公开(公告)号：CN101743626B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200880022217.5

申请日：2008-06-26

Applicant: 桑迪士克公司

Inventor： 史蒂文·J·雷迪根 ,  迈克尔·W·科恩韦基

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/82 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L27/1021 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/8615 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造3-D单片存储装置的方法。非晶碳上的氮氧化硅(SixOyNz)用作有效的、容易去除的、对硅、氧化物和钨具有高选择性的硬掩模。氮氧化硅层使用光致抗蚀剂蚀刻，所得经蚀刻的SixOyNz层用于蚀刻非晶碳层。硅、氧化物和/或钨层使用非晶碳层蚀刻。在一个实施中，3-D单片存储装置的导电轨通过使用图案化的非晶碳层作为硬掩模蚀刻诸如二氧化硅(SiO2)的氧化物层而形成。存储单元二极管通过使用另外的图案化的非晶碳层作为硬掩模蚀刻多晶硅层而形成，为置于导电轨间的多晶硅的柱状物。类似地形成导电轨和存储单元二极管的附加层级，从而构建3-D单片存储装置。

公开(公告)号：CN101743626A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880022217.5

申请日：2008-06-26

Applicant: 桑迪士克公司

Inventor： 史蒂文·J·雷迪根 ,  迈克尔·W·科恩韦基

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/82 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L27/1021 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/8615 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造3-D单片存储装置的方法。非晶碳上的氮氧化硅(SixOyNz)用作有效的、容易去除的、对硅、氧化物和钨具有高选择性的硬掩模。氮氧化硅层使用光致抗蚀剂蚀刻，所得经蚀刻的SixOyNz层用于蚀刻非晶碳层。硅、氧化物和/或钨层使用非晶碳层蚀刻。在一个实施中，3-D单片存储装置的导电轨通过使用图案化的非晶碳层作为硬掩模蚀刻诸如二氧化硅(SiO2)的氧化物层而形成。存储单元二极管通过使用另外的图案化的非晶碳层作为硬掩模蚀刻多晶硅层而形成，为置于导电轨间的多晶硅的柱状物。类似地形成导电轨和存储单元二极管的附加层级，从而构建3-D单片存储装置。