-
公开(公告)号：CN115160935B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211037067.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，具体为一种八面体氧化铈磨粒抛光液及其制备方法、应用。本发明以Ce3+、聚乙烯吡咯烷酮为原料，采用溶剂热法在较低温度及溶剂的自身压强下，控制六水合硝酸铈与聚乙烯吡咯烷酮的摩尔比为2：1，无水乙醇与去离子水的体积比为3：1，Ce3+浓度为0.1mol/L，成功制备出八面体形貌、粒径大小约为150nm、粒度分布均匀的八面体氧化铈磨粒。基于本发明的特定八面体氧化铈磨粒，通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)或十二烷基苯磺酸钠(SDBS)，结合0.05mol/L的KMnO4，控制抛光液PH值为2时制得的抛光液，最终实现了抛后SiC晶片的不低于800nm/h，同时晶片表面粗糙度不高于0.28nm的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115368826B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211030992.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，具体为一种基于类球形氧化铈磨粒的抛光液及其制备方法、应用。本发明提供的抛光液的制备方法，首先采用Ce3+为原料，同时加入聚乙烯吡咯烷酮制备得到形貌，再以乙醇为溶剂，采用溶剂热法制备出类球形形貌、大小可控、粒度分布均匀的氧化铈磨粒，克服了氧化铈不均匀团聚的技术难题，成功制得了立方萤石结构的CeO2，微观形貌呈类球形、粒径100～200nm、粒径分布均匀；然后基于本发明的特定类球形氧化铈磨粒，通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择(SDBS或PEG‑2000)，结合0.05mol/L的KMnO4，控制抛光液PH值为2时制得的抛光液，最终实现了抛后SiC晶片的材料去除率不低于600nm/h，同时晶片表面粗糙度不高于0.23nm，取得了预料不到的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115368826A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211030992.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，具体为一种基于类球形氧化铈磨粒的抛光液及其制备方法、应用。本发明提供的抛光液的制备方法，首先采用Ce3+为原料，同时加入聚乙烯吡咯烷酮制备得到形貌，再以乙醇为溶剂，采用溶剂热法制备出类球形形貌、大小可控、粒度分布均匀的氧化铈磨粒，克服了氧化铈不均匀团聚的技术难题，成功制得了立方萤石结构的CeO2，微观形貌呈类球形、粒径100～200nm、粒径分布均匀；然后基于本发明的特定类球形氧化铈磨粒，通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择(SDBS或PEG‑2000)，结合0.05mol/L的KMnO4，控制抛光液PH值为2时制得的抛光液，最终实现了抛后SiC晶片的材料去除率不低于600nm/h，同时晶片表面粗糙度不高于0.23nm，取得了预料不到的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115160935A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211037067.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 江南大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，具体为一种八面体氧化铈磨粒抛光液及其制备方法、应用。本发明以Ce3+、聚乙烯吡咯烷酮为原料，采用溶剂热法在较低温度及溶剂的自身压强下，控制六水合硝酸铈与聚乙烯吡咯烷酮的摩尔比为2：1，无水乙醇与去离子水的体积比为3：1，Ce3+浓度为0.1mol/L，成功制备出八面体形貌、粒径大小约为150nm、粒度分布均匀的八面体氧化铈磨粒。基于本发明的特定八面体氧化铈磨粒，通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)或十二烷基苯磺酸钠(SDBS)，结合0.05mol/L的KMnO4，控制抛光液PH值为2时制得的抛光液，最终实现了抛后SiC晶片的不低于800nm/h，同时晶片表面粗糙度不高于0.28nm的技术效果。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.014 seconds)
