高熵陶瓷复合涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN111254376B

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202010178924.6

    申请日:2020-03-15

    Abstract: 本发明为一种高熵陶瓷复合涂层的制备方法。该方法包括如下步骤:第一步,将金属单质粉和碳化硅粉、粘结剂配制成金属单质/碳化硅复合粉;所述金属单质粉为锆、钛、铪、钽、铌、钒、铬、钼、钨、锰或钴中的任意五种或五种以上;第二步,对所需涂层的基体材料表面进行预处理;第三步,采用热喷涂的方法,将金属单质/碳化硅复合粉喷涂在基体材料表面,从而通过原位反应合成高熵陶瓷复合涂层。本发明得到的涂层性能优异,还克服了现有技术制备高熵陶瓷复合涂层过程中需要先制备出高熵陶瓷复合粉的缺点。

    过渡族金属难熔化合物陶瓷复合涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN111334742A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010178923.1

    申请日:2020-03-15

    Abstract: 本发明为一种过渡族金属难熔化合物陶瓷复合涂层的制备方法。该方法包括如下步骤:第一步,配制成金属单质/碳化硅复合粉;所述金属单质粉为锆、钛、铪、钽、铌、钒、铬、钼或钨中的任意x种,x=1,2,3或4;第二步,对所需涂层的基体材料表面进行预处理;第三步,采用热喷涂的方法,将金属单质/碳化硅复合粉喷涂在基体材料表面,从而通过原位反应合成过渡族金属难熔化合物陶瓷复合涂层。本发明克服了现有技术制备过渡族金属难熔化合物陶瓷复合涂层的工艺复杂、成本高、污染大、沉积效率低、涂层厚度低、涂层性能差和不适合在大规模工业生产中应用的缺陷。

    过渡族金属难熔化合物陶瓷复合涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN111334742B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202010178923.1

    申请日:2020-03-15

    Abstract: 本发明为一种过渡族金属难熔化合物陶瓷复合涂层的制备方法。该方法包括如下步骤:第一步,配制成金属单质/碳化硅复合粉;所述金属单质粉为锆、钛、铪、钽、铌、钒、铬、钼或钨中的任意x种,x=1,2,3或4;第二步,对所需涂层的基体材料表面进行预处理;第三步,采用热喷涂的方法,将金属单质/碳化硅复合粉喷涂在基体材料表面,从而通过原位反应合成过渡族金属难熔化合物陶瓷复合涂层。本发明克服了现有技术制备过渡族金属难熔化合物陶瓷复合涂层的工艺复杂、成本高、污染大、沉积效率低、涂层厚度低、涂层性能差和不适合在大规模工业生产中应用的缺陷。

    一种热/环境障涂层及其制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120041776A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202510199001.1

    申请日:2025-02-24

    Abstract: 本发明为一种热/环境障涂层及其制备方法。所述涂层为三层结构,由内向外依次包括硅粘结层、硅酸镱环境障层、(RE1xRE21‑x)3TaO7热障面层;硅酸镱环境障层由Yb2SiO5和Yb2Si2O7混合而成;(RE1xRE21‑x)3TaO7热障面层,其中0.5≤x<1;制备方法中,通过固相反应合成目标粉末、喷雾造粒制备喷涂喂料、等离子喷涂逐层沉积涂层的方案,利用多层涂层功能协同提升、稀土元素掺杂改性等机理,来实现高性能热/环境障涂层高效制备。本发明具有抗CMAS腐蚀性能优异,隔热效果好、层与层热匹配高的优点,可以使所述热/环境障涂层在1500℃温度条件下延长SiCf/SiC复合材料的使用寿命。

    高熵陶瓷复合涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN111254376A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN202010178924.6

    申请日:2020-03-15

    Abstract: 本发明为一种高熵陶瓷复合涂层的制备方法。该方法包括如下步骤:第一步,将金属单质粉和碳化硅粉、粘结剂配制成金属单质/碳化硅复合粉;所述金属单质粉为锆、钛、铪、钽、铌、钒、铬、钼、钨、锰或钴中的任意五种或五种以上;第二步,对所需涂层的基体材料表面进行预处理;第三步,采用热喷涂的方法,将金属单质/碳化硅复合粉喷涂在基体材料表面,从而通过原位反应合成高熵陶瓷复合涂层。本发明得到的涂层性能优异,还克服了现有技术制备高熵陶瓷复合涂层过程中需要先制备出高熵陶瓷复合粉的缺点。

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