一种无机柔性光电子器件结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN110323312B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201910530501.3

    申请日:2019-06-19

    Abstract: 本发明公开了一种无机柔性光电子器件结构及其制备方法,该无机柔性光电子器件结构从下至上依次为有机物下保护层、硅薄膜层、图形化金属掺杂薄膜层、石墨烯层、氮化镓微柱阵列、二氧化硅保护层、金属铝反射层、光固化有机材料、金属掺杂薄膜层、有机物上保护层。同时本发明提供了一种无机柔性光电子器件的制备方法,可以实现低成本高效率的制备本发明所提出的无机柔性光电子器件。本发明所提出的无机柔性光电子器件解决了绝大多数基于有机物的柔性光电子器件光电效率较低、工作寿命较短以及在紫外线照射下性能退化等问题,同时避免了无机刚性电子器件脆性大、不能折叠的缺陷,具有极大的应用价值。

    一种纳米合金薄膜透明电极制备方法及装置

    公开(公告)号:CN108933184A

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201810782602.5

    申请日:2018-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种纳米合金薄膜透明电极制备方法及装置,该装置中包括用于金属薄膜沉积生长的反应腔体,反应腔体内设置有感应加热器、金属蒸发源和托盘,托盘上放置有用于电极制备的芯片基板,托盘通过步进电机带动旋转杆进行旋转,反应腔体上设置有氮气入口,真空泵接口,所述装置的工作过程由控制系统进行控制。本发明纳米合金薄膜透明电极制备工艺及装置用于制备纳米银基合金透明电极材料,其表面平整度高、透光率高、电阻低并且制备成本低。

    一种无机柔性光电子器件结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN110323312A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910530501.3

    申请日:2019-06-19

    Abstract: 本发明公开了一种无机柔性光电子器件结构及其制备方法,该无机柔性光电子器件结构从下至上依次为有机物下保护层、硅薄膜层、图形化金属掺杂薄膜层、石墨烯层、氮化镓微柱阵列、二氧化硅保护层、金属铝反射层、光固化有机材料、金属掺杂薄膜层、有机物上保护层。同时本发明提供了一种无机柔性光电子器件的制备方法,可以实现低成本高效率的制备本发明所提出的无机柔性光电子器件。本发明所提出的无机柔性光电子器件解决了绝大多数基于有机物的柔性光电子器件光电效率较低、工作寿命较短以及在紫外线照射下性能退化等问题,同时避免了无机刚性电子器件脆性大、不能折叠的缺陷,具有极大的应用价值。

    一种纳米合金薄膜透明电极制备方法及装置

    公开(公告)号:CN108933184B

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201810782602.5

    申请日:2018-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种纳米合金薄膜透明电极制备方法及装置,该装置中包括用于金属薄膜沉积生长的反应腔体,反应腔体内设置有感应加热器、金属蒸发源和托盘,托盘上放置有用于电极制备的芯片基板,托盘通过步进电机带动旋转杆进行旋转,反应腔体上设置有氮气入口,真空泵接口,所述装置的工作过程由控制系统进行控制。本发明纳米合金薄膜透明电极制备工艺及装置用于制备纳米银基合金透明电极材料,其表面平整度高、透光率高、电阻低并且制备成本低。

    一种多色LED阵列外延工艺方法及装置

    公开(公告)号:CN109004070B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201810548246.0

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种多色LED阵列外延工艺方法及装置,装置中包括用于多色LED阵列外延生长的反应腔体以及若干飞秒激光源,反应腔内设有载片托盘,载片托盘上放置有用于LED制备的外延衬底,反应腔体上设置有光通道窗口,光通道窗口上安装有扫描滑动装置,安装在扫描滑动装置上的飞秒激光探头通过光通道窗口照射在外延衬底上。本发明多色LED阵列外延工艺方法及装置用于解决基于荧光粉的白光LED在显色性、工作频率以及色温实时变化等方面的不足,以及拼接三基色LED所带来的高成本和低可靠性问题。实现多色LED的高效率和低成本制备。

    一种多色LED阵列外延工艺方法及装置

    公开(公告)号:CN109004070A

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201810548246.0

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种多色LED阵列外延工艺方法及装置,装置中包括用于多色LED阵列外延生长的反应腔体以及若干飞秒激光源,反应腔内设有载片托盘,载片托盘上放置有用于LED制备的外延衬底,反应腔体上设置有光通道窗口,光通道窗口上安装有扫描滑动装置,安装在扫描滑动装置上的飞秒激光探头通过光通道窗口照射在外延衬底上。本发明多色LED阵列外延工艺方法及装置用于解决基于荧光粉的白光LED在显色性、工作频率以及色温实时变化等方面的不足,以及拼接三基色LED所带来的高成本和低可靠性问题。实现多色LED的高效率和低成本制备。

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