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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118772352A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410741713.7
申请日：2024-06-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C08F293/00 , A61L27/54
Abstract: 本发明涉及一种活性氧级联响应缓释一氧化氮的供体及基于其的神经修复导管，所述活性氧级联响应缓释一氧化氮的供体，其结构式如下：#imgabs0#其中m＝5～30，n＝14～238；本发明提供的活性氧级联响应缓释一氧化氮的一氧化氮供体可在活性氧级联响应下释放一氧化氮，清除局部过剩活性氧，并随着活性氧浓度的降低而减少一氧化氮的释放，能够实现一氧化氮的按需释放，大大改善神经再生免疫微环境，促进损伤神经的结构和功能恢复。
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公开(公告)号：CN115120777B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110504965.4
申请日：2021-05-10
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种活性氧响应释放硫化氢神经导管的制备方法，所述导管包括纤维导管，所述纤维导管的内部填充有温敏性聚氨基酸水凝胶，所述温敏性聚氨基酸水凝胶的内部负载有聚氨基酸纳米胶束，所述聚氨基酸纳米胶束上负载有活性氧响应硫化氢供体，所述活性氧响应硫化氢供体包括芳基硼酸酯官能化过氧硫代氨基甲酸酯及其衍生物。本发明提出利用周围神经损伤过度产生的活性氧环境激活神经导管中负载的硫化氢供体，在清除活性氧的同时实现硫化氢响应释放，再基于硫化氢抗炎、抗氧化和调节巨噬细胞极化作用抑制活性氧和炎症因子的表达，并进一步反馈调节避免了硫化氢的过度产生，达到按需给药的目的，为损伤神经创造了良好的再生微环境。
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公开(公告)号：CN115120777A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110504965.4
申请日：2021-05-10
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种活性氧响应释放硫化氢神经导管的制备方法，所述导管包括纤维导管，所述纤维导管的内部填充有温敏性聚氨基酸水凝胶，所述温敏性聚氨基酸水凝胶的内部负载有聚氨基酸纳米胶束，所述聚氨基酸纳米胶束上负载有活性氧响应硫化氢供体，所述活性氧响应硫化氢供体包括芳基硼酸酯官能化过氧硫代氨基甲酸酯及其衍生物。本发明提出利用周围神经损伤过度产生的活性氧环境激活神经导管中负载的硫化氢供体，在清除活性氧的同时实现硫化氢响应释放，再基于硫化氢抗炎、抗氧化和调节巨噬细胞极化作用抑制活性氧和炎症因子的表达，并进一步反馈调节避免了硫化氢的过度产生，达到按需给药的目的，为损伤神经创造了良好的再生微环境。
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公开(公告)号：CN108933184A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810782602.5
申请日：2018-07-17
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米合金薄膜透明电极制备方法及装置，该装置中包括用于金属薄膜沉积生长的反应腔体，反应腔体内设置有感应加热器、金属蒸发源和托盘，托盘上放置有用于电极制备的芯片基板，托盘通过步进电机带动旋转杆进行旋转，反应腔体上设置有氮气入口，真空泵接口，所述装置的工作过程由控制系统进行控制。本发明纳米合金薄膜透明电极制备工艺及装置用于制备纳米银基合金透明电极材料，其表面平整度高、透光率高、电阻低并且制备成本低。
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公开(公告)号：CN108933184B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810782602.5
申请日：2018-07-17
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米合金薄膜透明电极制备方法及装置，该装置中包括用于金属薄膜沉积生长的反应腔体，反应腔体内设置有感应加热器、金属蒸发源和托盘，托盘上放置有用于电极制备的芯片基板，托盘通过步进电机带动旋转杆进行旋转，反应腔体上设置有氮气入口，真空泵接口，所述装置的工作过程由控制系统进行控制。本发明纳米合金薄膜透明电极制备工艺及装置用于制备纳米银基合金透明电极材料，其表面平整度高、透光率高、电阻低并且制备成本低。
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