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公开(公告)号：CN113611782B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110852217.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED及其制备方法，其包括：并列设置的p型层与n型层；以及钙钛矿层，其敷设于所述p型层表面，且所述钙钛矿层位于所述p型层与所述n型层之间，同时，所述钙钛矿层与所述n型层之间还夹设有电子空穴阻挡层，所述电子空穴阻挡层阻止电子和空穴在所述p型层中复合，且阻止电子和空穴在所述n型层中复合。本发明涉及的一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED及其制备方法，钙钛矿层不会直接与空气接触，使得钙钛矿层能够得到有效的保护，同时，使得n型层中的电子和p型层中的空穴完全进入到钙钛矿层中进行复合发光，钙钛矿层可以发出纯绿光，从而制备出高效的绿光LED器件。
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公开(公告)号：CN109264664B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811051213.1
申请日：2018-09-10
Applicant: 武汉大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种Al2O3空心球壳阵列的制备方法，包括：(1)采用原子层沉积法在球模板或球阵列模板上沉积Al2O3薄膜；所述球模板为聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球粉末；所述球阵列模板为附着于衬底上的单层或多层聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球阵列；(2)对沉积了Al2O3薄膜的球模板或球阵列模板进行退火，或将沉积了Al2O3薄膜的球模板或球阵列模板放入有机溶剂中浸泡，去除球模板或球阵列模板，获得Al2O3空心球壳阵列。本发明具有重复性高、周期短、可大批量生产等优势；同时，本发明制备的Al2O3空心球壳阵列具有球壳厚度可精确控制、最大孔隙率可达95％以上等优势。
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公开(公告)号：CN109735886A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910136820.6
申请日：2019-02-25
Applicant: 武汉大学
IPC: C25D11/04 , C23C26/00 , C23F1/20 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , G02B1/118
Abstract: 本发明提供一种基于阳极氧化铝模板的宽谱减反膜及其制备方法，能够实现宽谱范围内高效率的减反。本发明所涉及的制备方法，其特征在于，包括：步骤1.通过电化学氧化方式对经氧化铝片后得到的AAO模板进一步深度氧化扩孔，使AAO模板上形成多个聚集体单元，每个聚集体单元均为多孔结构，得到具有聚集体单元的AAO模板；步骤2.通过旋涂方式在具有聚集体单元的AAO模板上形成一层保护膜；步骤3.腐蚀去除背部的铝基底，得到自独立的AAO模板；步骤4.将自独立的AAO模板转移到衬底上，用溶剂去除保护膜，得到形成有多个团簇状聚集单元的AAO模板；步骤5.在具有团簇聚集单元的AAO模板上沉积纳米颗粒，得到宽谱减反膜。
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公开(公告)号：CN101335200B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810048681.3
申请日：2008-08-01
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种AlN薄膜的制备方法，其独到之处在于：1.1在外延薄膜生长室中，以Al2O3、SiC或Si为衬底，于800～850℃温度下对衬底进行氮化10～30分钟；1.2.在500～765℃下生长10～20nm的AlN缓冲层；1.3.在大于780℃的环境下生长AlN外延层；1.4.在生长AlN外延层的过程中，每生长100～500nm的AlN外延层，就在500～765℃下生长一层10～20nm的AlN插入层，并采用生长中断方法，中断AlN生长0.5～3分钟，然后继续在大于780℃的环境下生长AlN外延层，如此循环往复直至得到需要的层数。本发明的优点在于：可以获得具有镜面光滑无裂纹表面的AlN膜，并达到高分辨X射线衍射(002)面摇摆曲线的半高宽≤255arcsec，(105)面摇摆曲线的半高宽≤290arcsec，刃位错密度低于5×108cm-2，4μm×4μm范围内表面平整度≤0.29nm的性能参数。
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公开(公告)号：CN113506831A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110687353.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/34
Abstract: 本申请涉及短沟道ZnO薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：在真空、惰性气体保护条件下，于第一温度下，在导电衬底上依次沉积栅绝缘层和ZnO沟道层；对所述ZnO沟道层进行光刻，以形成ZnO沟道结构，得到第一结构；对第一结构进行光刻，并依次蒸镀金属附着层和金属覆盖层，以形成源漏双层电极，得到短沟道ZnO薄膜晶体管，所述短沟道ZnO薄膜晶体管的沟道长度L为2nm～3μm。本申请制造出来的ZnO薄膜晶体管具有短沟道，从而降低了ZnO薄膜晶体管的尺寸，同时具备高性能，可以用于驱动Micro‑LED。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109904068B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910123976.0
申请日：2019-02-19
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供一种红外吸收掺杂硅及其制备方法。本发明所涉及的制备方法，其特征在于，包括：步骤1.采用TRIM程序模拟不同种类离子注入硅片的离子分布，模拟的离子种类选自能B+、P+、As+、Si+，或/及Ar+、He+、H+、Kr+、Xe+；模拟过程中能量设定为10～1000keV，模拟的剂量为1014～1018ions/cm2；模拟的目标为：注入硅片后离子分布能从硅表面到达硅体内，深度分布在2nm～1000nm之间，并且掺杂离子后硅片的透过率为0；步骤2.将单晶硅片进行超声清洗，再用气枪吹干；步骤3.基于模拟结果，对单晶硅片进行离子注入；步骤4.进行热退火，得到红外吸收掺杂硅。
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公开(公告)号：CN110416376A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910550394.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种能直接发射白光的半导体异质结发光芯片，采用n型ZnO作为n型层，p型GaN材料作为p型层，在两者之间选择了合适的材料作为穿通阻挡层对异质结能带进行调控，使异质结能够同时发出同等强度的黄、绿光和蓝光，同时通过调控n型ZnO材料中的对应带边发光的紫光、氧空位的蓝绿光还有对应锌氧间隙位的橙光的强度，组合实现单一半导体异质结芯片直接发射白光，器件的显色指数高达91，色温5000-10000K连续可调。这种器件结构简单，制造工艺也相对简单，且不需要荧光粉材料，同时创造性地引入可调控的穿通阻挡层后，在宽禁带半导体异质结上以非缺陷方式实现了直接白光发射，属于首创发明，具有较大应用前景。
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公开(公告)号：CN109545553A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811288286.2
申请日：2018-10-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法，具体步骤为：(1)在塑料柔性衬底上转移PS球；(2)利用反应离子束刻蚀技术将步骤(1)中获得的PS球模板进行缩球处理；(3)用热蒸发工艺将金属沉积到步骤(2)中PS球模板上；(4)将步骤(3)中PS球模板去掉，留下金属纳米网，作为透明柔性电容器的底电极；(5)在步骤(4)中制备的金属纳米网状电极上生长高K介质材料作为介质层；(6)重复上述步骤(1-4)，再将金属纳米网制备在介质层上作为电容器的顶电极；(7)对顶电极进行光刻，湿法刻蚀，得到透明柔性电容器器件。利用本发明方法制备的电容器，在柔性和透光度上均有良好的表现，可用于透明柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN109188578A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811119513.9
申请日：2018-09-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体材料的红外宽光谱光吸收器，采用如下方法制备获得：(1)对衬底进行超声清洗，用氧等离子体处理超声清洗后的衬底；(2)在衬底上制备或转移单层或多层的Al2O3空心球壳阵列；(3)在Al2O3空心球壳阵列上沉积半导体颗粒或半导体薄膜；(4)对沉积的半导体颗粒或半导体薄膜进行退火，即获得红外宽光谱光吸收器。本发明红外宽光谱光吸收器结构灵活，可以通过改变空心球壳阵列的层数、尺寸、周期和球壳厚度，来改变红外宽光谱光吸收器结构，从而可在很宽的波长范围内满足减小反射的需求，适用性广。
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