公开(公告)号：CN117317044A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311132041.1

申请日：2023-09-04

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  刘瑞 ,  侯崇洋 ,  王凤雪 ,  刘宏 ,  周伟家

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L21/36

Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，尤其涉及一种二硒化钯基光电探测器。本发明中的PdSe2基光电探测器基于高质量的二硒化钯材料构建，光响应度为1.15×103mA·W−1，探测率为8.13×1010Jones，具有大面积均匀性和良好的光响应特性，可应用于半导体行业的大规模生产。

公开(公告)号：CN117855322B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311461470.3

申请日：2023-11-06

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  侯崇洋 ,  秦燕 ,  王凤雪 ,  刘瑞 ,  周伟家 ,  刘宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用Si/SiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在Si/SiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将Si/SiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从Si/SiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2/WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。

公开(公告)号：CN117855322A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311461470.3

申请日：2023-11-06

Applicant: 济南大学

Inventor： 逄金波 ,  侯崇洋 ,  秦燕 ,  王凤雪 ,  刘瑞 ,  周伟家 ,  刘宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用Si/SiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在Si/SiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将Si/SiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从Si/SiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2/WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。