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公开(公告)号：CN108923040B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201810663554.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01M4/48 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种阴阳离子共掺杂钼氧羟基化合物纳米片的制备方法及应用。将分析纯十二烷基硫酸钠加入去离子水中，搅拌均匀；然后将分析纯正十二硫醇步骤加入上述溶液中，搅拌均匀；将分析纯钼酸铵加入上述溶液中，搅拌均匀；将分析纯硝酸滴加到上述混合溶液中，搅拌均匀；将分析纯硝酸铬加入到上述混合溶液中，搅拌均匀；将上述所得溶液转移到反应釜中，搅拌后将其转入聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中，水热反应后，冷却到室温得深蓝色沉淀物；用去离子水或无水乙醇清洗，干燥，得到阴阳离子共掺杂MoO2.5(OH)0.5纳米片。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108821341A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810663570.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G39/02
CPC classification number: C01G39/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03
Abstract: 本发明公开了一种表面刻蚀的多孔三氧化钼制备方法。（1）将0.5-1.5克商业化三氧化钼粉体加入到30-100毫升去离子水中；（2）在步骤（1）所得溶液中，加入0.1-0.6克分析纯咪唑；（3）分析纯盐酸和分析纯硝酸按体积比例为3-5:1-3制成混合酸；（4）在步骤（2）所得溶液中加入5-15毫升步骤（3）所得混合酸，在室温下搅拌10-20分钟；（5）将步骤（4）所得溶液放入水浴锅中，50-90℃加热搅拌10-15小时；（6）将步骤（5）所得产物离心，用去离子水洗涤3-5次，在70℃恒温干烘箱中干燥12小时，得到表面刻蚀多孔三氧化钼。本发明操作简便、成本低、能大规模合成，具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN108550792A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810383055.3
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58
Abstract: 本发明公开了一种钼酸铵锂离子电池负极材料的制备方法及应用。（1）将0.2-0.4克商业化三氧化钼粉体用无纺布或纱布包裹好；（2）将步骤（1）包裹好的商业化三氧化钼粉体直接放入盛有0.3-0.5克分析纯尿素的带支架的水热反应釜中，在温度为180-220℃恒温干烘箱中熏蒸20-50小时，自然冷却到室温后，取出粉体，即得到土黄色的钼酸铵锂离子电池负极材料。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产，制得的钼酸铵粉体能作为性能优异的锂离子电池负极材料应用。
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公开(公告)号：CN108550792B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201810383055.3
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58
Abstract: 本发明公开了一种钼酸铵锂离子电池负极材料的制备方法及应用。（1）将0.2‑0.4克商业化三氧化钼粉体用无纺布或纱布包裹好；（2）将步骤（1）包裹好的商业化三氧化钼粉体直接放入盛有0.3‑0.5克分析纯尿素的带支架的水热反应釜中，在温度为180‑220℃恒温干烘箱中熏蒸20‑50小时，自然冷却到室温后，取出粉体，即得到土黄色的钼酸铵锂离子电池负极材料。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产，制得的钼酸铵粉体能作为性能优异的锂离子电池负极材料应用。
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公开(公告)号：CN108821341B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810663570.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明公开了一种表面刻蚀的多孔三氧化钼制备方法。（1）将0.5‑1.5克商业化三氧化钼粉体加入到30‑100毫升去离子水中；（2）在步骤（1）所得溶液中，加入0.1‑0.6克分析纯咪唑；（3）分析纯盐酸和分析纯硝酸按体积比例为3‑5:1‑3制成混合酸；（4）在步骤（2）所得溶液中加入5‑15毫升步骤（3）所得混合酸，在室温下搅拌10‑20分钟；（5）将步骤（4）所得溶液放入水浴锅中，50‑90℃加热搅拌10‑15小时；（6）将步骤（5）所得产物离心，用去离子水洗涤3‑5次，在70℃恒温干烘箱中干燥12小时，得到表面刻蚀多孔三氧化钼。本发明操作简便、成本低、能大规模合成，具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN108923040A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810663554.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01M4/48 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种阴阳离子共掺杂钼氧羟基化合物纳米片的制备方法及应用。将分析纯十二烷基硫酸钠加入去离子水中，搅拌均匀；然后将分析纯正十二硫醇步骤加入上述溶液中，搅拌均匀；将分析纯钼酸铵加入上述溶液中，搅拌均匀；将分析纯硝酸滴加到上述混合溶液中，搅拌均匀；将分析纯硝酸铬加入到上述混合溶液中，搅拌均匀；将上述所得溶液转移到反应釜中，搅拌后将其转入聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中，水热反应后，冷却到室温得深蓝色沉淀物；用去离子水或无水乙醇清洗，干燥，得到阴阳离子共掺杂MoO2.5(OH)0.5纳米片。本发明成本低、工艺控制过程简单、易大规模生产。
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