公开(公告)号：CN117032386A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310762536.6

申请日：2023-06-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 岳宏卫 ,  韦家锐 ,  许仕海 ,  韦善于

IPC: G05F3/26 ,  H03K17/687 ,  H03K5/24 ,  H03K5/01

Abstract: 本发明公开了一种最大电压自动选择电路，属于模拟集成电路技术领域。本发明提出的最大电压自动选择电路，包括偏置电路、共源共栅电流镜像电路、最大电压比较电路、施密特触发器、最大电压选择开关组成；所述偏置电路由基准电流产生电路和偏置电压产生电路组成；所述共源共栅电流镜像电路采用共源共栅结构；所述最大电压比较电路将输入电压转换成相应的电流，然后自动根据电流的大小对储能电容进行充放电；所述施密特触发器将最大电压比较电路的结果整形后，再去驱动最大电压选择开关；所述最大电压选择开关导通之后将最大电压传到输出端。本发明创新性的使用NMOS管储能电容代替普通金属电容，能大大减少电路的版图面积；将电压比较转成电流比较的方式以及施密特触发器的使用不仅增加了电压比较的速度和精度，也提高了电路的稳定性；基准电流电路和镜像电路产生的电流都在纳安级，因此整个电路的总功耗极小。

公开(公告)号：CN116633340A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310762526.2

申请日：2023-06-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 岳宏卫 ,  韦家锐 ,  韦善于 ,  许仕海

IPC: H03K19/017 ,  H03K19/20 ,  H03K19/094 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种宽范围高速双输出电平移位电路，属于模拟集成电路技术领域。本发明提出的宽范围高速双输出电平移位电路，NOMS管MN1和NOMS管MN2使用低电压阈值类型的管子，从而较低的输入信号也能使电路开启。另外还引入了瞬态增强结构和正反馈结构，由NMOS管MN3和NMOS管MN4构成的两个瞬态增强结构，在输入电平跳变时实现快速转换，并且在电路稳定之后关闭。由PMOS管MP1和PMOS管MP2构成的正反馈结构，加快了输入电平到输出电平的转换速度。接在NMOS管MN1漏极和NMOS管MN2漏极之间的反相器B进一步加快了MD2节点到达高电平的稳态速度。电阻R1和PMOS管MP3组成的通路能将MD2节点的电平快速拉高，电阻R2和PMOS管MP4组成的通路能将MD1节点的电平快速拉高。NMOS管MN5导通时可以将MD2节点的电平快速拉低。因此，本发明不仅具有宽输入范围和输出快速转换的优势，而且还能同时输出逻辑相反的两个信号。

公开(公告)号：CN220603913U

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202321639121.1

申请日：2023-06-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 岳宏卫 ,  韦家锐 ,  许仕海 ,  韦善于

IPC: G05F3/26 ,  H03K17/687 ,  H03K5/24 ,  H03K5/01

Abstract: 本实用新型公开了一种最大电压自动选择电路，属于模拟集成电路技术领域。本实用新型提出的最大电压自动选择电路，包括偏置电路、共源共栅电流镜像电路、最大电压比较电路、施密特触发器、最大电压选择开关；最大电压比较电路将输入电压转换成相应的电流，然后自动根据电流的大小对储能电容进行充放电；施密特触发器将最大电压比较电路的结果整形后，从而驱动最大电压选择开关选出最大电压；本实用新型创新性的使用NMOS管储能电容代替普通金属电容，从而减少电路的面积；将电压转换成电流比较的方式和施密特触发器不仅增加了电路的速度和精度，也提高了电路的稳定性；各条支路的电流都在纳安级，因此整个电路的总功耗极小。