一种连续蒸馏回收锗的装置及回收方法

    公开(公告)号:CN117926016A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311858861.9

    申请日:2023-12-30

    Abstract: 本发明涉及锗蒸馏回收领域,具体涉及一种连续蒸馏回收锗的装置及回收方法,包括:罐体,所述罐体上方开设有进料口,本发明通过两组蒸馏箱对锗废液进行蒸馏处理,并通过单向电磁阀依次输送到工作的精馏箱内,在蒸馏加热过程中搅拌杆可以对锗废液进行搅拌,并通过输送水泵将高温废液输送经过锗废液内部进行预加热,提高热能的利用率,使锗废液后期的蒸馏加热效率提高,同时降低高温废液的热量,并且通过冷凝水泵将废液进行二次降温并冷凝输送到第一连接腔和第二连接腔内,对蒸汽进行冷凝,使废液降温后提高废液后期处理的效率,提高设备的持续蒸馏效率和废液的利用率,且通过转动外六角套筒可同时带动多组螺栓从螺纹孔内脱离,提高管道的更换效率。

    废塑料脱漆方法及装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119567458A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411500848.0

    申请日:2024-10-25

    Abstract: 本发明涉及废塑料脱漆领域,具体涉及废塑料脱漆方法及装置,包括箱体,所述箱体下方安装有四组支撑腿,所述箱体一侧转动连接有箱门,所述箱体上方转动连接有顶盖,所述箱体底部安装有底盖。本发明通过加压雾化罐可以将脱漆剂依次喷洒到塑料表面,并且在此过程中使搅拌杆一和搅拌杆二持续的搅动,并随着后续的加热,提高脱漆剂的反应效果,且随着搅动的进行,筛盘会进行振动,将反应后的漆皮振落,同时加压雾化罐会将水源喷洒到塑料表面,加速漆皮的脱落,通过此种方式可以保证脱漆剂均匀的喷洒,且后续的加热提高脱漆剂反应效果,并且筛盘的振动配合喷洒水源,将漆皮有效的振落,且全程进行多向搅动,加强了各个环节的效果。

    废LCD偏光膜分离回收装置及方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119928114A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411987004.3

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明涉及LCD屏偏光膜回收领域,具体涉及废LCD偏光膜分离回收装置及方法,包括筛分箱,所述筛分箱一侧贯通连接有进水管,所述筛分箱远离进水管的一侧贯通连接有出水管,所述筛分箱上方贯通连接有进料框。本发明通过废弃的LCD屏幕先进行加热,使其粘合的胶软化后,再将其与破碎牙盘贴合接触,使破碎牙盘可以废弃的LCD屏幕分层进行破碎,避免出现破碎后各分层分离不彻底的情况,且通过盛水框的转动,使漂浮的偏光膜碎片和水源被收集,并随着持续的转动最终倒入过滤箱内部,且通过电推杆的收缩,可以使振动过滤框和过滤箱一起浮出水面,从而方便偏光膜碎片和其余碎片的快速回收,通过此种方式,可以提高筛分时的质量和提高筛分的效率。

    一种高纯草酸镓的固相合成方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119059899A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202410965256.X

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 本发明涉及精细化学品合成技术领域,具体为一种高纯草酸镓的固相合成方法,包括以下步骤:将含镓金属源、草酸分别进行研磨,得到含镓金属源粉末、草酸粉末;将研磨后的含镓金属源粉末、草酸粉末混合,得到第一混合物;向第一混合物中加入低共熔溶剂混合,得到第二混合物;将第二混合物转移至反应器中,程序升温,惰性气氛下充分反应;将得到的反应产物冷却后研磨,得到高纯草酸镓。本发明的设备和操作条件简单,整个合成过程不产生含镓废液,绿色环保,可以减少对人体和生态环境的危害,且可以提高草酸镓的转化率和纯度。

    一种报废空调散热器资源利用方法

    公开(公告)号:CN115569961A

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202110672465.1

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 本发明涉及一种报废空调散热器资源利用方法,包括以下步骤:(1)将整平处理后的散热器沿着中部进行机械横向切割,将散热器均分为两片半片散热器;(2)将切割后的半片散热器传送至机械拆分装置上进行机械拆分,按顺序依次完成固定、翅片辊切、铜管牵拉、U型头冲压操作;(3)分离得到铜管、U型头、铁片、铝翅片。本发明适应于各类不规整家用空调散热器拆解;铜铝铁分离效率高,纯度高;可实现机械化操作,劳动强度低,环境友好。

    超高纯二氧化锗的制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119240780A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411166099.2

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明涉及二氧化锗的制备技术领域,具体为超高纯二氧化锗的制备方法,包括对锗锭进行研磨,得到锗粉;将锗粉转移至密闭反应器中,向其中通入高纯氯气,充分反应,得到四氯化锗;将四氯化锗进行蒸馏提纯;向提纯后的四氯化锗中加入超纯水,充分搅拌后静置,过滤得到二氧化锗沉淀;将二氧化锗沉淀进行清洗、干燥、煅烧,得到7N以上超高纯二氧化锗。本发明的超高纯二氧化锗的制备方法得到的二氧化锗纯度高,产率高,含氯量低于0.003%,满足BGO晶体的制备需求。

    一种高纯草酸镓铵的合成方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119219485A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202410855163.1

    申请日:2024-06-28

    Abstract: 本发明涉及化学品合成技术领域,具体为一种高纯草酸镓铵的合成方法,包括将含镓溶液与双氧水溶液混合,然后加入碱液加热溶解,得到含镓的碱性溶液,过滤,然后向滤液中加入无机酸,调节pH为5‑7,陈化后过滤;滤得到的沉淀用去离子水洗涤数次,向沉淀中加入草酸溶液,至沉淀全部溶解,得到草酸镓溶液;向草酸镓溶液中加入饱和草酸铵溶液,加热搅拌,反应完成后陈化,过滤,得到草酸镓铵晶体,并用去离子水、乙醇分别洗涤数次,将草酸镓铵晶体真空干燥,得到高纯草酸镓铵,该合成方法填补了高纯草酸镓铵合成方法的空白,且操作工艺简单,成本低,合成的草酸镓铵纯度高,适合大规模工业生产。

    一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法

    公开(公告)号:CN117305969A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311055377.2

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法,包括炉体、坩埚、保温层、托杆以及加热装置;所述保温层在炉体内壁,所述坩埚设置在炉体内部中心,所述托杆的上端与坩埚连接,下端穿过炉体;所述加热装置包括筒状加热器、底座以及高度调节装置,所述底座上设有石墨电极,所述筒状加热器通过石墨螺栓固定设置在石墨电极上,所述底座通过高度调节装置可调节的设置在炉体内;所述筒状加热器从上至下包括第一环形段、锥面段以及第二环形段,三段式筒状加热器降低了热场中的温度梯度、结晶液位温度平稳,通过液位检测仪实时监测液位高度,从而调节筒状加热器保持液位中心处于热应力中心,保持单晶低位错生长。

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