超宽带陶瓷滤波器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112510331A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202010422736.3

    申请日:2020-05-19

    Abstract: 本发明涉及一种超宽带陶瓷滤波器。包括陶瓷基体,所述陶瓷基体上下对应的两表面开设有若干间隔设置的谐振腔,各面的谐振腔形成以下排列形式:包括一金属化谐振腔、一表面激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔,上述两种谐振腔间隔依次排列。本发明设计一种联体式滤波器,可以把相对带宽做到50%以上,稳定性高,可靠性高,且无需加屏蔽外壳和PCB板也能实现良好的接地状态,可以替代部分的军品和分立式的产品,具有很好的使用性能。

    一种电容耦合结构及应用该结构的介质滤波器

    公开(公告)号:CN110504512A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201910679168.2

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本发明涉及一种电容耦合结构及应用该结构的介质滤波器。电容耦合结构设置在至少两介质谐振器上,设两个介质谐振器为一个单元;在一个单元上的两个介质谐振器本体上均开设有调试孔,所述调试孔为盲孔;还形成有以下结构,在相邻两个介质谐振器连接位置的本体的上表面和下表面分别开设有至少一个负耦合孔,所述负耦合孔为盲孔,各负耦合孔的深度均不大于所述调试孔的深度。本发明通过对调试孔和负耦合孔的合理设置,使得本发明的电容耦合结构的耦合系数可调范围更大,技术应用范围可以更广,同时便于后期调试,具有很好的市场应用前景。

    超宽带陶瓷滤波器
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212342787U

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN202020833117.9

    申请日:2020-05-19

    Abstract: 本实用新型涉及一种超宽带陶瓷滤波器。包括陶瓷基体,所述陶瓷基体上下对应的两表面开设有若干间隔设置的谐振腔,各面的谐振腔形成以下排列形式:包括一金属化谐振腔、一表面激光蚀刻银层或者丝印电极和端面的金属化谐振腔,上述两种谐振腔间隔依次排列。本实用新型设计一种联体式滤波器,可以把相对带宽做到50%以上,稳定性高,可靠性高,且无需加屏蔽外壳和PCB板也能实现良好的接地状态,可以替代部分的军品和分立式的产品,具有很好的使用性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种频率和电容耦合双调谐振结构

    公开(公告)号:CN212323170U

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202020105888.6

    申请日:2020-01-17

    Abstract: 本实用新型涉及一种频率和电容耦合双调谐振结构。包括由固态介电材料制成的本体,所述本体上开设有盲槽,其中至少存在一盲槽可用于同时调试谐振频率和电容耦合。本实用新型提供了一种可以通过单个盲槽同时实现谐振频率和电容耦合双调谐结构,便于后期调试,经验证行之有效,具备很好的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种电容耦合结构及应用该结构的介质滤波器

    公开(公告)号:CN210443647U

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201921182887.5

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本实用新型涉及一种电容耦合结构及应用该结构的介质滤波器。电容耦合结构设置在至少两介质谐振器上,设两个介质谐振器为一个单元;在一个单元上的两个介质谐振器本体上均开设有调试孔,所述调试孔为盲孔;还形成有以下结构,在相邻两个介质谐振器连接位置的本体的上表面和下表面分别开设有至少一个负耦合孔,所述负耦合孔为盲孔,各负耦合孔的深度均不大于所述调试孔的深度。本实用新型通过对调试孔和负耦合孔的合理设置,使得本实用新型的电容耦合结构的耦合系数可调范围更大,技术应用范围可以更广,同时便于后期调试,具有很好的市场应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

Patent Agency Ranking