公开(公告)号：CN110957205A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201811132908.2

申请日：2018-09-27

Applicant: 武汉大学苏州研究院

Inventor： 吴昊 ,  苏曦 ,  刘昌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明提供了一种p型GaN上的欧姆接触透明电极材料的制备方法。该方法是采用高分子辅助沉积方法生长Al掺杂ZnO薄膜，再采用退火处理，得到需要的AZO电极层薄膜。这种电极层薄膜生长方法简单，成本较低，可以大面积生长，可以与p型GaN形成很好的欧姆接触，具有电阻率小，透光性高的优点。

公开(公告)号：CN110952072A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201811134184.5

申请日：2018-09-27

Applicant: 武汉大学苏州研究院

Inventor： 吴昊 ,  郑美娟 ,  刘昌

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种ZnO薄膜紫外探测器件的制备方法，该方法是采用原子层沉积法生长ZnO薄膜，再采用快速热退火处理，得到需要的ZnO薄膜，最后蒸镀电极形成紫外探测器件。这种紫外探测器件可以大面积生长，均匀性好，具有很小的暗电流，大的光暗电流比，响应时间短，响应度高的优点。

公开(公告)号：CN110957205B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201811132908.2

申请日：2018-09-27

Applicant: 武汉大学苏州研究院

Inventor： 吴昊 ,  苏曦 ,  刘昌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明提供了一种p型GaN上的欧姆接触透明电极材料的制备方法。该方法是采用高分子辅助沉积方法生长Al掺杂ZnO薄膜，再采用退火处理，得到需要的AZO电极层薄膜。这种电极层薄膜生长方法简单，成本较低，可以大面积生长，可以与p型GaN形成很好的欧姆接触，具有电阻率小，透光性高的优点。