公开(公告)号：CN117578867A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311581371.9

申请日：2023-11-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 吴军科 ,  魏云鹏 ,  魏向楠 ,  王洲

IPC: H02M3/00 ,  H02M3/335 ,  H02M1/14

Abstract: 本发明公开一类原副边串并联可调节的LLC谐振变换器电路拓扑，包括输入直流源、全桥开关网络、原边串并联调节模块、LLC谐振网络、变压器组、副边整流电路；输入直流源与全桥开关网络连接；所述LLC谐振网络分别与全桥开关网络的桥臂中两个双向开关管的交点连接；另一端与变压器的原边连接；所述变压器组副边通过双向开关管S11串联后与负载连接；所述原边串并联调节模块一端与输入直流源两端连接，另一端与变压器组原边串联交点连接，用于控制全桥开关网络多电平输入和原边电流流向；所述副边整流电路设置于变压器组副边用于控制副边电流流向。通过开关管的开关搭配实现副边负载电压极性的转换；副边变压器组的串并联状态。

公开(公告)号：CN115236477A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210867983.3

申请日：2022-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 吴军科 ,  李辉 ,  魏云鹏 ,  魏向楠 ,  古书杰 ,  范兴明

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种SiC MOSFET器件的结温校准曲线生成方法及其结温评估方法和系统，首先获取SiC MOSFET器件在不同结温下的跨导算术平方根；然后对跨导算术平方根和温度的关系进行线性拟合得到跨导算术平方根与温度的线性关系式，由该关系式建立结温校准曲线；最后根据测试待评估器件的跨导算术平方根并通过查询校准曲线或由线性关系式进行计算得到器件结温。该方法克服了功率半导体器件的传统结温测量方法流程繁琐、精度低、难以在线应用等弊端，SiC MOSFET器件的跨导算术平方根与结温呈线性关系，进行结温评估时精度较高，可在线应用，能够实现器件结温的准确评估；同时，该方法可以测量出单个开关周期引起的器件结温波动；通过对器件结温的准确评估，可有效提高器件的运行可靠性与研究开发的经济性。

公开(公告)号：CN116906756A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310921947.5

申请日：2023-07-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈磊磊 ,  张洋扬 ,  郭聪 ,  刘华玮 ,  梁仕桂 ,  魏向楠

IPC: F16M11/04 ,  F16M11/14 ,  F16M11/16 ,  H04N23/50

Abstract: 本发明公开了一种组装视觉检测机构，涉及机械技术领域，包括装置主体，所述装置主体包括伸缩杆、连接管、固定板、底座以及滑块，所述装置主体一端底部安装有摄像装置，所述装置主体另一端与伸缩杆一端焊接，所述伸缩杆另一端设有连接管，通过各个部件的互相组合，该装置在进行使用时，通过按下按钮，从而能够压缩簧片，使插销能够从固定板表面的孔槽移出，进而将插销插到指定位置的孔槽内部，从而完成对摄像装置的位置调节，进而有利于避免使该装置需要进行横向以及竖向的多次位置调节，并且该装置部件之间相互能够进行拆卸，进而有利于进行收纳以及转运。

公开(公告)号：CN116682647A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310528090.0

申请日：2023-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 吴军科 ,  古书杰 ,  魏向楠 ,  李旺昌

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/02 ,  H01F41/02 ,  H01F27/36

Abstract: 本发明公开一种LC集成磁封装电源模块及制备工艺，利用叠层工艺将电感器和电容器设计并制造在同一磁体中，并将芯片和外围电阻埋入该磁体中。采用粒径不一的磁粉芯制作不同厚度的叠层电感：电感的上下盖板用粒径大的粗粉，线圈层与线圈层之间的介质层用粒径小的细粉，与线圈同一层的用粗粉，相当于匝与匝之间的间隙更小，总磁路长度更短，电感量可以做到更大。电感绕组材质为银浆，膜片印刷银浆后，一层一层叠压成型的电感，层间绕组通过圆柱形打孔并填充银浆连接。电感最上层和最下层均用设计屏蔽层，用以防止漏磁干扰到其他元件的正常工作，屏蔽层膜片印刷用大面积的银浆，并采用连接通孔将屏蔽膜片的银浆与参考地进行电气连接。

公开(公告)号：CN115276379A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210867980.X

申请日：2022-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 吴军科 ,  魏云鹏 ,  魏向楠 ,  李辉 ,  古书杰 ,  范兴明

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/34 ,  H02M1/00 ,  H02M7/5387 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiC MOSFET管结温控制方法、电路以及模拟平台，首先构建SiC MOSFET管结温控制电路，然后判断SiC MOSFET管结温是否需要降温，如果需要降温调节，则控制Si基MOSFET开关在SiC MOSFET器件关断时开启，同时通过控制Si基MOSFET开关在SiC MOSFET器件关断时的开启时刻实现开关轨迹调节；如果需要损耗控制时，则控制Si基MOSFET开关关断，并通过仿真电路来验证该结温控制电路及其方法。本发明提供的结温控制方法将缓冲电路与结温控制相结合，通过Si基MOSFET的特性，来实现结温的平滑控制。该电路可以主动控制SiC MOSFET的开关轨迹，实现损耗控制，进一步实现平滑结温控制，以此来达到延长器件使用寿命的目的。