-
公开(公告)号：CN105837896A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610247210.X
申请日：2016-04-20
Applicant: 江南大学
IPC: C08L23/06 , C08K5/1545 , C08K3/04 , C08J3/28 , C08J3/24
CPC classification number: C08K5/1545 , C08J3/24 , C08J3/28 , C08J2323/06 , C08K3/04 , C08L2201/08 , C08L2207/068 , C08L23/06
Abstract: 本发明涉及一种超高分子量聚乙烯复合材料的制备方法，属于高分子材料技术领域。其通过选用医药级超高分子量聚乙烯UHMWPE粉末为基础材料，并对其复合添加天然维生素?E和单层氧化石墨烯GO，制成混合粉末，将混合粉末加入模具中，通过热压成型方法制备出UHMWPE/GO?VE复合材料；随后对其进行γ?射线辐照交联处理，最终得到抗氧化超低磨损超高分子量聚乙烯复合材料。本发明制备的γ?射线辐照交联UHMWPE/GO?VE复合材料具优良的耐磨性能；而GO的二维结构和优异的力学性能与生物相容性能不仅降低了磨损，减少了磨屑数量，而且降低了由磨屑而引起的细胞不良反应程度；还具有优异的抗氧化和抗老化性能。
-
公开(公告)号：CN104356481A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410622514.0
申请日：2014-11-08
Applicant: 江南大学
CPC classification number: C08K9/04 , B29C35/02 , C01B32/184 , C08K3/04 , C08L23/06 , C08L2207/068
Abstract: 本发明涉及一种复合材料的制备方法及复合材料。该按质量份配比，该制备方法包括以下步骤：a、将0.3-0.5份单层氧化石墨烯加入79份无水乙醇中，磁力搅拌后超声剥离；b、将100份的UHMWPE加入溶液中，磁力搅拌后超声剥离；c、干燥处理；d、将干燥物研磨粉碎；e、采用平板硫化机在5-10MPa压力下预压10-20min；f、电热风干处理；g、硫化处理并冷却。根据该方法制备的复合材料按质量份配比，包括0.3-0.5份的单层氧化石墨烯及100份的UHMWPE。这种复合材料的制备方法及复合材料，实现了提高UHMWPE的力学性能，提高了其硬度、抗拉性能以及摩擦磨损性能。
-
公开(公告)号：CN107129762A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710334987.4
申请日：2017-05-12
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/30625
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅化学机械抛光用的抛光液及其制备方法，属于化学机械抛光技术领域。其包覆型氧化硅/氧化铈复合磨粒1%～10%、氧化剂为0.1%～10%、分散剂为0.1%～10%；通过pH调节剂调节pH为2～6，得到碳化硅化学机械抛光用的抛光液。本发明操作方法简单、合理，易于生产，加入分散剂，使得抛光悬浮液分散性好，避免了磨粒的团聚现象，同时采用均相沉淀法制备包覆型氧化硅/氧化铈核壳结构复合磨粒，提高了包覆效果，加入高锰酸钾氧化剂，使得抛光液的抛光效果更加良好。
-
公开(公告)号：CN115160935B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211037067.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，具体为一种八面体氧化铈磨粒抛光液及其制备方法、应用。本发明以Ce3+、聚乙烯吡咯烷酮为原料，采用溶剂热法在较低温度及溶剂的自身压强下，控制六水合硝酸铈与聚乙烯吡咯烷酮的摩尔比为2：1，无水乙醇与去离子水的体积比为3：1，Ce3+浓度为0.1mol/L，成功制备出八面体形貌、粒径大小约为150nm、粒度分布均匀的八面体氧化铈磨粒。基于本发明的特定八面体氧化铈磨粒，通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)或十二烷基苯磺酸钠(SDBS)，结合0.05mol/L的KMnO4，控制抛光液PH值为2时制得的抛光液，最终实现了抛后SiC晶片的不低于800nm/h，同时晶片表面粗糙度不高于0.28nm的技术效果。
-
公开(公告)号：CN107189693B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710334496.X
申请日：2017-05-12
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种A向蓝宝石化学机械抛光用抛光液及其制备方法，属于表面处理技术领域。其首先在硅溶胶中加入分散剂，随后将表面活性剂溶于去离子水，将两者混合继续添加消泡剂和pH调节剂，最后得到A向蓝宝石化学机械抛光用抛光液。本发明分别添加不同种类的表面活性剂对A向蓝宝石晶片进行化学机械抛光，并得出结论：在碱性条件下，使用阳离子型表面活性剂和两性表面活性剂时，抛光效率最高，并且具有较低的表面粗糙度；其次是非离子型表面活性剂；而阴离子型表面活性剂在碱性环境中抑制A向蓝宝石晶片的去除速率，从而提高抛光效率，节约成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105733507B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610138467.1
申请日：2016-03-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明提供了一种壳核包覆型氧化铈‑氧化硅复合磨粒的制备方法，其能解决现有方法制备出的壳核包覆型氧化铈‑氧化硅复合磨粒存在的氧化铈包覆程度低、包覆效果不理想的问题。其包括以下步骤：（1）采用市售二氧化硅抛光液制备氧化硅悬浮液，在制备过程中控制氧化硅悬浮液的PH值为10～10.5；（2）以硝酸铈作为铈盐、HMT作为沉淀剂制备铈盐溶液；（3）将铈盐溶液匀速缓慢滴入氧化硅悬浮液中得到混合溶液；（4）对混合溶液进行油浴加热、加热回流得到深褐色悬浮液后冷却至室温、陈化直至出现分层现象；（5）对已出现分层现象的深褐色悬浮液进行离心分离及洗涤得到深褐色沉淀物；（6）对深褐色沉淀物进行烘干、研磨、锻烧、精研。
-
公开(公告)号：CN107189693A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710334496.X
申请日：2017-05-12
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种A向蓝宝石化学机械抛光用抛光液及其制备方法，属于表面处理技术领域。其首先在硅溶胶中加入分散剂，随后将表面活性剂溶于去离子水，将两者混合继续添加消泡剂和pH调节剂，最后得到A向蓝宝石化学机械抛光用抛光液。本发明分别添加不同种类的表面活性剂对A向蓝宝石晶片进行化学机械抛光，并得出结论：在碱性条件下，使用阳离子型表面活性剂和两性表面活性剂时，抛光效率最高，并且具有较低的表面粗糙度；其次是非离子型表面活性剂；而阴离子型表面活性剂在碱性环境中抑制A向蓝宝石晶片的去除速率，从而提高抛光效率，节约成本。
-
公开(公告)号：CN104327357A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410622515.5
申请日：2014-11-08
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及复合材料的制备方法及复合材料。按质量份配比，该复合材料的制备方法包括以下步骤：a、将0.1-5份单层氧化石墨烯加入500份溶剂中充分分散，然在超声处理；b、将95-99.9份的UHMWPE加入经过步骤a得到的溶液中，磁力搅拌后超声剥离；c、干燥处理；d、研磨粉碎；e、采用平板硫化机预压，保温，再压模处理得到板材，冷却；f、采用电子束或放射源钴，辐照剂量为50-150kGy对板材辐照5-9天，完成制备。该复合材料包括0.1-5份的单层氧化石墨烯及95-99.9份的UHMWPE。这种复合材料的制备方法及复合材料，实现了提高UHMWPE的力学性能，提高了其硬度、抗拉性能以及摩擦磨损性能。
-
公开(公告)号：CN115368826B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211030992.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，具体为一种基于类球形氧化铈磨粒的抛光液及其制备方法、应用。本发明提供的抛光液的制备方法，首先采用Ce3+为原料，同时加入聚乙烯吡咯烷酮制备得到形貌，再以乙醇为溶剂，采用溶剂热法制备出类球形形貌、大小可控、粒度分布均匀的氧化铈磨粒，克服了氧化铈不均匀团聚的技术难题，成功制得了立方萤石结构的CeO2，微观形貌呈类球形、粒径100～200nm、粒径分布均匀；然后基于本发明的特定类球形氧化铈磨粒，通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择(SDBS或PEG‑2000)，结合0.05mol/L的KMnO4，控制抛光液PH值为2时制得的抛光液，最终实现了抛后SiC晶片的材料去除率不低于600nm/h，同时晶片表面粗糙度不高于0.23nm，取得了预料不到的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115368826A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211030992.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，具体为一种基于类球形氧化铈磨粒的抛光液及其制备方法、应用。本发明提供的抛光液的制备方法，首先采用Ce3+为原料，同时加入聚乙烯吡咯烷酮制备得到形貌，再以乙醇为溶剂，采用溶剂热法制备出类球形形貌、大小可控、粒度分布均匀的氧化铈磨粒，克服了氧化铈不均匀团聚的技术难题，成功制得了立方萤石结构的CeO2，微观形貌呈类球形、粒径100～200nm、粒径分布均匀；然后基于本发明的特定类球形氧化铈磨粒，通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择(SDBS或PEG‑2000)，结合0.05mol/L的KMnO4，控制抛光液PH值为2时制得的抛光液，最终实现了抛后SiC晶片的材料去除率不低于600nm/h，同时晶片表面粗糙度不高于0.23nm，取得了预料不到的技术效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.014 seconds)
