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公开(公告)号:CN114065859B
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202111361404.X
申请日:2021-11-17
Applicant: 河南科技大学
IPC: G06F18/2135 , G06N3/006
Abstract: 一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法,包括如下步骤:S1、提取寄生参数,并且通过去嵌方法去除寄生参数对本征参数的影响;S2、基于本征Y参数确定每个本征参数的范围;S3、将本征Y参数的实部和虚部分开得到多组Y参数数据;S4、基于Y参数数据利用主成分分析法得到第一主成分;S5、利用第一主成分与每一组Y参数数据进行拟合得到多个拟合系数;S6、将拟合系数与第一主成分相结合得到优化后的本征Y参数提取方法;S7、基于确定好的本征参数的范围以及优化后的本征Y参数提取方法通过粒子群算法提取本征参数。本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法,提高了提取的本征参数的可靠性。
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公开(公告)号:CN114065859A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202111361404.X
申请日:2021-11-17
Applicant: 河南科技大学
Abstract: 一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法,包括如下步骤:S1、提取寄生参数,并且通过去嵌方法去除寄生参数对本征参数的影响;S2、基于本征Y参数确定每个本征参数的范围;S3、将本征Y参数的实部和虚部分开得到多组Y参数数据;S4、基于Y参数数据利用主成分分析法得到第一主成分;S5、利用第一主成分与每一组Y参数数据进行拟合得到多个拟合系数;S6、将拟合系数与第一主成分相结合得到优化后的本征Y参数提取方法;S7、基于确定好的本征参数的范围以及优化后的本征Y参数提取方法通过粒子群算法提取本征参数。本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法,提高了提取的本征参数的可靠性。
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