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公开(公告)号：CN106843358A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710170849.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本发明不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106843358B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710170849.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本发明不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106410338A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611028586.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/212
CPC classification number: H01P1/212
Abstract: 本发明公开一种高温超导滤波器，包括输入微带、输出微带和微带谐振器阵；所述微带谐振器阵包括2个以上相互平行排列的谐振器；每个谐振器均为插指结构和分形结构组合而成的谐振器，其中插指结构形成该谐振器的开口端，分形结构形成该谐振器的闭口端；每2个相邻的谐振器之间留有一定的间隙，且两者的闭口端和开口端的位置相互交错；输入微带与微带谐振器阵中的第一个谐振器发生激励关系，输出微带与微带谐振器阵中的最后一个谐振器发生激励关系。本发明具有小型化和更强二次谐波抑制的特点。
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公开(公告)号：CN106410338B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201611028586.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/212
Abstract: 本发明公开一种高温超导滤波器，包括输入微带、输出微带和微带谐振器阵；所述微带谐振器阵包括2个以上相互平行排列的谐振器；每个谐振器均为插指结构和分形结构组合而成的谐振器，其中插指结构形成该谐振器的开口端，分形结构形成该谐振器的闭口端；每2个相邻的谐振器之间留有一定的间隙，且两者的闭口端和开口端的位置相互交错；输入微带与微带谐振器阵中的第一个谐振器发生激励关系，输出微带与微带谐振器阵中的最后一个谐振器发生激励关系。本发明具有具有小型化和更强二次谐波抑制的特点。
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公开(公告)号：CN206401481U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621249978.2
申请日：2016-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/212
Abstract: 本实用新型公开一种高温超导滤波器，包括输入微带、输出微带和微带谐振器阵；所述微带谐振器阵包括2个以上相互平行排列的谐振器；每个谐振器均为插指结构和分形结构组合而成的谐振器，其中插指结构形成该谐振器的开口端，分形结构形成该谐振器的闭口端；每2个相邻的谐振器之间留有一定的间隙，且两者的闭口端和开口端的位置相互交错；输入微带与微带谐振器阵中的第一个谐振器发生激励关系，输出微带与微带谐振器阵中的最后一个谐振器发生激励关系。本实用新型具有小型化和更强二次谐波抑制的特点。
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公开(公告)号：CN206573970U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720277052.2
申请日：2017-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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