一种中子及γ射线协同防护的玻璃-陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111205067B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202010043549.4

    申请日:2020-01-15

    Abstract: 本发明公开一种中子及γ射线协同防护的玻璃‑陶瓷材料及其制备方法。其技术方案是:将硼酸铝粉体球磨,干燥,破碎,得到硼酸铝前驱体。以30.0~40.0wt%的氧化硼、20.0~30.0wt%的氧化铋、5.0~10.0wt%的氧化磷、5.0~10.0wt%的氧化硅、10.0~15.0wt%的氧化钡和5.0~10.0wt%的氧化钆为原料,混合,于1400~1600℃条件下熔融,水淬,干燥,破碎,即得含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂。将硼酸铝前驱体、含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂和结合剂混合,机压成型,干燥,在1000~1500℃条件下保温60~300min,随炉冷却,制得中子及γ射线协同防护的玻璃‑陶瓷材料。本发明所制制品耐压强度高、屏蔽性能优异、耐水热侵蚀能力强、耐辐照性能优良和热震稳定性好。

    一种含植物本征结构的高铝质隔热砖及其制备方法

    公开(公告)号:CN108558432B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201810074756.9

    申请日:2018-01-25

    Abstract: 本发明涉及一种含植物本征结构的高铝质隔热砖及其制备方法。其技术方案是:以27~45wt%粒度为0.044~0.074mm的刚玉细粉、20~32wt%的粒度为≤0.044mm的刚玉细粉和33~45wt%的α‑Al2O3微粉为原料,外加所述原料15~40wt%的经无机溶胶浸渍处理的造孔剂,预混1~3h,得到预混料;再将预混料和所述原料10~25wt%的结合剂混合均匀,困料,成型;然后在110~135℃条件下烘烤12~24h,于1300~1600℃条件下保温3~6h,即得含植物本征结构的高铝质隔热砖。本发明具有成本低、成品率高和工艺简单的特点,所制得的含植物本征结构的高铝质隔热砖层裂小、掉粉现象少、强度高、热震性能好、导热系数低和高温隔热效果显著。

    一种基于熔盐法的硼酸镁晶须多孔陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112897991A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110270164.6

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明涉及一种基于熔盐法的硼酸镁晶须多孔陶瓷材料及其制备方法。其技术方案是:按碱式碳酸镁∶硼酸的摩尔比为1∶1.0~3.0,将碱式碳酸镁和硼酸混合,在500~600℃保温1~2小时,破碎,得到硼酸镁粉体;将氯化钠、硫酸钾、氯化钾和碳酸氢钠混合,得混合料;将硼酸镁粉体和混合料混合,球磨,烘干,制得硼酸镁晶须多孔陶瓷粉体;然后将硼酸镁晶须多孔陶瓷粉体机压成型,干燥,在700~900℃保温3~5小时,自然冷却,用热蒸馏水洗涤,过滤,直至滤液与AgNO3或BaCl2反应无白色沉淀产生,干燥,制得基于熔盐法的硼酸镁晶须多孔陶瓷材料。本发明反应温度低、工艺流程简单、操作难度小和成本低;所制制品线变化率小、抗压强度大和孔隙率较高。

    一种硼酸铋陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113185278B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202110434485.5

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本发明涉及一种硼酸铋陶瓷材料及其制备方法。其技术方案是:将硼酸和氧化铋混合,球磨,烘干,得到烘干球磨料Ⅰ;在250~300℃条件下保温,破碎,得到硼酸铋粉体。再将氧化镁、氧化铝和氧化钆混合,球磨,烘干,得到烘干球磨料Ⅱ;然后将烘干球磨料Ⅱ和硼酸铋粉体混合,球磨,烘干,制得硼酸铋陶瓷粉体。将硼酸铋陶瓷粉体机压成型,等静压处理,在空气气氛、常压和500~600℃条件下保温3~5小时,制得硼酸铋陶瓷材料。本发明工艺简单、生产周期短、成本低和环境友好,所制备的硼酸铋陶瓷材料中子与γ协同屏蔽性能优异和隔热性能良好。

    一种辐射屏蔽复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111205107A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010044290.5

    申请日:2020-01-15

    Abstract: 本发明涉及一种辐射屏蔽复合材料及其制备方法。其技术方案是:将气孔率为54.0~94.2vol%和常温耐压强度为304.8~456.2MPa的硼酸铝多孔陶瓷块置于氮化硼坩埚中,用含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂包埋,置于真空炉中,抽真空至1.33×10-2Pa以下,升温至1000~1300℃,保温30~90分钟;再依次以15~20℃/min速率降温至600~800℃和5~10℃/min速率降温至200~500℃,保温;冷却,切削和抛光处理,制得辐射屏蔽复合材料。所述含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂是将氧化硼、氧化铋、氧化磷、氧化硅、氧化铅、氧化钡、氧化锂和稀土金属氧化物混合,经熔融、水淬和破碎即得。本发明所制制品耐压强度高、屏蔽性能优异、耐水热腐蚀性好和耐辐照性能优良。

    一种硼酸铋陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113185278A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110434485.5

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本发明涉及一种硼酸铋陶瓷材料及其制备方法。其技术方案是:将硼酸和氧化铋混合,球磨,烘干,得到烘干球磨料Ⅰ;在250~300℃条件下保温,破碎,得到硼酸铋粉体。再将氧化镁、氧化铝和氧化钆混合,球磨,烘干,得到烘干球磨料Ⅱ;然后将烘干球磨料Ⅱ和烘干球磨料Ⅰ混合,球磨,烘干,制得硼酸铋陶瓷粉体。将硼酸铋陶瓷粉体机压成型,等静压处理,在空气气氛、常压和500~600℃条件下保温3~5小时,制得硼酸铋陶瓷材料。本发明工艺简单、生产周期短、成本低和环境友好,所制备的硼酸铋陶瓷材料中子与γ协同屏蔽性能优异和隔热性能良好。

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