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公开(公告)号：CN114044521A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111324201.3
申请日：2021-11-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/14 , C01G23/053 , H02N1/04 , B22F1/18 , B22F1/07 , B05D5/12 , B05D7/24 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种多相复合纳米粒子及制备摩擦起电薄膜的方法，该多相复合纳米粒子的制备方法为：1﹑制备SiO2微球；2﹑在SiO2微球表面均匀沉积贵金属纳米粒子，形成复合粒子；3﹑在复合粒子外层包裹半导体TiO2；制备摩擦起电薄膜的方法为：a﹑将多相复合纳米粒子添加到液态的聚二甲基硅氧烷中，得到A组分，再与固化剂混合，得到B组分；b﹑再次称取聚二甲基硅氧烷，加入固化剂，得到C组分；c﹑先将C组分旋涂于电极表面，在C组分未完全固化时，再将B组分旋涂在C组分表面，最后干燥处理，使B组分和C组分均完全固化；本发明实现了摩擦起电薄膜表面电荷密度的宽光谱调控，提高了摩擦起电薄膜的介电性能。
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公开(公告)号：CN114249296A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111556887.9
申请日：2021-12-18
Applicant: 河北工业大学
IPC: B82Y40/00 , H02N1/04 , C01G3/02 , C01G23/047 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种异质半导体纳米粒子及制备摩擦起电薄膜的方法，该异质半导体纳米粒子的制备方法为：将醋酸铜粉末溶于无水乙醇中，再加入TiO2粉末，经分散﹑搅拌﹑脱泡，得到悬浮液A，将其加热，再加入葡萄糖溶液﹑NaOH溶液，得到悬浮液B；用离心干燥器对悬浮液B干燥，得到沉淀物，再用无水乙醇洗涤该沉淀物，最后干燥；制备摩擦起电薄膜的方法为：将异质半导体纳米粒子添加到液态的聚二甲基硅氧烷中，再与固化剂混合，得到B组分；再次称取聚二甲基硅氧烷，加入固化剂，得到C组分；先将C组分旋涂于电极表面，再将B组分旋涂在C组分表面，最后干燥处理；本发明实现了摩擦起电薄膜表面电荷密度的宽光谱调控，提高了其介电性能。
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公开(公告)号：CN114249296B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111556887.9
申请日：2021-12-18
Applicant: 河北工业大学
IPC: H02N1/04 , B82Y40/00 , C01G3/02 , C01G23/047 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种异质半导体纳米粒子及制备摩擦起电薄膜的方法，该异质半导体纳米粒子的制备方法为：将醋酸铜粉末溶于无水乙醇中，再加入TiO2粉末，经分散﹑搅拌﹑脱泡，得到悬浮液A，将其加热，再加入葡萄糖溶液﹑NaOH溶液，得到悬浮液B；用离心干燥器对悬浮液B干燥，得到沉淀物，再用无水乙醇洗涤该沉淀物，最后干燥；制备摩擦起电薄膜的方法为：将异质半导体纳米粒子添加到液态的聚二甲基硅氧烷中，再与固化剂混合，得到B组分；再次称取聚二甲基硅氧烷，加入固化剂，得到C组分；先将C组分旋涂于电极表面，再将B组分旋涂在C组分表面，最后干燥处理；本发明实现了摩擦起电薄膜表面电荷密度的宽光谱调控，提高了其介电性能。
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公开(公告)号：CN114044521B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111324201.3
申请日：2021-11-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/14 , C01G23/053 , H02N1/04 , B22F1/18 , B22F1/07 , B05D5/12 , B05D7/24 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种多相复合纳米粒子及制备摩擦起电薄膜的方法，该多相复合纳米粒子的制备方法为：1﹑制备SiO2微球；2﹑在SiO2微球表面均匀沉积贵金属纳米粒子，形成复合粒子；3﹑在复合粒子外层包裹半导体TiO2；制备摩擦起电薄膜的方法为：a﹑将多相复合纳米粒子添加到液态的聚二甲基硅氧烷中，得到A组分，再与固化剂混合，得到B组分；b﹑再次称取聚二甲基硅氧烷，加入固化剂，得到C组分；c﹑先将C组分旋涂于电极表面，在C组分未完全固化时，再将B组分旋涂在C组分表面，最后干燥处理，使B组分和C组分均完全固化；本发明实现了摩擦起电薄膜表面电荷密度的宽光谱调控，提高了摩擦起电薄膜的介电性能。
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