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公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
Abstract: 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
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公开(公告)号：CN207441705U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721428381.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN113203782B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110521984.8
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/49
Abstract: 一种基于复合材料的无酶传感器检测葡萄糖的方法，分别采用电沉积技术以及戊二醛的交联作用将Au NPs和H‑rGO‑Pt@Pd NPs修饰在丝网印刷电极表面，构成无酶生物传感器界面。在生物传感界面加入葡萄糖后，由于H‑rGO‑Pt@Pd NPs/Au NPs具有的良好催化氧化作用，使得在生物传感界面发生氧化还原反应。通过电化学工作站中的i‑t法记录电流信号，并描绘出该电流与葡萄糖浓度的工作曲线，从而实现对葡萄糖的检测。
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公开(公告)号：CN113203782A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110521984.8
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/49
Abstract: 一种基于复合材料的无酶传感器检测葡萄糖的方法，分别采用电沉积技术以及戊二醛的交联作用将Au NPs和H‑rGO‑Pt@Pd NPs修饰在丝网印刷电极表面，构成无酶生物传感器界面。在生物传感界面加入葡萄糖后，由于H‑rGO‑Pt@Pd NPs/Au NPs具有的良好催化氧化作用，使得在生物传感界面发生氧化还原反应。通过电化学工作站中的i‑t法记录电流信号，并描绘出该电流与葡萄糖浓度的工作曲线，从而实现对葡萄糖的检测。
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公开(公告)号：CN113203780A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110521821.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/49 , G01N27/416
Abstract: 一种无标记适配体传感器检测GPC3的方法，采用电沉积技术将rGO‑Au NPs修饰在SPE表面，通过π‑π共轭和静电吸附作用将H‑rGO‑Pt NPs负载在rGO‑Au NPs/SPE表面，通过非共价结合作用将GPC3适配体H‑rGO‑Pt NPs/rGO‑Au NPs/SPE表面，在生物传感界面上加入GPC3后，形成蛋白‑适配体复合物。利用H‑rGO‑Pt NPs对GPC3apt的高负载能力和良好的电子传递效应，rGO‑Au NPs的高导电性以及GPC3适配体对GPC3的特异性识别作用，采用电化学工作站的DPV，实现对GPC3的定量检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105871347A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610183972.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/30
Abstract: 本发明公开一种低功耗CMOS可变增益放大器，包括至少一个吉尔伯特电路、固定增益放大器、偏置电路和伪指函数发生电路。吉尔伯特电路的输入端接入输入电压信号。吉尔伯特电路的输出端接固定增益放大器的输入端，固定增益放大器的输出端送出输出电压信号。偏置电路的输出端连接吉尔伯特电路、固定增益放大器和伪指函数发生电路。伪指函数发生电路的输入端接入增益控制电压信号，伪指函数发生电路的输出端产生一个随增益控制电压呈指数规律变化的指数变化电压信号，该指数变化电压信号接入吉尔伯特电路的控制端，去控制吉尔伯特电路的增益。本发明能在保持可变增益放大器的增益dB线性范围尽可能大的同时降低可变增益放大器的整体功耗。
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公开(公告)号：CN113203859B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110522012.0
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N33/574 , G01N33/535 , G01N33/577
Abstract: 一种基于H‑rGO‑Pt@Pd NPs纳米酶可视化检测GPC3的方法，以H‑rGO‑Pt@Pd NPs‑Apt为检测探针，GPC3‑Ab为捕获探针，形成H‑rGO‑Pt@Pd NPs‑Apt/GPC3/Ab夹心型复合物，基于H‑rGO‑Pt@Pd NPs纳米酶的类过氧化氢酶催化活性，该复合物催化H2O2氧化显色底物TMB，使得体系溶液由无色变成蓝色，随着GPC3浓度的增加，体系的蓝色会越来越深，从而实现GPC3的可视化检测。该方法操作简便快捷、耗材少且具有较低的检测限。
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公开(公告)号：CN113203780B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110521821.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/49 , G01N27/416
Abstract: 一种无标记适配体传感器检测GPC3的方法，采用电沉积技术将rGO‑Au NPs修饰在SPE表面，通过π‑π共轭和静电吸附作用将H‑rGO‑Pt NPs负载在rGO‑Au NPs/SPE表面，通过非共价结合作用将GPC3适配体H‑rGO‑Pt NPs/rGO‑Au NPs/SPE表面，在生物传感界面上加入GPC3后，形成蛋白‑适配体复合物。利用H‑rGO‑Pt NPs对GPC3apt的高负载能力和良好的电子传递效应，rGO‑Au NPs的高导电性以及GPC3适配体对GPC3的特异性识别作用，采用电化学工作站的DPV，实现对GPC3的定量检测。
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公开(公告)号：CN105871346A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610183958.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/30
Abstract: 本发明公开一种宽增益动态范围的CMOS可变增益放大器，包括至少一个基本可变增益电路、伪指函数发生电路、固定增益放大电路和偏置电路。偏置电路的输出端连接基本可变增益电路、伪指函数发生电路和固定增益放大电路。伪指函数发生电路的输入端接入增益控制电压信号Vc，伪指函数发生电路的输出端接入基本可变增益电路的伪指偏置端。基本可变增益电路的输入端接入输入电压信号，基本可变增益电路的输出端连接固定增益放大电路的输入端，固定增益放大电路的输出端送出输入电压信号。本发明能够达到较宽的增益可调范围，同时实现增益dB线性变化。
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