公开(公告)号：CN119859775A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510083894.3

申请日：2025-01-17

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 许德明 ,  刘志祥 ,  鲍思前 ,  程远遥 ,  杨庚蔚

IPC: C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/60 ,  C22C33/06 ,  B22D11/06 ,  C21D1/26 ,  C21D1/74 ,  C21D6/00 ,  C21D8/12

Abstract: 一种高含P和S的高磁性能无取向硅钢极薄带，其组分及wt％为：P：0.16～1.38％，S：0.007％～0.21％，Si：2～5％，Al：0.001～0.03％，Mn：不超过0.02％；生产方法：熔炼在氩气压力下进行喷铸甩带；进行平整；在氩气保护气氛下进行退火；随炉冷却至室温后待用。本发明在保证无取向硅钢薄带的B50≥1.60T，Pt1.0/400≤17.43W/kg前提下，不仅能利用P和S元素对熔体黏度及流动性的改善可以获得表面质量更好、厚度更为均匀的无取向硅钢薄带，在后续以叠片、焊接及压片等方式制备铁芯的过程中有好的加工性。本发明由于省去了铁水预处理、RH精炼过程，无需通过热轧冷轧即可获得厚度极小的含高S、P的无取向硅钢极薄带，故耗时缩短不低于20％，随之使成本降低至少30％，且污染小、易操作。

公开(公告)号：CN116987842A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310981229.7

申请日：2023-08-04

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 鲍思前 ,  胡家瑞 ,  程远遥 ,  常佳琦 ,  刘晨 ,  许德明 ,  郭锐 ,  张建 ,  杨旭 ,  康筱龙

IPC: C21C7/04 ,  C21C7/064 ,  C21C7/06 ,  C22C38/02

Abstract: 一种用于无取向硅钢母合金熔体的净化剂，其原料组成及wt％：氧化钙45～55wt％、氧化硅25～35wt％、氧化铝15～18wt％，镧或铈或两者例混合物3～5wt％；制备方法：原料称量；先将称量的氧化钙、氧化硅、氧化铝混合后熔融；熔体经自然冷却后研磨成粉末；将称取的镧或铈或两者例混合物加入到粉末中；使用方法：对含硅2～4wt％的母合金熔化；加入所制得的净化剂；经充分反应后得到无取向硅钢母合金熔体；通过平面流铸制备成无取向硅钢极薄带并后工序处理。本发明净化剂的使用能使硅钢母合金中O、S、N等杂质大幅减少；同时，堵喷嘴的情况减少，工艺性变好，制备的无取向硅钢极薄带平整连续，表面质量良好，甩带成材率由现有的不超过60％提高到不低于85％。

公开(公告)号：CN119392105A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411518101.8

申请日：2024-10-29

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 许德明 ,  刘志祥 ,  鲍思前 ,  程远遥 ,  杨庚蔚

IPC: C22C38/02 ,  C22C38/60 ,  C22C33/06 ,  B22D11/06 ,  C21D1/74 ,  C21D8/12 ,  C21D1/30

Abstract: 一种基于平面流铸技术的高S含量无取向硅钢极薄带，其组分及wt％为：其组分及重量百分比含量为S：0.005～0.2％，Si：2.5～4.5％；制备方法：熔炼；浇注成锭；切割钢锭；高频加热；喷铸甩带至产品厚度；平整；退火处理；随炉冷却至室温，待用；本发明通过超快速凝固，减轻传统有害元素S对无取向硅钢薄带磁/力学性能的不利影响，显著降低硅钢熔炼过程的脱S成本，在保证无取向硅钢薄带的B50≥1.61T，Pt1.0/400≤12.88W/kg前提下，使生产工艺流程缩短不低于25％，成本降低至少35％，且具有易操作、污染小、效率高、成品质量良好。

公开(公告)号：CN117026081A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310982470.1

申请日：2023-08-04

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 鲍思前 ,  程远遥 ,  胡家瑞 ,  常佳琦 ,  刘晨 ,  许德明 ,  郭锐 ,  张建 ,  杨旭 ,  康筱龙

IPC: C22C38/02 ,  C22C33/04 ,  B22D11/06 ,  C21D8/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/26

Abstract: 一种含有元素铋无取向硅钢极薄带，其原料组成及wt％为，铋0.005～0.05wt％，硅2～4wt％，其余为铁及少量不可避免杂质；制备方法：以纯度、高纯硅和金属铋为原料经在1480～1650℃内熔融后浇铸成母合金铸锭；采用平面流铸制备无取向硅钢极薄带；平整；涂覆绝缘层并缠绕成卷，并在气体保护下退火。本发明在保证B50≥1.62T，P1T/400Hz≤10.27W/kg，厚度在0.03～0.16mm，宽度在1～15mm的无取向硅钢极薄下，还具有成分相对简单并由此使生产成本可降低至少10％。

公开(公告)号：CN119237681A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411299615.9

申请日：2024-09-18

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 鲍思前 ,  常佳琦 ,  常庆明 ,  刘晨 ,  程远遥 ,  胡家瑞 ,  许德明 ,  赵印 ,  刘妤欣

IPC: B22D11/06 ,  C23C18/36 ,  C23C18/18 ,  C23G1/20 ,  C23G1/10

Abstract: 一种用于平面流铸生产无取向硅钢极薄带的冷却辊，其由冷却铜辊组成，其在于在冷却铜辊的表面设有镀镍层，并控制镀镍层的厚度在30～60μm；制备方法：进行除油；酸洗；碱洗；化学镀镍；冲洗；烘干；备用。本发明在保证B50≥1.63T，P1T/400Hz≤10.21W/kg，厚度在0.02～0.16mm下，通过在冷却铜辊表面化学镀镍形成镀镍层，能比冷却铜辊的贴辊性提升10％，且使生产成本较目前相对降低25％，冷却铜辊表面不易氧化，所制备的无取向硅钢极薄带的合格率由目前的76％提高至不低于85％。

公开(公告)号：CN117000958A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310981198.5

申请日：2023-08-04

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 鲍思前 ,  程远遥 ,  刘晨 ,  胡家瑞 ,  常佳琦 ,  许德明 ,  郭锐 ,  杨旭 ,  康筱龙

IPC: B22D11/06 ,  C22C38/02 ,  C21D8/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/26

Abstract: 一种基于平面流铸制技术制备无取向硅钢极薄带的方法：以纯铁和高纯硅为原料，在1480～1650℃内熔融后浇铸成母合金铸锭；采用平面流铸制备无取向硅钢极薄带；进行平整；涂覆绝缘层并缠绕成卷，在气体保护下退火，经保温后随炉冷却至室温。本发明在保证B50>≥1.59T，P1T/400Hz≤12.88W/kg下，制备厚度在0.05～0.12mm，宽度在2～10mm的无取向硅钢极薄带，工艺相对简单、综合性能优良，且由于不添加其它元素而使生产成本可降低至少15％。