公开(公告)号：CN114065859A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111361404.X

申请日：2021-11-17

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 张金灿 ,  汪绍伟 ,  张盼盼 ,  樊云航 ,  蔡海怡 ,  刘敏 ,  刘博

IPC: G06K9/62 ,  G06N3/00

Abstract: 一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法，包括如下步骤：S1、提取寄生参数，并且通过去嵌方法去除寄生参数对本征参数的影响；S2、基于本征Y参数确定每个本征参数的范围；S3、将本征Y参数的实部和虚部分开得到多组Y参数数据；S4、基于Y参数数据利用主成分分析法得到第一主成分；S5、利用第一主成分与每一组Y参数数据进行拟合得到多个拟合系数；S6、将拟合系数与第一主成分相结合得到优化后的本征Y参数提取方法；S7、基于确定好的本征参数的范围以及优化后的本征Y参数提取方法通过粒子群算法提取本征参数。本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法，提高了提取的本征参数的可靠性。

公开(公告)号：CN114065859B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202111361404.X

申请日：2021-11-17

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 张金灿 ,  汪绍伟 ,  张盼盼 ,  樊云航 ,  蔡海怡 ,  刘敏 ,  刘博

IPC: G06F18/2135 ,  G06N3/006

Abstract: 一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法，包括如下步骤：S1、提取寄生参数，并且通过去嵌方法去除寄生参数对本征参数的影响；S2、基于本征Y参数确定每个本征参数的范围；S3、将本征Y参数的实部和虚部分开得到多组Y参数数据；S4、基于Y参数数据利用主成分分析法得到第一主成分；S5、利用第一主成分与每一组Y参数数据进行拟合得到多个拟合系数；S6、将拟合系数与第一主成分相结合得到优化后的本征Y参数提取方法；S7、基于确定好的本征参数的范围以及优化后的本征Y参数提取方法通过粒子群算法提取本征参数。本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法，提高了提取的本征参数的可靠性。

公开(公告)号：CN114282481A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111640667.4

申请日：2021-12-29

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 张金灿 ,  汪绍伟 ,  候雪锋 ,  张盼盼 ,  樊云航 ,  徐彬瑞 ,  刘敏 ,  王金婵

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/367

Abstract: 基于天牛须算法的GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，所述方法包括包括如下步骤：S1、在低频夹断偏置条件下测量能够表征寄生电容参数值范围的S参数，并且将S参数转化为Y参数；S2、设置天牛须算法，并且利用天牛须算法对Y参数进行优化得到寄生电容的最优解；S3、去除寄生电容的影响后，在零偏置条件下提取寄生电感和寄生电阻的参数值范围；S4、调整天牛须算法，并且利用天牛须算法对寄生电感和寄生电阻进行优化得到寄生电感和寄生电阻的最优解。本发明提供一种基于天牛须算法的GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，能够有效提升GaN HEMT器件寄生参数提取结果的精确度。