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公开(公告)号：CN111205067A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010043549.4
申请日：2020-01-15
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/626 , C03C6/04 , C03C12/00 , C03C4/08 , G21F1/06
Abstract: 本发明公开一种中子及γ射线协同防护的玻璃-陶瓷材料及其制备方法。其技术方案是：将硼酸铝粉体球磨，干燥，破碎，得到硼酸铝前驱体。以30.0～40.0wt％的氧化硼、20.0～30.0wt％的氧化铋、5.0～10.0wt％的氧化磷、5.0～10.0wt％的氧化硅、10.0～15.0wt％的氧化钡和5.0～10.0wt％的氧化钆为原料，混合，于1400～1600℃条件下熔融，水淬，干燥，破碎，即得含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂。将硼酸铝前驱体、含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂和结合剂混合，机压成型，干燥，在1000～1500℃条件下保温60～300min，随炉冷却，制得中子及γ射线协同防护的玻璃-陶瓷材料。本发明所制制品耐压强度高、屏蔽性能优异、耐水热侵蚀能力强、耐辐照性能优良和热震稳定性好。
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公开(公告)号：CN111205067B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010043549.4
申请日：2020-01-15
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/626 , C03C6/04 , C03C12/00 , C03C4/08 , G21F1/06
Abstract: 本发明公开一种中子及γ射线协同防护的玻璃‑陶瓷材料及其制备方法。其技术方案是：将硼酸铝粉体球磨，干燥，破碎，得到硼酸铝前驱体。以30.0～40.0wt％的氧化硼、20.0～30.0wt％的氧化铋、5.0～10.0wt％的氧化磷、5.0～10.0wt％的氧化硅、10.0～15.0wt％的氧化钡和5.0～10.0wt％的氧化钆为原料，混合，于1400～1600℃条件下熔融，水淬，干燥，破碎，即得含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂。将硼酸铝前驱体、含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂和结合剂混合，机压成型，干燥，在1000～1500℃条件下保温60～300min，随炉冷却，制得中子及γ射线协同防护的玻璃‑陶瓷材料。本发明所制制品耐压强度高、屏蔽性能优异、耐水热侵蚀能力强、耐辐照性能优良和热震稳定性好。
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公开(公告)号：CN111205107A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010044290.5
申请日：2020-01-15
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明涉及一种辐射屏蔽复合材料及其制备方法。其技术方案是：将气孔率为54.0～94.2vol％和常温耐压强度为304.8～456.2MPa的硼酸铝多孔陶瓷块置于氮化硼坩埚中，用含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂包埋，置于真空炉中，抽真空至1.33×10-2Pa以下，升温至1000～1300℃，保温30～90分钟；再依次以15～20℃/min速率降温至600～800℃和5～10℃/min速率降温至200～500℃，保温；冷却，切削和抛光处理，制得辐射屏蔽复合材料。所述含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂是将氧化硼、氧化铋、氧化磷、氧化硅、氧化铅、氧化钡、氧化锂和稀土金属氧化物混合，经熔融、水淬和破碎即得。本发明所制制品耐压强度高、屏蔽性能优异、耐水热腐蚀性好和耐辐照性能优良。
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