一种耐高温压电薄膜传感器结构及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119698226A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202510045319.4

    申请日:2025-01-13

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明公开了一种耐高温压电薄膜传感器结构及其制备方法和应用,所述传感器结构由下至上包括衬底、压电层、保护层和电极层,所述保护层的材质为高熵合金氧化物;在衬底与压电层之间设置有第一防扩散阻挡层,和/或,压电层与保护层之间还设置有第二防扩散阻挡层;所述第一防扩散阻挡层和第二防扩散阻挡层的材质为高熵合金。本发明的耐高温压电薄膜传感器结构采用了高熵合金构成的防扩散阻挡层,不含氧原子,可以很好阻止压电层中轻量元素轻量元素的扩散和氧化速度;高熵合金氧化物构成的保护层,显著提升了传感器结构的电阻不仅可以防止高电压测试过程中压电层被击穿,提高传感器结构的工作稳定性,还可以提高传感器高温稳定性。

Patent Agency Ranking