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公开(公告)号：CN103238224A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180058228.0
申请日：2011-11-23
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层（8）施加到半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，其中施加方法选自：沉降、电泳。此外，在半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方施加第二波长转换层（4），其中第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片以及一种发射辐射的器件。
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公开(公告)号：CN101675535B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200880010481.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/44 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2933/0091 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 提出了一种光电子器件，其发射有用辐射。该器件包括：壳体，该壳体具有带有壳体腔的壳体基本体；以及设置在壳体腔中的发光二极管芯片。壳体基本体的至少一种基本体材料被有目的地掺以吸收辐射的颗粒以降低其反射性。根据该器件的一个实施形式，壳体附加地或者可替代地具有对于有用辐射可透射的材料，其被有目的地掺以吸收辐射的颗粒用于降低其反射性。此外提出了一种用于制造这种器件的方法。
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公开(公告)号：CN101675535A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880010481.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/44 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2933/0091 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 提出了一种光电子器件，其发射有用辐射。该器件包括：壳体，该壳体具有带有壳体腔的壳体基本体；以及设置在壳体腔中的发光二极管芯片。壳体基本体的至少一种基本体材料被有目的地掺以吸收辐射的颗粒以降低其反射性。根据该器件的一个实施形式，壳体附加地或者可替代地具有对于有用辐射可透射的材料，其被有目的地掺以吸收辐射的颗粒用于降低其反射性。此外提出了一种用于制造这种器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103238224B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180058228.0
申请日：2011-11-23
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层（8）施加到半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，其中施加方法选自：沉降、电泳。此外，在半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方施加第二波长转换层（4），其中第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片以及一种发射辐射的器件。
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公开(公告)号：CN101933145B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200980103851.6
申请日：2009-01-26
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H04N9/3164 , F21K9/00 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提出了一种光电子模块(11)用于发射可见波长范围中的单色辐射。该模块(11)具有：多个发光二极管芯片(1)，其产生UV辐射。UV辐射被波长转换器(2)转换为可见范围中的光，例如转换为绿色光。通过使用两个选择性地反射和透射的滤光器(3，4)，优化了模块(11)的光耦合输出。该模块(11)可以用作投影装置(12)中的光源。
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公开(公告)号：CN103262270B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180059950.6
申请日：2011-12-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 基尔斯廷·彼得森
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/02 , C09K11/08 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施形式描述了一种用于在具有工作时发射初级辐射的半导体元件（10）的衬底（1）上制造发光转换材料层（20）的方法，所述方法包括以下方法步骤：（a）提供衬底（1）；（b）提供包括发光转换材料（25）、基体材料和溶剂的组合物（21）；（c）将组合物（21）施加到衬底（1）上；（d）移除溶剂的至少一部分，使得在衬底（1）上构成发光转换材料层（20）。
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公开(公告)号：CN103262270A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059950.6
申请日：2011-12-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 基尔斯廷·彼得森
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/02 , C09K11/08 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施形式描述了一种用于在具有工作时发射初级辐射的半导体元件（10）的衬底（1）上制造发光转换材料层（20）的方法，所述方法包括以下方法步骤：（a）提供衬底（1）；（b）提供包括发光转换材料（25）、基体材料和溶剂的组合物（21）；（c）将组合物（21）施加到衬底（1）上；（d）移除溶剂的至少一部分，使得在衬底（1）上构成发光转换材料层（20）。
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公开(公告)号：CN101933145A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103851.6
申请日：2009-01-26
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H04N9/3164 , F21K9/00 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提出了一种光电子模块(11)用于发射可见波长范围中的单色辐射。该模块(11)具有：多个发光二极管芯片(1)，其产生UV辐射。UV辐射被波长转换器(2)转换为可见范围中的光，例如转换为绿色光。通过使用两个选择性地反射和透射的滤光器(3，4)，优化了模块(11)的光耦合输出。该模块(11)可以用作投影装置(12)中的光源。
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