-
公开(公告)号：CN112347527B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011236042.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明属于半导体制造的无图案硅片缺陷检测技术领域，公开了一种用于暗场缺陷检测的光罩掩模板图形设计方法，利用微粗糙度表面无颗粒散射模型计算表面无颗粒情况下的光散射信号；利用光滑表面颗粒散射模型计算表面有颗粒污染情况下的光散射信号；根据所得散射光强信号求取表面颗粒散射光与表面无颗粒散射光的信号对比度s；根据信号对比度s求取能用以分离颗粒散射光的透光区域；通过表面散射模型根据透光区域，设计适用的光罩掩模板图形，滤除无法区分颗粒散射信号的散射光。本发明优化了现有的暗场缺陷检测系统中收集散射光的方法，能有效地消除硅片表面由于自身粗糙度的存在在没有颗粒污染的情况下产生的少量的光散射信号。
-
公开(公告)号：CN112347527A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011236042.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明属于半导体制造的无图案硅片缺陷检测技术领域，公开了一种用于暗场缺陷检测的光罩掩模板图形设计方法，利用微粗糙度表面无颗粒散射模型计算表面无颗粒情况下的光散射信号；利用光滑表面颗粒散射模型计算表面有颗粒污染情况下的光散射信号；根据所得散射光强信号求取表面颗粒散射光与表面无颗粒散射光的信号对比度s；根据信号对比度s求取能用以分离颗粒散射光的透光区域；通过表面散射模型根据透光区域，设计适用的光罩掩模板图形，滤除无法区分颗粒散射信号的散射光。本发明优化了现有的暗场缺陷检测系统中收集散射光的方法，能有效地消除硅片表面由于自身粗糙度的存在在没有颗粒污染的情况下产生的少量的光散射信号。
-
公开(公告)号：CN110990754A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911165226.6
申请日：2019-11-25
Applicant: 武汉科技大学
IPC: G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种基于光散射的晶圆表面颗粒缺陷的散射场计算方法，首先利用平行光照射，与晶圆片上颗粒直接作用的入射光记为A，与晶圆片上光滑表面作用的入射光记为B；A与颗粒作用产生散射光，一部分向下散射继续与超光滑表面作用的散射光记为D，一部分向上散射被探测器收集到的散射光记为C；B与光滑表面作用产生的散射光，通过窗函数筛选出继续与颗粒作用的散射光记为E，未被中筛选出的散射光被探测器收集记为F；最后叠加得到的六种散射场来获得颗粒缺陷下的散射场。本发明解决了纳米级颗粒缺陷无法识别的问题，并且通过得到的颗粒缺陷产生的散射场信息，如偏振，光强等，提高了颗粒缺陷检测的识别率和芯片的良率。
-
公开(公告)号：CN110990754B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201911165226.6
申请日：2019-11-25
Applicant: 武汉科技大学
IPC: G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种基于光散射的晶圆表面颗粒缺陷的散射场计算方法，首先利用平行光照射，与晶圆片上颗粒直接作用的入射光记为A，与晶圆片上光滑表面作用的入射光记为B；A与颗粒作用产生散射光，一部分向下散射继续与超光滑表面作用的散射光记为D，一部分向上散射被探测器收集到的散射光记为C；B与光滑表面作用产生的散射光，通过窗函数筛选出继续与颗粒作用的散射光记为E，未被中筛选出的散射光被探测器收集记为F；最后叠加得到的六种散射场来获得颗粒缺陷下的散射场。本发明解决了纳米级颗粒缺陷无法识别的问题，并且通过得到的颗粒缺陷产生的散射场信息，如偏振，光强等，提高了颗粒缺陷检测的识别率和芯片的良率。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
