可为硅工艺兼容制备圆片级高质量PdSe2二维材料提供重要参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116840117B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310799107.6
申请日：2023-06-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及探测装置技术领域，提供了一种基于硫化铂基散射光测量的烟雾探测装置，以解决现有的基于硫化铂基散射光测量的烟雾探测装置的机动性能差、散热效果弱及不便于对探测后烟雾进行净化处理的问题，包括探测箱，所述探测箱内固定安装有探测器，所述探测箱内固定连接有导风管。本申请通过导风管、半导体制冷片、电机一、扇叶、滤网一、弹簧一等结构的设置，通过半导体制冷片的作用，可对空气进行制冷处理，在电机一、扇叶的作用下，可吹动冷空气进行流动，以达到对探测器进行散热的效果，在滤网一的作用下，可对空气中的杂质进行滤除，并配合撞击杆、凸块等结构的作用，可对滤网一上的杂质进行清理。
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公开(公告)号：CN117855322A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311461470.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用Si/SiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在Si/SiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将Si/SiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从Si/SiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2/WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。
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公开(公告)号：CN116839768A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310798721.0
申请日：2023-06-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及压阻式应力传感器技术领域，提出了基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，包括底座，所述底座的上方设置有二硒化钨层，所述二硒化钨层底部的左右两侧连接有电极，所述二硒化钨层的上方设置有陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层的顶部安装有承重层，所述承重层的左右两侧设置有第一导电片，所述承重层的中间安装有电源，所述电源的左右两侧连接有导电板，所述导电板远离所述电源的一侧与所述第一导电片相连，所述底座顶部的右侧固定连接有第一侧板。通过上述技术方案，解决了现有的现有的压阻式应力传感器不能够在不影响支撑效果的同时延伸顶部支撑范围，而且不能够在受到侧向力时分区域发出警报或者整体性发出警报的问题。
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公开(公告)号：CN117613140A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311574256.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上，得到钯薄膜；然后通过化学气相沉积，对钯薄膜进行硒化反应，得到二硒化钯薄膜；最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理，即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂，进而实现对PdSe2性能的调控；通过对O掺杂量的调控，实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变，并且这种变化具有稳定性。
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公开(公告)号：CN117613140B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311574256.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上，得到钯薄膜；然后通过化学气相沉积，对钯薄膜进行硒化反应，得到二硒化钯薄膜；最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理，即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂，进而实现对PdSe2性能的调控；通过对O掺杂量的调控，实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变，并且这种变化具有稳定性。
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