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公开(公告)号：CN115236477A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210867983.3
申请日：2022-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种SiC MOSFET器件的结温校准曲线生成方法及其结温评估方法和系统，首先获取SiC MOSFET器件在不同结温下的跨导算术平方根；然后对跨导算术平方根和温度的关系进行线性拟合得到跨导算术平方根与温度的线性关系式，由该关系式建立结温校准曲线；最后根据测试待评估器件的跨导算术平方根并通过查询校准曲线或由线性关系式进行计算得到器件结温。该方法克服了功率半导体器件的传统结温测量方法流程繁琐、精度低、难以在线应用等弊端，SiC MOSFET器件的跨导算术平方根与结温呈线性关系，进行结温评估时精度较高，可在线应用，能够实现器件结温的准确评估；同时，该方法可以测量出单个开关周期引起的器件结温波动；通过对器件结温的准确评估，可有效提高器件的运行可靠性与研究开发的经济性。
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公开(公告)号：CN116682647A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310528090.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种LC集成磁封装电源模块及制备工艺，利用叠层工艺将电感器和电容器设计并制造在同一磁体中，并将芯片和外围电阻埋入该磁体中。采用粒径不一的磁粉芯制作不同厚度的叠层电感：电感的上下盖板用粒径大的粗粉，线圈层与线圈层之间的介质层用粒径小的细粉，与线圈同一层的用粗粉，相当于匝与匝之间的间隙更小，总磁路长度更短，电感量可以做到更大。电感绕组材质为银浆，膜片印刷银浆后，一层一层叠压成型的电感，层间绕组通过圆柱形打孔并填充银浆连接。电感最上层和最下层均用设计屏蔽层，用以防止漏磁干扰到其他元件的正常工作，屏蔽层膜片印刷用大面积的银浆，并采用连接通孔将屏蔽膜片的银浆与参考地进行电气连接。
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公开(公告)号：CN115276379A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210867980.X
申请日：2022-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiC MOSFET管结温控制方法、电路以及模拟平台，首先构建SiC MOSFET管结温控制电路，然后判断SiC MOSFET管结温是否需要降温，如果需要降温调节，则控制Si基MOSFET开关在SiC MOSFET器件关断时开启，同时通过控制Si基MOSFET开关在SiC MOSFET器件关断时的开启时刻实现开关轨迹调节；如果需要损耗控制时，则控制Si基MOSFET开关关断，并通过仿真电路来验证该结温控制电路及其方法。本发明提供的结温控制方法将缓冲电路与结温控制相结合，通过Si基MOSFET的特性，来实现结温的平滑控制。该电路可以主动控制SiC MOSFET的开关轨迹，实现损耗控制，进一步实现平滑结温控制，以此来达到延长器件使用寿命的目的。
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公开(公告)号：CN218585774U
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202222860261.3
申请日：2022-10-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于反激式变换器的平面磁集成元件，包括有相对设置顶部磁芯和底部磁芯，底部磁芯朝向顶部磁芯的侧面处设置有横向并排的第一中柱和第二中柱，第一中柱和第二中柱均为圆柱状结构；顶部磁芯和底部磁芯的左右两侧边均为弧形侧边，且底部磁芯的一侧边上设置有朝向顶部磁芯的弧形的第一磁芯边柱，底部磁芯的另一侧边上设置有朝向顶部磁芯的弧形的第二磁芯边柱，第一磁芯边柱和第二磁芯边柱分别与顶部磁芯的底面相固定；第一中柱、第二中柱、第一磁芯边柱和第二磁芯边柱的空隙间绕有绕组。本实用新型的磁器件漏感小，可有效提高电源转化效率和开关管应力，且磁芯材料利用率高，制造成本降低，产品更具轻量化，且能够有效减少空间占用。
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