一种复合电介质薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118390301A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410485658.X

    申请日:2024-04-22

    Abstract: 本发明属于介电材料技术领域,具体涉及一种复合电介质薄膜及其制备方法与应用。该复合电介质薄膜包括三层,中间层为芳纶纳米纤维薄膜,芳纶纳米纤维薄膜上、下表面均为聚酰亚胺层。复合电介质薄膜聚酰亚胺层的厚度为50~500nm,中间层芳纶纳米纤维薄膜的厚度为10μm~20μm。本发明的复合电介质薄膜具有低表面粗糙度、低漏电流密度和高击穿强度、高介电常数等性能,能够满足高温、高电场等复杂环境对电介质薄膜储能特性的要求,应用前景广阔。

    一种高暴露不饱和硫原子MoS3催化剂、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114011438B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202111432709.5

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种高暴露不饱和硫原子MoS3催化剂、制备方法及应用,把钼源充分溶解在蒸馏水中形成浓度为5%~30%的透明溶液,再将硫化铵溶液逐滴加入到上述透明溶液中,搅拌均匀,盖好反应容器后,在油浴中将其升温至60~100℃,反应3‑6天,反应结束后,对样品进行固液分离,再用盐酸、氢氧化钠溶液蒸馏水、乙醇等进行多次清洗,将清洗后的产品在60~120℃的条件下干燥12~24h,得到橙色产物MoS3(纯度高于99%)。与MoS2相比,本发明的MoS3催化剂具有更多活性硫边缘。无论在黑暗还是光照条件,MoS3均表现出比MoS2更强的类芬顿去除抗生素污染物能力。

    一种交联聚醚酰亚胺电介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115141371B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202210933087.2

    申请日:2022-08-04

    Abstract: 本发明属于聚合物电介质材料领域,具体涉及一种交联聚醚酰亚胺电介质材料及其制备方法。本发明的交联聚醚酰亚胺电介质材料,其制备方法包括如下步骤:以4,4'‑二氨基二苯醚和4,4'‑联苯醚二酐为单体,通过缩聚反应生成聚醚酰胺酸,然后加入交联剂2,4,6‑三氨基嘧啶继续反应,最后梯度升温进行环化反应得到交联聚醚酰亚胺电介质材料。本发明制备的交联聚醚酰亚胺电介质材料,具有高击穿强度,并且在高温下仍具有高放电能量密度和高充放电效率,能够极大地满足高压电容器电介质材料的使用需求。

    一种交联聚醚酰亚胺电介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115141371A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210933087.2

    申请日:2022-08-04

    Abstract: 本发明属于聚合物电介质材料领域,具体涉及一种交联聚醚酰亚胺电介质材料及其制备方法。本发明的交联聚醚酰亚胺电介质材料,其制备方法包括如下步骤:以4,4'‑二氨基二苯醚和4,4'‑联苯醚二酐为单体,通过缩聚反应生成聚醚酰胺酸,然后加入交联剂2,4,6‑三氨基嘧啶继续反应,最后梯度升温进行环化反应得到交联聚醚酰亚胺电介质材料。本发明制备的交联聚醚酰亚胺电介质材料,具有高击穿强度,并且在高温下仍具有高放电能量密度和高充放电效率,能够极大地满足高压电容器电介质材料的使用需求。

    一种高暴露不饱和硫原子MoS3催化剂、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114011438A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111432709.5

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种高暴露不饱和硫原子MoS3催化剂、制备方法及应用,把钼源充分溶解在蒸馏水中形成浓度为5%~30%的透明溶液,再将硫化铵溶液逐滴加入到上述透明溶液中,搅拌均匀,盖好反应容器后,在油浴中将其升温至60~100℃,反应3‑6天,反应结束后,对样品进行固液分离,再用盐酸、氢氧化钠溶液蒸馏水、乙醇等进行多次清洗,将清洗后的产品在60~120℃的条件下干燥12~24h,得到橙色产物MoS3(纯度高于99%)。与MoS2相比,本发明的MoS3催化剂具有更多活性硫边缘。无论在黑暗还是光照条件,MoS3均表现出比MoS2更强的类芬顿去除抗生素污染物能力。

Patent Agency Ranking