公开(公告)号：CN103824884A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201210468002.4

申请日：2012-11-19

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 钟树理 ,  朱超群 ,  万祎 ,  曾爱平 ,  陈宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提出了一种具有均衡结构的超级结MOSFET，其包括形成在衬底上的元胞区和包围所述元胞区的终端区，所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽，所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层，所述沟槽之间为第二导电类型的第二外延层，所述终端区的沟槽沿从外向里的方向的排布方式一致。本发明的超级结MOSFET沿从终端区向元胞区的方向上，终端区各边的沟槽排布方式一致，即终端区各边的沟槽都沿从外向里的方向垂直排布，或终端区各边的沟槽都沿从外向里的方向平行排布。终端区各边的沟槽排布方式一致，使该超级结MOSFET的高压大电流的泄放在各边是平均的，泄流通道更大，泄流能力就更强。

公开(公告)号：CN103021856A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110300295.0

申请日：2011-09-28

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 钟树理 ,  朱超群 ,  万祎 ,  曾爱平 ,  陈宇

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出一种具有超级结的半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一掺杂类型的半导体衬底；在半导体衬底之上分别形成第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第三掺杂区位于第一掺杂区和所述第二掺杂区之间，且所述第一掺杂区和第二掺杂区为第一掺杂类型，第三掺杂区为第二掺杂类型；在第三掺杂区顶部形成体区；在第一掺杂区、第二掺杂区和体区上形成掩膜层；刻蚀掩膜层以形成有源区；在所述体区中形成源极；在第一掺杂区、第二掺杂区、体区上方形成介质层；在介质层中形成接触孔区域；形成金属层，所述金属层填充所述接触孔区域。发明中能够形成有序的pnpn结构，降低导通电阻，提高具有超级结的半导体结构的性能。