一种高纯草酸镓铵的合成方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119219485A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202410855163.1

    申请日:2024-06-28

    Abstract: 本发明涉及化学品合成技术领域,具体为一种高纯草酸镓铵的合成方法,包括将含镓溶液与双氧水溶液混合,然后加入碱液加热溶解,得到含镓的碱性溶液,过滤,然后向滤液中加入无机酸,调节pH为5‑7,陈化后过滤;滤得到的沉淀用去离子水洗涤数次,向沉淀中加入草酸溶液,至沉淀全部溶解,得到草酸镓溶液;向草酸镓溶液中加入饱和草酸铵溶液,加热搅拌,反应完成后陈化,过滤,得到草酸镓铵晶体,并用去离子水、乙醇分别洗涤数次,将草酸镓铵晶体真空干燥,得到高纯草酸镓铵,该合成方法填补了高纯草酸镓铵合成方法的空白,且操作工艺简单,成本低,合成的草酸镓铵纯度高,适合大规模工业生产。

    一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法

    公开(公告)号:CN117305969A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311055377.2

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法,包括炉体、坩埚、保温层、托杆以及加热装置;所述保温层在炉体内壁,所述坩埚设置在炉体内部中心,所述托杆的上端与坩埚连接,下端穿过炉体;所述加热装置包括筒状加热器、底座以及高度调节装置,所述底座上设有石墨电极,所述筒状加热器通过石墨螺栓固定设置在石墨电极上,所述底座通过高度调节装置可调节的设置在炉体内;所述筒状加热器从上至下包括第一环形段、锥面段以及第二环形段,三段式筒状加热器降低了热场中的温度梯度、结晶液位温度平稳,通过液位检测仪实时监测液位高度,从而调节筒状加热器保持液位中心处于热应力中心,保持单晶低位错生长。

    废LCD偏光膜分离回收装置及方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119928114A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411987004.3

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明涉及LCD屏偏光膜回收领域,具体涉及废LCD偏光膜分离回收装置及方法,包括筛分箱,所述筛分箱一侧贯通连接有进水管,所述筛分箱远离进水管的一侧贯通连接有出水管,所述筛分箱上方贯通连接有进料框。本发明通过废弃的LCD屏幕先进行加热,使其粘合的胶软化后,再将其与破碎牙盘贴合接触,使破碎牙盘可以废弃的LCD屏幕分层进行破碎,避免出现破碎后各分层分离不彻底的情况,且通过盛水框的转动,使漂浮的偏光膜碎片和水源被收集,并随着持续的转动最终倒入过滤箱内部,且通过电推杆的收缩,可以使振动过滤框和过滤箱一起浮出水面,从而方便偏光膜碎片和其余碎片的快速回收,通过此种方式,可以提高筛分时的质量和提高筛分的效率。

    一种等离子氧化装置及废锗处理方法

    公开(公告)号:CN118028630A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202311869750.8

    申请日:2023-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种等离子氧化装置及废锗处理方法,等离子氧化装置包括炉体,进料仓;炉体由上至下依次包括排气段、第二等离子加热段、进料段、第一等离子加热段,所述第二等离子加热段与进料段之间设有隔板;回收处理工艺污染小,经过等离子氧化装置处理之后得到的二氧化锗纯度较高,等离子氧化装置对粉料进行两次等离子加热,第一次加热是将锗与其他杂质进行分离,并在粉料不飞扬的情况下进行初步氧化,第二次加热并通入足量氧气保证充分氧化,气态的二氧化锗含有大量的热量,直接冷却收集造成热量浪费,本发明将气态二氧化锗的热量进行余热回收对进料仓内的粉料经常预热,预热后的粉料进行第一次等离子加热时加热速度快,提高反应速率。

    一种低锗废渣快速检测锗的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117007764A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310752664.2

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本发明涉及低锗废渣检测技术领域,且公开了一种低锗废渣快速检测锗的方法,包括以下步骤:S1、将含有低锗的废渣通过粉碎设备对其废渣块进行粉碎,并将粉碎后得到的低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉进行搅拌混合一端时间,使其混合均匀,混合均匀后在混捏机内压制成渣块。该一种低锗废渣快速检测锗的方法,通过先将低锗废渣粉碎并与一些促进燃烧的物质结合,使其在焙烧的过程中被焙烧的更加充分,提高焙烧的效率,避免了低锗废渣正常焙烧时间长和焙烧不充分的问题,同时通过将焙烧残渣进行取出,对其进行除杂和磁选,使其焙烧后的残渣中的锗被提取出,在缩短了锗回收检测时间的同时也提高了对低锗废渣中锗含量检测的精准性。

    一种锗高温熔融-沸腾侧吹计算机模型建立方法

    公开(公告)号:CN116910978A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310655425.5

    申请日:2023-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种锗高温熔融‑沸腾侧吹计算机模型建立方法,涉及计算机模型建立方法技术领域。包括以下步骤:S1、获取高温熔融沸腾侧吹过程中影响因素;S2、对各个影响因素的权重进行评价;S3、多因素模拟模型的建立。通过设置的多因素模型建立方法可以将多个影响因子配合自身权重进行模型的建立,从而降低了模型建立过程中产生的计算误差,通过设置的模型建立方法将机理模型与灰色预测模型进行结合,对侧吹熔炼相关参数进行在线实时控制,具有较好的全局拟合能力,同时结合侧吹工艺专家知识及现场操作经验,深度挖掘生产大数据库中的信息价值,实现对生产过程的优化控制。

    一种超高纯锗的提纯方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116949301A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310701745.X

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种超高纯锗的提纯方法,包括以下步骤:S1:将含锗含硅的废料溶于碱性溶液中,经电解析出得到锗料,其中废料经球磨、碱液浸泡后过滤获得碱性滤液;S2:对S1中的固体物质进行水洗处理,得到水洗液,并对水洗液中加入络合剂、有机相、反萃液进行萃取处理,并控制反萃后液和锗沉淀剂在pH为8~9下进行锗沉淀反应,得到萃余液和反萃后液。该一种超高纯锗的提纯方法,不仅确保提纯后锗具有非常高的纯度,还提高了提纯效率和收率,如采用电子级锗作为原料,纯化锗为高纯锗,纯度在1×1012cm~3以下,其中大部分纯度为1×1010cm~3~1×1011cm~3,同时每次区熔处理结束后不需要头尾都切除,提高了提纯收率,区熔次数也能够控制在30次以内。

    一种锗废料熔融挥发富集方法

    公开(公告)号:CN115478166A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202110666765.9

    申请日:2021-06-16

    Abstract: 本发明涉及备料,取含锗废渣为原材料备用;配料,用氧化铁、钙石、硅石与含锗废渣进行混合;挥发,将配料好的废渣送入高温熔融‑还原联合挥发炉,通过控制炉温、还原气氛、风压、风量进行熔融和还原,得到熔渣和含有氧化亚锗的烟尘;炉渣形成,将产生的熔渣进行冷却得到炉渣并外排;烟尘收集,将含有氧化亚锗的烟尘依次通过沉降室、布袋集尘进行收集。本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种锗废料熔融挥发富集方法。

    大颗粒高纯硫酸镓的制备方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118894550A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410827826.9

    申请日:2024-06-25

    Abstract: 本发明涉及化学品合成技术领域,具体为大颗粒高纯硫酸镓的制备方法,通过向含镓废液中加入双氧水、硫酸溶液,搅拌过滤,去除不溶杂质;向过滤液中加入足量铝粉,加热搅拌,趁热过滤,去除滤渣;得到的滤液降温冷却,趁冷过滤,弃去滤液,得到含镓固体;将得到的含镓固体用冷水洗涤至中性,然后在电解池阳极进行电解提纯,得到高纯镓;向得到的高纯镓中加入硫酸溶液,至镓全部溶解,得到硫酸镓溶液;溶液蒸发浓缩,然后加水,重复蒸发浓缩数次,冷却结晶,过滤得到硫酸镓晶体;然后真空干燥,得到大颗粒高纯硫酸镓。该制备方法以含镓废液为原料制备大颗粒高纯硫酸镓,成本低,硫酸镓纯度高于99.9%,适用于大规模生产利用,且具有较高的经济价值。

Patent Agency Ranking