介孔SiO2表面引发硼亲和印迹聚合物材料的制备方法及其应用于提取莽草酸

    公开(公告)号:CN111072852A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911293427.4

    申请日:2019-12-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于资源利用和化工分离技术领域,涉及介孔SiO2表面引发硼亲和印迹聚合物材料的制备方法,包括将TEOS和正戊醇溶于环己烷中,充分搅拌成均匀溶液,快速加入CTAB和尿素,加入去离子水,80~180℃水热反应2~6h,烘干后将所制得硅材料置于管式炉300~650°C焙烧4~8 h;然后在无水乙醇中溶解硅材料和KH570,40~100℃回流12~48 h,真空干燥得乙烯基改性硅材料;将其溶于乙腈溶液中,加入莽草酸、VPBA、交联剂EGDMA、引发剂AIBN反应后离心即得。该材料以介孔硅材料为基底,在其表面制备分子印迹聚合物引入双重识别机制,使得具有顺式二羟基结构的莽草酸在材料表面富集,实现莽草酸的有效分离。在富集分离以及纯化具有顺式二羟基结构的天然产物领域有较好的应用前景。

    光敏半导体Zr-TCPP MOFs负载Ag纳米粒子复合材料的制备方法及其抗菌应用

    公开(公告)号:CN111110843B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN201911293480.4

    申请日:2019-12-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于纳米复合材料制备技术领域,涉及光催化复合抗菌材料,尤其涉及一种光敏半导体Zr‑TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料ZMP‑Ag的制备方法,将ZrCl4、苯甲酸加入DMF中混匀,再加入水和卟啉,混合均匀成溶液,移入反应釜,50~200℃水热反应1~48 h,离心分离清洗,制得Zr‑TCPP MOFs(ZPM);再将ZPM溶于0.1~10 mM的AgNO3溶液,移入反应釜,50~200℃持续反应1~48 h,离心分离清洗,制得ZMP‑Ag。本发明通过水热法制备出高效稳定的光催化抗菌材料ZPM‑Ag,制备方法简单,可操作性好;ZPM‑Ag在六次循环运行中表现出良好的稳定性,且毒性低和环境友好的抗菌材料。因此,较高的可见光利用率和优异的杀菌性能使ZPM‑Ag在抗菌方面具有广阔的应用前景。

    光敏半导体Zr-TCPP MOFs负载Ag纳米粒子复合材料的制备方法及其抗菌应用

    公开(公告)号:CN111110843A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911293480.4

    申请日:2019-12-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于纳米复合材料制备技术领域,涉及光催化复合抗菌材料,尤其涉及一种光敏半导体Zr-TCPP MOFs结构负载Ag纳米粒子复合材料ZMP-Ag的制备方法,将ZrCl4、苯甲酸加入DMF中混匀,再加入水和卟啉,混合均匀成溶液,移入反应釜,50~200℃水热反应1~48 h,离心分离清洗,制得Zr-TCPP MOFs(ZPM);再将ZPM溶于0.1~10 mM的AgNO3溶液,移入反应釜,50~200℃持续反应1~48 h,离心分离清洗,制得ZMP-Ag。本发明通过水热法制备出高效稳定的光催化抗菌材料ZPM-Ag,制备方法简单,可操作性好;ZPM-Ag在六次循环运行中表现出良好的稳定性,且毒性低和环境友好的抗菌材料。因此,较高的可见光利用率和优异的杀菌性能使ZPM-Ag在抗菌方面具有广阔的应用前景。

    羟基铁表面引发硼亲和印迹聚合物的制备方法及其应用于提取莽草酸

    公开(公告)号:CN111072851B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201911293403.9

    申请日:2019-12-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于资源利用和化工分离技术领域,涉及羟基铁表面引发硼亲和印迹聚合物的制备方法,包括:将氯化铁与硝酸钠加入去离子水中,水热反应得羟基铁;将羟基铁溶于无水乙醇中,超声分散均匀;按照质量体积比为1~5g:30mL的比例,将KH570溶于乙醇溶液,加入含羟基铁材料的乙醇中,加热回流、离心、洗净,真空烘干得乙烯基改性羟基铁;将其溶于去离子水,加入过硫酸铵与甲基丙烯酸;在乙腈溶液加入莽草酸、VPBA、交联剂EGDMA、AIBN反应即得。本发明以羟基铁材料为基底,在表面制备分子印迹聚合物引入双重识别机制,使得具有顺式二羟基结构的莽草酸在表面富集,有效分离。在富集分离以及纯化具有顺式二羟基结构的天然产物领域,本发明有较好的应用前景。

    磁性核壳结构负载纳米ZnO及Ag3PO4复合材料的制备方法及其抗菌应用

    公开(公告)号:CN110742084A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201911034413.0

    申请日:2019-10-29

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于纳米复合材料制备技术领域,涉及一种磁性核壳结构负载纳米ZnO及Ag3PO4复合材料(Fe3O4@SiO2@ZnO-Ag3PO4)的制备方法及其抗菌应用。本发明首先将Fe3O4粒子分散到由乙醇、氨水和去离子水混合而成的溶液中成为悬浊液,再将由乙醇和正硅酸乙酯配制的混合溶液滴加到悬浊液中制得Fe3O4@SiO2微球,然后将微球分散在由ZnAc2•2H2O和乙醇配制的溶液中,逐滴滴加氢氧化钠的乙醇溶液,调整pH值为6~10,滴加KH2PO4溶液,加热到40~150℃水热1h~8h;再加入AgNO3溶液,加热至40~150℃水热1h~10h,用乙醇和去离子水分别冲洗干净,得到Fe3O4@SiO2@ZnO-Ag3PO4。本发明所制得的Fe3O4@SiO2@ZnO-Ag3PO4在六次抗菌循环运行中表现出良好的稳定性,且可磁分离回收,ZnO和Ag3PO4增强的光催化抗菌性能与可回收的磁性使复合材料在抗菌方面具有广阔的应用前景。

    介孔SiO2表面引发硼亲和印迹聚合物材料的制备方法及其应用于提取莽草酸

    公开(公告)号:CN111072852B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201911293427.4

    申请日:2019-12-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于资源利用和化工分离技术领域,涉及介孔SiO2表面引发硼亲和印迹聚合物材料的制备方法,包括将TEOS和正戊醇溶于环己烷中,充分搅拌成均匀溶液,快速加入CTAB和尿素,加入去离子水,80~180℃水热反应2~6h,烘干后将所制得硅材料置于管式炉300~650°C焙烧4~8 h;然后在无水乙醇中溶解硅材料和KH570,40~100℃回流12~48 h,真空干燥得乙烯基改性硅材料;将其溶于乙腈溶液中,加入莽草酸、VPBA、交联剂EGDMA、引发剂AIBN反应后离心即得。该材料以介孔硅材料为基底,在其表面制备分子印迹聚合物引入双重识别机制,使得具有顺式二羟基结构的莽草酸在材料表面富集,实现莽草酸的有效分离。在富集分离以及纯化具有顺式二羟基结构的天然产物领域有较好的应用前景。

    苯硼酸修饰磁性β-环糊精聚合物的制备方法及其选择性分离莽草酸的应用

    公开(公告)号:CN110396146B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201910623380.7

    申请日:2019-07-11

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于资源利用和化工分离技术领域,涉及苯硼酸修饰磁性β‑环糊精聚合物的制备方法及其选择性分离莽草酸的应用。本发明首先制得纳米Fe3O4固体,再按照每100 mL含有0.1211 g Tris水溶液中溶解0.1~0.5 g盐酸多巴胺和0.12~0.2 g Fe3O4,制得Fe3O4@PDA固体;再与β‑环糊精和环氧氯丙烷混合获得Fe3O4@PDA@β‑环糊精固体;最后与EDC和NHS充分混合,加入3‑氨基苯硼酸反应6~18 h即得。本发明通过表面修饰取代硼酸,使得具有顺式二羟基结构的莽草酸在苯硼酸修饰磁性β‑环糊精聚合物的表面富集,且可以通过磁分离将莽草酸分离出来,回收再利用,实现莽草酸纯度和得率的有效提升。本发明在富集分离以及纯化具有顺式二羟基结构的天然产物领域有较好的应用前景,具有节能环保和方便回收等优点。

    苯硼酸修饰磁性β-环糊精聚合物的制备方法及其选择性分离莽草酸的应用

    公开(公告)号:CN110396146A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910623380.7

    申请日:2019-07-11

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于资源利用和化工分离技术领域,涉及苯硼酸修饰磁性β-环糊精聚合物的制备方法及其选择性分离莽草酸的应用。本发明首先制得纳米Fe3O4固体,再按照每100 mL含有0.1211 g Tris水溶液中溶解0.1~0.5 g盐酸多巴胺和0.12~0.2 g Fe3O4,制得Fe3O4@PDA固体;再与β-环糊精和环氧氯丙烷混合获得Fe3O4@PDA@β-环糊精固体;最后与EDC和NHS充分混合,加入3-氨基苯硼酸反应6~18 h即得。本发明通过表面修饰取代硼酸,使得具有顺式二羟基结构的莽草酸在苯硼酸修饰磁性β-环糊精聚合物的表面富集,且可以通过磁分离将莽草酸分离出来,回收再利用,实现莽草酸纯度和得率的有效提升。本发明在富集分离以及纯化具有顺式二羟基结构的天然产物领域有较好的应用前景,具有节能环保和方便回收等优点。

    苯硼酸修饰磁性壳聚糖的制备方法及其选择性分离莽草酸的应用

    公开(公告)号:CN110394163B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN201910623384.5

    申请日:2019-07-11

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于资源利用和化工分离领域,涉及苯硼酸修饰磁性壳聚糖的制备方法,先利用溶剂热法制得纳米Fe3O4固体,将其分散在水中,与壳聚糖的醋酸溶液混合,反应制得Fe3O4@壳聚糖固体;在碱性溶液中与环氧氯丙烷混合,水洗中性,备用;再将其分散在NaOH溶液中碱化12~48 h,加入含有琥珀酸酐DMF溶液,水浴反应后得羧基化Fe3O4@壳聚糖固体;最后与EDC和NHS充分混合,加入3‑氨基苯硼酸反应6~18 h即得。本发明通过表面修饰取代硼酸,使得具有顺式二羟基结构的莽草酸在材料表面富集,且通过磁分离将莽草酸分离,回收利用,实现莽草酸纯度和得率的有效提升。本发明在富集分离以及纯化具有顺式二羟基结构的天然产物领域有较好的应用前景,具有节能环保和方便回收等优点。

    羟基铁表面引发硼亲和印迹聚合物的制备方法及其应用于提取莽草酸

    公开(公告)号:CN111072851A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911293403.9

    申请日:2019-12-16

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明属于资源利用和化工分离技术领域,涉及羟基铁表面引发硼亲和印迹聚合物的制备方法,包括:将氯化铁与硝酸钠加入去离子水中,水热反应得羟基铁;将羟基铁溶于无水乙醇中,超声分散均匀;按照质量体积比为1~5g:30mL的比例,将KH570溶于乙醇溶液,加入含羟基铁材料的乙醇中,加热回流、离心、洗净,真空烘干得乙烯基改性羟基铁;将其溶于去离子水,加入过硫酸铵与甲基丙烯酸;在乙腈溶液加入莽草酸、VPBA、交联剂EGDMA、AIBN反应即得。本发明以羟基铁材料为基底,在表面制备分子印迹聚合物引入双重识别机制,使得具有顺式二羟基结构的莽草酸在表面富集,有效分离。在富集分离以及纯化具有顺式二羟基结构的天然产物领域,本发明有较好的应用前景。

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