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公开(公告)号：CN101413132B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810197672.0
申请日：2008-11-17
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法，包括有以下步骤：1)在芯片材料上制备钛膜，然后利用含有碳源的等离子体将该钛膜碳化，制得碳化钛膜；或直接制备碳化钛膜；2)采用磁控溅射法或直流溅射法或蒸发镀法，在碳化钛膜表面制备一层金膜，然后在金膜表面涂覆一层光刻胶，利用制得好的图形屏蔽光照、显影，利用金腐蚀液去除无光刻胶处的金膜，所需电极位置的碳化钛膜被金膜覆盖，其它部位的碳化钛膜裸露；3)利用氧等离子体处理样品，将裸露的碳化钛膜氧化为二氧化钛膜，去除剩下的金膜，即得。本发明与现有技术相比具有以下优点：制备的埋层式碳化钛电极不会给芯片的封装带来不便，且强度高，导电性能好，性能稳定。
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公开(公告)号：CN101413132A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810197672.0
申请日：2008-11-17
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法，包括有以下步骤：1)在芯片材料上制备钛膜，然后利用含有碳源的等离子体将该钛膜碳化，制得碳化钛膜；或直接制备碳化钛膜；2)采用磁控溅射法或直流溅射法或蒸发镀法，在碳化钛膜表面制备一层金膜，然后在金膜表面涂覆一层光刻胶，利用制得好的图形屏蔽光照、显影，利用金腐蚀液去除无光刻胶处的金膜，所需电极位置的碳化钛膜被金膜覆盖，其它部位的碳化钛膜裸露；3)利用氧等离子体处理样品，将裸露的碳化钛膜氧化为二氧化钛膜，去除剩下的金膜，即得。本发明与现有技术相比具有以下优点：制备的埋层式碳化钛电极不会给芯片的封装带来不便，且强度高，导电性能好，性能稳定。
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公开(公告)号：CN101386407A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810197357.8
申请日：2008-10-23
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米碳管/碳(氮)化钛复合粉体的制备方法，将钛铁矿精矿粉磨后，放入微波烧结炉中，通入氢气以及碳源气体，进行钛铁矿还原处理，钛铁矿还原获得的铁催化形成纳米碳管，钛氧化物被还原碳化为碳化钛，或者将钛铁矿精矿粉磨后，放入微波烧结炉中，通入氢气、氮气以及碳源气体，进行钛铁矿还原处理，钛铁矿还原获得的铁催化形成纳米碳管，钛氧化物被还原碳化为碳氮化钛。本发明所获得的纳米碳管/碳(氮)化钛复合粉体的主要特点是：1)纳米碳管/碳(氮)化钛二者分散均匀；2)原料丰富、价格低廉，能综合利用原料中的钛铁两种组分、对环境无污染。
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