达格列净新晶型及其制备方法

    公开(公告)号:CN104829572B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201410046371.3

    申请日:2014-02-10

    Abstract: 本发明涉及达格列净新晶型及其制备方法。具体而言,本发明涉及式(I)的达格列净的新晶型,这种晶型在以2θ角度和晶面间距(d值)表示的X‑射线粉末衍射图谱中在约4.318(20.45)处具有特征吸收峰,可以通过将达格列净溶解在良性有机溶剂中,再加入不良溶剂搅拌析晶,过滤,干燥而制得。本发明的达格列净新晶型具有以下优良特性:溶解性好,引湿性小,稳定性高,制备可重现性好。

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