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公开(公告)号：CN113642219B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202110964075.1
申请日：2021-08-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/04 , G06F111/10 , G06F119/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种热风再流焊工艺的稳健性与可靠性综合优化设计方法，包括建立热风再流焊工艺仿真模型，得到工艺参数与焊点温度曲线之间的对应关系，并将工艺参数和焊点温度曲线进行参数化；以焊点的热疲劳寿命作为可靠性评价指标，优化热疲劳寿命至最大的同时进行稳健性优化设计，以焊点的峰值温度、超液相线时间、冷却速率、加热因子、升温速率和保温时间工艺性能参数作为稳健性评价指标，将其作为综合优化设计的约束条件；建立响应面代理模型；对代理模型进行确定性优化；最后采用自适应响应面优化方法，对代理模型进行稳健性与可靠性综合优化设计，以6σ为设计准则，迭代计算，最终得到一组最为稳健和可靠的工艺参数。
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公开(公告)号：CN106206384B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201610826153.0
申请日：2016-09-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种制备可延展柔性无机电子器件的装置，包括圆筒支架、至少2条拉伸导槽、至少2个固定夹持件和至少2个拉伸夹持件；每条拉伸导槽沿圆筒支架的圆周方向延伸，且所有拉伸导槽相互平行地环设在圆筒支架上；每个固定夹持件固定在圆筒支架上，且所有固定夹持件均处于圆筒支架的同一条母线上；每个拉伸夹持件均嵌设在1条拉伸导槽内，所有拉伸夹持件在其所处拉伸导槽内沿圆筒支架的圆周方向移动。本发明不仅能够增加黏附的可靠性，而且一定程度上提高了可延展电子在受到变形作用时延展率；具有操作简单、方便，制造成本低，可靠性高，可实现小规模、大规模制造的特点；特别适用于可延展无机电子器件的制备。
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公开(公告)号：CN112257280A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011180889.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/23 , G06Q10/04 , G06F119/14 , G06F113/08
Abstract: 本发明公开一种再流焊BGA群焊点液固相连续形态预测方法。通过考虑了焊点的液固相变、PCB热变形、焊点的温度场变化这些耦合因素对BGA群焊点的形态影响，从而较为准确的仿真预测出BGA群焊点形态，提高了BGA群焊点的形态预测精度。并以含PCB的BGA群焊点为算例，提出了再流焊BGA群焊点液固相连续形态预测方法，具有仿真精度高、仿真流程简便的优点，而且模拟结果与经验数据吻合，发明具有合理性和有效性。
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公开(公告)号：CN102769092A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210245197.6
申请日：2012-07-16
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构及其封装方法，封装结构包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于：所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上的LED芯片连接，导电通道与设置在硅载体下端的散热基板连接；导热通道作为LED芯片的散热通道与散热基板连接；所述的散热通道与导电通道互不干涉。封装方法包括硅载体的制作方法。本发明降低了封装成本，可实现大批量生产、减少封装体积、节省材料，使电子产品更加小型化；提高电气性能和热可靠性能；提高发光效率，通过通孔及凹槽的工艺制作，可减少光的散射，提高光通量，通过预留出荧光粉涂覆层的位置实现荧光粉配量可控性和操作的方便，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN102573292A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210000929.5
申请日：2012-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种内埋置电阻器的印刷电路板及其制造方法，印刷电路板包括电阻器、多个电路层、以及多个分别设置在各电路层之间的绝缘层，所述的绝缘层包括第一基板层和第二基板层，电阻器设置在第二基板层中且位于第一基板层的上表面处，其特征在于：电阻器上表面的两端分别设有铜箔电极，铜箔电极的上表面设有穿过第二基板层的微通孔，微通孔的端头设置在第二基板层上与电路层连接；所述的电阻器为蛇形。本发明的优点：减小封装体积、提高电气性能、增加内埋置电阻的阻值；本发明工艺制作固化温度较低，提高生产效率、降低成本；所采用的基板材料来源广泛、价格便宜，固化温度较低，固化温度较低，对设备和工艺技术的要求大大降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569231A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110458784.9
申请日：2011-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L23/485 , H01L23/00
CPC classification number: H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本发明公开了一种基于卷曲型铜布线的芯片级三维柔性封装结构，包括设有钝化层的硅芯片、铜接线柱、再分布铜布线、凸点下金属层和焊料凸点，硅芯片焊盘区域与铜接线柱连接，凸点下金属层设置在再分布铜布线上并通过再分布铜布线与铜接线柱相连接，焊料凸点设置在凸点下金属层上，其特征是：钝化层上设有柔性层，再分布铜布线设置在柔性层的表面上，再分布铜布线与凸点下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的卷曲形状，凸点下金属层旁边的柔性层上设有通孔，焊料凸点正下方的钝化层中设有空气隙。本发明采用空气隙和卷曲形再分布铜布线使得封装结构具有三维柔性，实现芯片和基板间的三维柔性连接，解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN102543924A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110458669.1
申请日：2011-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L23/485 , H01L23/00
CPC classification number: H01L2224/10
Abstract: 本发明公开了一种基于S型铜布线的芯片级三维柔性封装结构，包括设有钝化层的硅芯片、铜接线柱、再分布铜布线、凸点下金属层和焊料凸点，硅芯片焊盘区域与铜接线柱连接，凸点下金属层设置在再分布铜布线上并通过再分布铜布线与铜接线柱相连接，焊料凸点设置在凸点下金属层上，其特征是：钝化层上设有柔性层，再分布铜布线设置在柔性层的表面上，再分布铜布线与凸点下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的S形状，凸点下金属层旁边的柔性层上设有通孔，焊料凸点正下方的钝化层中设有空气隙。本发明采用空气隙和S形再分布铜布线使得封装结构具有三维柔性，实现芯片和基板间的三维柔性连接，解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN110225653B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910636885.7
申请日：2019-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种元器件传热系统的散热机构，包括元器件，元器件的底部设有导热板，导热板的底部固定连接有导热鳍片，导热鳍片的底部设有pcb板，pcb板右侧上表面设有微型散热风扇，微型散热风扇的顶部固定连接有集风罩，集风罩的左侧连通有散热管，散热管远离集风罩的一端与导热板的右侧相连通。本发明通过启动微型散热风扇将冷风通过散热管输送至导热板的内部，使导热板进行快速降温，解决了现有的传热系统中散热效果差，一般散热器散热智能对导热板的底部进行散热，且散热时是从外向内逐步散热，其散热效率低的问题，该元器件传热系统的散热机构，具备有内部散热散热效率高的优点，提高元器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117191234A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311163031.4
申请日：2023-09-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01L1/22 , H10N30/30 , H10N30/00 , H10N30/077 , H10N30/057 , H10N30/50
Abstract: 本发明公开了一种二级传感结构的薄膜压阻式柔性传感器及制备工艺，包括以下主要步骤：静电自组装法制备MXene‑Ti2C3Tx/PS微球分散液；预拉伸、化学处理等工艺制备PDMS仿生微棘‑褶皱二级结构柔性基底；制备二级结构及三维多孔结构的力敏功能层；光刻工艺制备叉指电极层。本发明制备的柔性传感器可实现全检测范围内的高灵敏度反馈，具有力稳定性强、可靠性高、制备工艺简单、系统信号响应迅速等一系列优点。
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公开(公告)号：CN110866358B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201911101338.5
申请日：2019-11-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明公开了一种基于实测温度数据的再流焊接工艺仿真模型修正方法，通过分析实测温度曲线数据与相应仿真的温度曲线数据的标准差，建立以实测曲线和仿真曲线对应节点温度的标准差最小化为优化目标、以温区温度及对流换热系数为优化变量的数值仿真修正模型。采用响应面法和多目标遗传优化算法方法优化上述模型，使得数值仿真模型结果与实测温度相符，从而得到修正后的数值仿真模型，通过一次实物试验的反馈调整就能提高后续仿真预测的准确性。本发明将有限元仿真和试验相结合的方法对再流焊工艺仿真模型进行修正，有效提高仿真的效率和精度。
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