一种激光照明用凹凸结构复合荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117844482A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311867910.5

    申请日:2023-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种激光照明用凹凸结构复合荧光陶瓷及其制备方法。该复合荧光陶瓷由荧光陶瓷和Al2O3陶瓷凹凸扣合,采用共烧紧密粘合组成,所述荧光陶瓷的组成为(Re1‑xCex)3Al5O12,Re为Y、Lu中的一种或多种,0.005≤x≤0.01;荧光陶瓷和Al2O3陶瓷均呈圆柱形,底面直径18~22mm,高度1~3mm,荧光陶瓷的圆柱形中间设有凹槽,凹槽也呈圆柱形,橫截面直径2~8mm,高度0.5~1.5mm;所述Al2O3陶瓷的圆柱形中间设有与凹槽对应的凸部。先采用凝胶注模法制备荧光陶瓷素坯,再在荧光陶瓷素坯四周包裹Al2O3陶瓷粉体,干压成型,经真空烧结、空气退火、表面抛光处理后得到复合荧光陶瓷。本发明制备的复合陶瓷的在波长为455nm蓝光LD芯片激发下,实现高亮白光发射,可承受激发功率为10W~12W,发光效率210~270lm/W,其热导率为22~28Wm‑1k‑1。

    一种激光照明用高效高热稳定性绿光荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117185812A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311175424.7

    申请日:2023-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高效高热稳定性绿光荧光陶瓷及其制备方法,该荧光陶瓷的分子式为(Ce0.005Lu0.995‑xSr中xx)为3(AlSr12+‑y掺Si杂y)5LOu123+,其位的摩尔百分数,y为Si4+掺杂Al3+位的摩尔百分数,0.0025<x≤0.01,0.0015<y≤0.006;采用固相反应烧结法制备得到。本发明的荧光陶瓷在波长为460nm的蓝光LD芯片激发下,发射出520nm附近的绿光,在423K的温度下仍能保持室温发光强度的89%~100%,具有良好的热稳定性,并且在蓝光LD芯片激发下,显示出大于70W/mm2的超高亮度的饱和阈值,且发光效率高达287.5lm/W,制备方法简单,可应用于LED/LD器件工业化生产。

    一种共掺杂镥铝石榴石闪烁陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116751047A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310816169.3

    申请日:2023-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种共掺杂镥铝石榴石闪烁陶瓷及其制备方法,所述闪烁陶瓷以Lu2O3、Al2O3、CeO2和CaF2粉体作为原料粉体,由固相反应法制备得到,闪烁陶瓷为石榴石结构,其通式为(Lu0.997‑xCaxCe0.003)3Al5O12,其中0<x≤0.005,Ca2+共掺杂后,Ce:LuAG陶瓷的闪烁性能得到了很大的改善。该闪烁陶瓷具有更高的光产额、更快的闪烁衰减时间及更好的热稳定性,解决了现有技术制备的闪烁陶瓷低光产额值、闪烁响应中较大的慢速组分及热稳定性差等问题,且该闪烁陶瓷制备方法简单、用时短、成本低适合工业化成产,可应用于医学成像和高能物理(HEP)实验。

    一种铕掺杂抗热猝灭蓝色荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117682857A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311731883.9

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种铕掺杂抗热猝灭蓝色荧光陶瓷及其制备方法,其特征在于,其化学组成通式为Lu2Sr(1‑x)Al4SiO12:xEu2+,其中x为Eu2+掺杂Sr2+位的摩尔百分数,0<x≤0.1;采用高温固相法制备得到。本发明的蓝色荧光陶瓷以LuSrAl4SiO12为基质,在波长为340nm附近的紫外光源激发下,在460nm附近发射出明亮的宽带蓝光。且该荧光陶瓷在298K~473K的温度下具有明显的抗热猝灭特性,在423K时达到室温发射强度的1.4~1.8倍,且制备方法简单,绿色环保,可应用于LED/LD器件工业化生产。

    一种固态照明用高显指氮氧化物荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117800727A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311848118.5

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种固态照明用高显指氮氧化物荧光陶瓷及其制备方法,该荧光陶瓷的化学通式为:(Ca1‑xCex)3Sc2Si3O12‑6yN4y,其中x为Ce3+取代Ca2+位的摩尔百分比,0.0001≤x≤0.005,y为N3‑取代O2‑位的摩尔百分比,0.01≤y≤0.05;采用固相烧结法制备得到。本发明采用Si3N4掺杂荧光陶瓷可以将石榴石基质中的O2‑替换,与Ce3+组成新的十二面体,在570nm处出现新的发光中心,实现高亮白光发射,其显色指数为85~92,且制备工艺简单,易工业化应用。

    一种激光显示用高亮度绿光光源
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117673892A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311706554.9

    申请日:2023-12-12

    Abstract: 本发明公开的一种激光显示用高亮度绿光光源,涉及激光显示技术领域。该绿光光源包括激光器、散热基底、光纤、荧光陶瓷以及外壳;所述荧光陶瓷为复合荧光陶瓷,包括Ce:LuAG陶瓷和YAG陶瓷,二者叠层设置,所述YAG陶瓷远离Ce:LuAG陶瓷一侧设置为光栅结构;所述激光器发射的蓝光经光纤传输到Ce:LuAG陶瓷的表面,激发Ce:LuAG陶瓷变成绿光,随后经YAG陶瓷的滤光和发光增强获得高亮度绿光光源。本发明公开的绿光光源使用的荧光陶瓷为Ce:LuAG陶瓷与YAG光栅陶瓷叠层放置组成的复合荧光陶瓷,相较于单独的Ce:LuAG陶瓷制备的绿光光源发光强度增强了1.2~1.5倍,增强了图像的亮度,显示效果更加鲜明、清晰。

    一种激光照明用高热导高光效复合荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117003558A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310988618.2

    申请日:2023-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高热导高光效复合荧光陶瓷及其制备方法。所述复合荧光陶瓷由碗状荧光陶瓷和包覆在碗状荧光陶瓷周围的Al2O3陶瓷组成,所述碗状荧光陶瓷的组成为(Re1‑xCex)3Al5O12,Re为Y、Lu、Gd、Tb中的一种或多种,0.0005≤x≤0.005,碗状荧光陶瓷的参数为:曲率0.2~0.8,底部直径5~30mm,高度0.5~3mm。先采用凝胶注模法制备荧光陶瓷素坯,再在荧光陶瓷素坯四周包裹Al2O3陶瓷粉体,干压成型,经真空烧结、空气退火、表面抛光处理后得到复合荧光陶瓷。本发明制备的复合陶瓷的在波长为455nm蓝光LD芯片激发下,实现高亮白光发射,可承受激发功率密度为45W/mm2~55W/mm2,发光效率200~260lm/W,其热导率为20~26Wm‑1k‑1。

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