公开(公告)号：CN113218984B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110493372.2

申请日：2021-05-07

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王子莹 ,  胡宁 ,  霍燕明

IPC: G01N23/2273 ,  G01N23/02 ,  G01N23/20

Abstract: 本发明提供一种具有高灵敏度湿度响应特性的湿度传感器的敏感元件的制备方法。以六水合硝酸钴、4,4’‑联吡啶、聚乙烯吡咯烷酮、内消旋‑四(4‑羧基苯基)卟吩为主要原料，通过合成反应先得到钴基金属有机骨架Co‑MOF；将Co‑MOF和植酸进一步反应得到植酸修饰的Co‑MOF材料；将材料与去离子水混合并研磨成糊状浆料，均匀涂覆在衬底表面，敏感材料薄膜，干燥后制得植酸修饰的Co‑MOF湿度传感器敏感元件。本发明中植酸和Co‑MOF材料互补，植酸能腐蚀MOF骨架的自由质子，有效调控敏感材料的性能。本发明的湿度传感器敏感元件的响应时间快，检测的相对湿度范围宽，具有良好稳定性。

公开(公告)号：CN113218984A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110493372.2

申请日：2021-05-07

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王子莹 ,  胡宁 ,  霍燕明

IPC: G01N23/2273 ,  G01N23/02 ,  G01N23/20

Abstract: 本发明提供一种具有高灵敏度湿度响应特性的湿度传感器的敏感元件的制备方法。以六水合硝酸钴、4,4’‑联吡啶、聚乙烯吡咯烷酮、内消旋‑四(4‑羧基苯基)卟吩为主要原料，通过合成反应先得到钴基金属有机骨架Co‑MOF；将Co‑MOF和植酸进一步反应得到植酸修饰的Co‑MOF材料；将材料与去离子水混合并研磨成糊状浆料，均匀涂覆在衬底表面，敏感材料薄膜，干燥后制得植酸修饰的Co‑MOF湿度传感器敏感元件。本发明中植酸和Co‑MOF材料互补，植酸能腐蚀MOF骨架的自由质子，有效调控敏感材料的性能。本发明的湿度传感器敏感元件的响应时间快，检测的相对湿度范围宽，具有良好稳定性。