公开(公告)号：CN116401981A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310328365.6

申请日：2023-03-27

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘胜 ,  籍超越 ,  王诗兆 ,  东芳 ,  郭宇铮 ,  蔡新添

IPC: G06F30/3308 ,  G06F30/337 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响的评价方法，包括以下步骤：S1：测试后道工艺介质材料的孔隙率、孔径及孔隙分布；S2：在微观尺度上，建立介质材料的分子模型，计算孔隙相关的电学、结构、力学、热学参量；S3：在宏观尺度上，进行电‑热‑固多物理场耦合的有限元仿真计算，模拟后道工序互连工艺过程电场、温度场、应力和变形场、宏观孔洞的形成与演化；S4：基于多尺度模拟仿真结果，分析孔隙对电、结构、热、力学性能和制造工艺过程的影响。本发明通过多尺度多物理场耦合仿真，建立介质材料‑孔隙‑工艺‑性能的量化关系，以评价集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响，指导介质材料及结构的设计。

公开(公告)号：CN116384099A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310328609.0

申请日：2023-03-27

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘胜 ,  籍超越 ,  王诗兆 ,  郭宇铮 ,  周振

IPC: G06F30/20 ,  G06F113/26 ,  G06F119/02 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种Cu互连中介质材料的分子动力学仿真方法。根据分子动力学理论，使用熔化‑冷却法建立互连介质材料SiCOH分子动力学模型，利用结构及介电性能验证模型的可行性，在此基础上计算电、热、力学性能及与相邻互连结构的断裂力学性能，得到互连介质材料的最优性能组合，结果反馈调节以指导材料设计。本发明通过分子动力学仿真，建立电介质材料SiCOH性能的仿真模型，得到针对封装结构及产品的最优性能的参数组合，减少试验及生产试错成本，从而指导设计高性能、高可靠性的超大规模集成电路后道工艺互连材料及结构。

公开(公告)号：CN116377569A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310249427.4

申请日：2023-03-15

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘胜 ,  籍超越 ,  东芳 ,  汪启军 ,  周振

IPC: C30B23/02 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54

Abstract: 本申请公开了具有多种在线原位监测功能的脉冲激光沉积装备。该脉冲激光沉积装备包括PLD装置，以及装配在PLD装置上并对PLD装置所针对外延薄膜实施对应性能测试的光谱仪、X射线衍射仪、差分式反射式高能电子衍射仪、质谱仪和翘曲测量仪。脉冲激光沉积装备，将光谱仪、X射线衍射仪、差分式反射式高能电子衍射仪、质谱仪和翘曲测量仪等集成于PLD装置中，以达到在线/原位监测外延薄膜表面形貌、结构、温度、膜厚、应力、缺陷、翘曲等参数的目的，并建立数据库，使用人工智能方法对优化工艺参数、提高良率。