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公开(公告)号：CN114242582B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202111444829.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺，其结构包括腔体晶圆、键合晶圆和芯片；该间接式等离子体大腔体刻蚀的结构制备工艺包括前处理工艺、等离子体深硅刻蚀工艺以及键合工艺。本发明完美解决了深硅刻蚀过程中单腔体刻蚀时间长，刻蚀形成的腔体底面粗糙度大的技术问题；提出的间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺易于实现自动化操作，工艺稳定，适合具有高深宽比的多腔体刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景。
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公开(公告)号：CN119510488A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411525392.3
申请日：2024-10-30
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种考虑界面粗糙度分布的接触热阻测量方法，属于薄膜沉积技术领域。方法包括获取下层薄膜上表面的形貌结构数据，并根据下层薄膜上表面的形貌结构数据构建下层薄膜表面分布函数；上层薄膜沉积后，获取上层薄膜上表面的形貌结构数据，并根据上层薄膜上表面的形貌结构数据构建上层薄膜表面分布函数；基于下层薄膜表面分布函数和上层薄膜表面分布函数计算初始空洞占比；按设定角度沿中轴线旋转上层薄膜三维图，计算每次旋转后的空洞占比；根据初始空洞占比和每次旋转后的空洞占比，构建不同空洞占比的有限元模型，并测量不同空洞占比下的接触热阻。本发明考虑了界面粗糙度分布对接触热阻的影响，得到不同空洞占比下的接触热阻。
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公开(公告)号：CN117860975B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410011137.0
申请日：2024-01-04
Applicant: 武汉大学
IPC: A61L31/06 , A61B5/268 , A61B5/293 , A61B5/383 , A61B5/37 , A61B5/294 , A61B5/388 , A61B5/00 , A61N1/05 , A61N1/36 , A61L31/04 , A61L31/02 , A61L31/14
Abstract: 本发明提供一种聚乙二醇‑聚对二甲苯柔性神经探针，涉及神经探针技术领域，所述柔性神经探针包括主体和针体，所述主体采用硅，所述针体采用聚对二甲苯，所述针体内部设有一微流通道，所述微流通道中填充有聚乙二醇。本发明通过从探针顶部的微流控制口向微流通道内填充杨氏模量随温度变化的聚乙二醇(PEG)材料，室温时热化PEG填充微流通道，在冷却后PEG在通道中凝固作为柔性针体的中轴，使针体具有一定的机械刚度，便于植入。
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公开(公告)号：CN117814814B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410011439.8
申请日：2024-01-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提出了一种外导光纤硅神经探针，包括探针主体、传感电极和光栅耦合器，所述传感电极和光栅耦合器均集成于探针主体上，所述探针主体内设有光纤通道，所述光栅耦合器与所述光纤通道连接，用于折射外导光纤的光，并对细胞进行光遗传刺激；所述传感电极位于所述光栅耦合器两侧，用于检测经过光遗传刺激后的细胞所产生的电位变化。通过设置外导光纤维与神经探针的结合，有利于在生物体内实现微创光刺激，多点位光栅耦合器可通过对外导光纤维的光进行折射实现对细胞群的多点位刺激，降低多根光纤维的植入造成的生物损伤。
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公开(公告)号：CN117840016B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410011343.1
申请日：2024-01-04
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种基于阵列式压电微机械超声换能器的神经探针，涉及神经探针技术领域，包括探针主体(11)和压电微机械超声换能器(12)，所述探针主体包括硅基底(13)，所述压电微机械超声换能器(12)阵列式排布于所述探针主体(11)的正面和反面，其中，正面的压电微机械超声换能器(121)和反面的压电微机械超声换能器(122)之间电路互通。本发明通过MEMS技术来实现微超声器件分布于神经探针硅岛的正反两面及其阵列式排布，从而达成神经探针能更精切、高效的发射和接收超声刺激信号的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316837A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311615234.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , G06F30/20 , G06F17/18 , G06F17/11 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出了晶圆混合键合工艺的真空互联设备及数字孪生系统，包括第一真空腔，其内设置若干第一腔室；第二真空腔，其真空度高于第一真空腔且其内设置若干第二腔室；缓冲腔，连通在第一真空腔与第二真空腔之间；转运设备，设置在真空互联设备内并将晶圆及芯粒在各腔室之间进行转运；第一腔室及第二腔室内按照晶圆混合键合工艺各工序顺序依次安装有对应工序的设备仪器；提供了用于混合键合工艺的真空互联环境，将混合键合各工序所需设备整合，通过自动化的转运设备对晶圆进行转移及调控，并根据不同工艺所需加工时间不同对晶圆加工；还能同时进行晶圆与晶圆以及晶圆与芯粒的混合键合，提高混合键合效率并提升产品的适用性。
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公开(公告)号：CN116538905A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310425752.1
申请日：2023-04-19
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了基于双层柔性应变传感器的层合板健康状况的检测方法。本检测方法通过在被测层合板上下表面安装柔性应变传感器用于检测上下层的应变大小，得到拉伸应变与弯曲曲率的大小。根据本发明提出的受力状态判定准则分析外界载荷的方向，根据经典层合板理论公式可以获得外界作用载荷的大小，从而实现对外界载荷大小及方向的检测能力。根据计算的层合板结构各测量点的曲率，结合曲率分布函数得到所有位置的目标曲率、目标应变。通过损伤准则并由目标曲率、目标应变判断所有位置的损伤状况，以得出层合板的健康状态。本发明提出的方法结构简单，制备成本较低，数据处理简单，适用于智能蒙皮以及智能夹层结构。
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公开(公告)号：CN115295398A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210802002.7
申请日：2022-07-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种提高碳化硅外延片晶体质量的方法，首先选择碳化硅衬底，利用图形产生技术，在衬底表面制作图形化结构，之后在衬底表面镀金属镍掩膜层，利用图形转移技术，对衬底进行刻蚀，获得图形化碳化硅衬底，最后采用CVD外延方法制备碳化硅外延层。本发明通过制备图形化衬底，有效提高了碳化硅外延片的晶体质量。
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公开(公告)号：CN114927500B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210846548.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L23/538 , H01L23/49 , H01L25/18 , H01L21/768 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种基于分布式的双扇出型异构集成三维封装结构及工艺。该结构及工艺主要包括：第一芯粒、第二芯粒制作金属凸块后贴装于第一临时载板上并进行模塑料填充；把芯粒倒装后进行模塑料通孔刻蚀、TMV填充并制作第一再布线层形成第一封装体；将第一封装体与第三芯粒贴装在第二临时载板上；之后进行模塑料填充、减薄；进行二次塑封层打孔、TMV填充、植球、存储芯粒的堆叠并制作第二再布线层形成第二封装体；最后植球实现三维堆叠。该结构基于分布式的双扇出型异构集成技术实现了不同种类异质芯片的三维堆叠，有效提高了封装集成度，同时有效减少了互连距离，在电性能及信号传输方面具有很大的优势。
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