公开(公告)号：CN106057757A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610535367.2

申请日：2016-07-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李春泉 ,  谢星华 ,  黄红艳 ,  尚玉玲 ,  张明 ,  周远畅 ,  谢小天

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔结构及其制作方法，所述硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块；所述硅通孔结构的制作方法，其特征是，包括如下步骤：1）制作第一盲孔；2）制作第一绝缘层；3）填充导电材料；4）制作第二盲孔；5）制作第二绝缘层；6）贯通两盲孔；7）形成硅通孔。这种硅通孔结构能够使芯片三维叠层封装更加简单可靠。这种方法降低了加工高深宽比或超高深宽比的硅通孔结构的难度，实现了高深宽比或超高深宽比的硅通孔结构的制作，工艺简单同时兼容了半导体的制作工艺。

公开(公告)号：CN206210778U

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201620717172.5

申请日：2016-07-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李春泉 ,  谢星华 ,  黄红艳 ,  尚玉玲 ,  张明 ,  周远畅 ,  谢小天

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔结构所述硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块；所述通孔由分别从基底的正面和背面相向刻蚀的第一盲孔和第二盲孔贯通形成。所述通孔的数量为至少2个。这种硅通孔结构能够使芯片三维叠层封装更加简单可靠。本实用新型同时还公开了这种硅通孔结构的制作方法。