公开(公告)号：CN114326329A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210062320.4

申请日：2022-01-19

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 许爽 ,  肖再南 ,  唐青 ,  曹唯一 ,  陈志强 ,  李思萌 ,  林馨怡

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于残差网络的光刻掩模优化方法，通过光刻逆向优化过程对残差网络进行训练，优化残差网络参数，随后将初始掩模图形输入网络，并将优化结果输入正向光刻模型，得到晶圆曝光图像。本发明方法通过对残差网络进行逆向优化训练，减少掩模优化迭代次数，大幅度提升深度网络准确率，避免了网络层数增加产生的梯度消失的问题，实现了对光刻生成图像的畸变校正。

公开(公告)号：CN114326329B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202210062320.4

申请日：2022-01-19

Applicant: 武汉科技大学

Inventor： 许爽 ,  肖再南 ,  唐青 ,  曹唯一 ,  陈志强 ,  李思萌 ,  林馨怡

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于残差网络的光刻掩模优化方法，通过光刻逆向优化过程对残差网络进行训练，优化残差网络参数，随后将初始掩模图形输入网络，并将优化结果输入正向光刻模型，得到晶圆曝光图像。本发明方法通过对残差网络进行逆向优化训练，减少掩模优化迭代次数，大幅度提升深度网络准确率，避免了网络层数增加产生的梯度消失的问题，实现了对光刻生成图像的畸变校正。