一种铕掺杂抗热猝灭蓝色荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117682857A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311731883.9

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种铕掺杂抗热猝灭蓝色荧光陶瓷及其制备方法,其特征在于,其化学组成通式为Lu2Sr(1‑x)Al4SiO12:xEu2+,其中x为Eu2+掺杂Sr2+位的摩尔百分数,0<x≤0.1;采用高温固相法制备得到。本发明的蓝色荧光陶瓷以LuSrAl4SiO12为基质,在波长为340nm附近的紫外光源激发下,在460nm附近发射出明亮的宽带蓝光。且该荧光陶瓷在298K~473K的温度下具有明显的抗热猝灭特性,在423K时达到室温发射强度的1.4~1.8倍,且制备方法简单,绿色环保,可应用于LED/LD器件工业化生产。

    一种激光照明用高显指高量子效率荧光转换复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117777996A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311847302.8

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高显指高量子效率荧光转换复合材料及其制备方法,该荧光转换复合材料由绿色荧光陶瓷和涂覆在所述绿色荧光陶瓷上表面的荧光硅胶层组成,其中,所述绿色荧光陶瓷的组成为(Ca1‑xCex)3Sc2Si3O12,其中x是Ce3+取代Ca2+位的摩尔百分比,0.0001≤x≤0.005,所述荧光陶瓷呈圆柱状,底面直径5~20mm,高度0.5~2mm;所述荧光硅胶层由蓝光激发光激发而发出红光,所述荧光硅胶层厚度为0.1~0.5mm。本发明采用在荧光陶瓷表面涂覆红色荧光硅胶的方案,获得复合荧光转换材料,在波长为455nm蓝光LED芯片激发下,实现高亮白光发射,其显色指数为85~92,内量子效率可以达到90%以上,外量子效率可以达到60%以上。

    一种激光照明用高热导高光效复合荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117003558A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310988618.2

    申请日:2023-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高热导高光效复合荧光陶瓷及其制备方法。所述复合荧光陶瓷由碗状荧光陶瓷和包覆在碗状荧光陶瓷周围的Al2O3陶瓷组成,所述碗状荧光陶瓷的组成为(Re1‑xCex)3Al5O12,Re为Y、Lu、Gd、Tb中的一种或多种,0.0005≤x≤0.005,碗状荧光陶瓷的参数为:曲率0.2~0.8,底部直径5~30mm,高度0.5~3mm。先采用凝胶注模法制备荧光陶瓷素坯,再在荧光陶瓷素坯四周包裹Al2O3陶瓷粉体,干压成型,经真空烧结、空气退火、表面抛光处理后得到复合荧光陶瓷。本发明制备的复合陶瓷的在波长为455nm蓝光LD芯片激发下,实现高亮白光发射,可承受激发功率密度为45W/mm2~55W/mm2,发光效率200~260lm/W,其热导率为20~26Wm‑1k‑1。

    一种反常浓度猝灭红色荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117819969A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410014610.0

    申请日:2024-01-04

    Abstract: 本发明公开了一种反常浓度猝灭红色荧光陶瓷及其制备方法。该红色荧光陶瓷的分子式为Mg2‑xY1.93Al2Si2O12:0.07Ce3+,xMn2+,其中x为Mn2+掺杂Mg位的摩尔百分数,0<x≤0.05;采用高温固相烧结法制备得到。本发明的荧光陶瓷在波长为460nm附近的蓝光激发下,在618nm附近发射出明亮的宽带红光,且该荧光陶瓷在Mn2+掺杂浓度0.01≤x≤0.05时出现了明显的反常浓度猝灭的现象,即Mn2+离子的进入减少了Ce2+猝灭中心数量,增强了Ce3+离子的发射强度,使整体的荧光陶瓷的发射强度反常。且制备方法简单,用时短,绿色环保,可应用于LED/LD器件工业化生产。

    一种激光照明用高热导、高显指复相荧光陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116589271A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310620829.0

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高热导、高显指复相荧光陶瓷及其制备方法,所述复相荧光陶瓷包括作为主相的(Gd,Ce)3(Al,Ga)5O12相,以及均匀分布在主相中的第二相Al2O3,其中发光离子为Ce3+;以GdGaO3、CeO2、Al2O3作为初始原料,采用固相反应法烧结。本发明制备的复相陶瓷的激发光谱在波长460nm波长激发下,发射光谱主峰在567~582nm之间,半高宽在105~120nm之间。在波长为455nm蓝光LD(1~5W)激发下,实现暖白光发射,色温3800~4250K,显色指数在78~84之间;热导率为20~25Wm‑1k‑1,相比单相荧光陶瓷的热导率提升了40~69%,并且制备方法简单,绿色环保,可用于LD器件工业化生产。

Patent Agency Ranking