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公开(公告)号：CN113088925A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110268192.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，薄膜组分如下式所示：α‑Ga2O3:x％ZnS，0.01≤x≤0.5；将C15H21O6Ga、C2H6Zn、CH4S溶于去离子水中配成前驱体溶液，加入盐酸溶液；将蓝宝石衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗，用氮气吹干后在管式炉中退火；将蓝宝石衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氮气；将前驱体溶液放置于雾化罐中，反应温度为300‑400℃，将氮气作为载气，将雾化罐中的雾滴送进反应腔内进行沉积得薄膜初品；将薄膜初品放入管式炉中退火后得到薄膜。该方法不仅能降低薄膜的生长温度，还能提高了薄膜的自由电子浓度和电导率。
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公开(公告)号：CN113088926A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110270574.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 一种通过磁场控制α‑Ga2O3掺杂浓度的薄膜沉积系统及方法，薄膜化学式为Ga(2‑x)RxO3，0.02≤x≤0.20，x为R3+掺杂Ga3+位的原子百分含量，R为Fe、Co、Ni中的一种；该系统包括电磁铁、液位控制装置、反应腔、雾化装置、尾气处理装置，电磁铁固定在反应腔右端，液位控制装置与雾化装置相连，反应腔内放置有衬底，反应腔一端与雾化装置连通、另一端与尾气处理装置连通；雾化装置内盛放有前驱体溶液，雾化装置顶端通过载气控制系统与载气瓶相连。本发明通过加装电磁铁，使掺杂的磁性粒子吸附至反应腔体右端，通过控制电磁铁功率来控制沉积在衬底上的磁性离子浓度，实现实时控制薄膜中的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN113088926B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110270574.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 一种通过磁场控制α‑Ga2O3掺杂浓度的薄膜沉积系统及方法，薄膜化学式为Ga(2‑x)RxO3，0.02≤x≤0.20，x为R3+掺杂Ga3+位的原子百分含量，R为Fe、Co、Ni中的一种；该系统包括电磁铁、液位控制装置、反应腔、雾化装置、尾气处理装置，电磁铁固定在反应腔右端，液位控制装置与雾化装置相连，反应腔内放置有衬底，反应腔一端与雾化装置连通、另一端与尾气处理装置连通；雾化装置内盛放有前驱体溶液，雾化装置顶端通过载气控制系统与载气瓶相连。本发明通过加装电磁铁，使掺杂的磁性粒子吸附至反应腔体右端，通过控制电磁铁功率来控制沉积在衬底上的磁性离子浓度，实现实时控制薄膜中的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN113088925B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110268192.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，薄膜组分如下式所示：α‑Ga2O3:x％ZnS，0.01≤x≤0.5；将C15H21O6Ga、C2H6Zn、CH4S溶于去离子水中配成前驱体溶液，加入盐酸溶液；将蓝宝石衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗，用氮气吹干后在管式炉中退火；将蓝宝石衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氮气；将前驱体溶液放置于雾化罐中，反应温度为300‑400℃，将氮气作为载气，将雾化罐中的雾滴送进反应腔内进行沉积得薄膜初品；将薄膜初品放入管式炉中退火后得到薄膜。该方法不仅能降低薄膜的生长温度，还能提高了薄膜的自由电子浓度和电导率。
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公开(公告)号：CN113106427A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110268248.6
申请日：2021-03-12
Applicant: 江苏师范大学
Abstract: 一种通过电场控制α‑Ga2O3沉积速度的装置及方法，该装置包括多块正电极极板(1)、多块负电极极板(2)、液位控制装置(4)、雾化装置(5)、反应腔(7)和尾气处理装置(8)，多块正电极极板和多块负电极极板分别并排对应放置在反应腔的两侧，每对正负电极板之间形成电场；液位控制装置与雾化装置相连，反应腔内放置有衬底(6)，反应腔一端通过气溶胶输送管道与雾化装置连通、另一端与尾气处理装置连通；雾化装置内盛放有前驱体溶液，雾化装置顶端通过载气控制系统(3)与载气瓶(9)相连。该装置及方法能通过改变反应腔内不同位置处的电压大小来调控电极板之间电场强度，从而对不同位置衬底上薄膜沉积速度和薄膜厚度进行控制。
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