一种可低温烧结的低介电常数微波介电陶瓷Zn3Mo2O9

    公开(公告)号:CN106187186A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610604086.8

    申请日:2016-07-28

    Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的低介电常数微波介电陶瓷Zn3Mo2O9的应用及其制备方法。本微波介电陶瓷材料的制备方法步骤为:(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的ZnO和MoO3的原始粉末按Zn3Mo2O9的组成称量配料(;2)将步骤1)原料湿式球磨混合8小时,球磨介质为无水乙醇,烘干后在900℃大气气氛中预烧4小时(;3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在920~960℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷烧结良好,介电常数达到8.2~9.4,其品质因数Q×f值高达40,000-65,000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种低介电常数微波介电陶瓷ZnTiW2O9及其制备方法

    公开(公告)号:CN104311015B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201410533828.3

    申请日:2014-10-12

    Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷ZnTiW2O9及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的ZnO、TiO2和WO3的原始粉末按ZnTiW2O9的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在950~1000℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在950~1000℃烧结良好,介电常数达到21.7~22.9,其品质因数Qf值高达80000-95000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBaYV2O8

    公开(公告)号:CN105036744A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510573255.1

    申请日:2015-09-10

    Inventor: 罗昊 唐莹 方维双

    Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型四方氧化锆结构低介电常数微波介电陶瓷LiBaYV2O8及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、BaCO3 、Y2O3和V2O5的原始粉末按LiBaYV2O8的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好,介电常数达到24.8~25.6,其品质因数Qf值高达111000-142000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    高热稳定性与低损耗的超低介电常数微波介电陶瓷HoYV2O8

    公开(公告)号:CN105036743A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510565470.7

    申请日:2015-09-08

    Inventor: 罗昊 方维双 唐莹

    Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结的四方氧化锆结构温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷HoYV2O8及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Ho2O3、Y2O3和V2O5的原始粉末按HoYV2O8的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好,介电常数达到10.9~11.5,其品质因数Qf值高达113000-142000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    可见光响应的光催化剂Li2EuVO5及其制备方法

    公开(公告)号:CN104815642A

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201510190164.X

    申请日:2015-04-21

    Inventor: 罗昊 方亮 李洁

    Abstract: 本发明公开了一种宽频高效的可见光响应光催化剂Li2EuVO5及其制备方法。该光催化剂的化学组成式为Li2EuVO5。本发明还公开了上述材料的制备方法。本发明得到的光催化剂具有光谱响应范围宽,光转换效率高和稳定性好等优点。在可见光照射下具有分解有害化学物质、有机生物质和杀菌的作用;另外制备方法简单、合成温度低,成本低,适合工业生产与应用。

    一种低介电常数微波介电陶瓷BaIn2ZnO5及其制备方法

    公开(公告)号:CN104310968B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201410565656.8

    申请日:2014-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷BaIn2ZnO5及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的BaCO3、In2O3和ZnO的原始粉末按BaIn2ZnO5的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1200℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1250~1300℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷烧结良好,介电常数达到26.7~28.9,其品质因数Qf值高达70000-95000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种高居里点正温度系数电阻材料Li3BaTiNbO7及其制备方法

    公开(公告)号:CN105272237A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510625828.0

    申请日:2015-09-28

    Inventor: 罗昊 方亮 王丹

    Abstract: 本发明公开了一种无铅高居里点正温度系数电阻材料及其制备方法。所述高居里点正温度系数电阻材料的化学组成式为:Li3BaTiNbO7。将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、BaCO3、TiO2和Nb2O5的原始粉末按Li3BaTiNbO7组成称量配料,经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结、上Ag电极等工序,制备出居里点高达490℃的无铅正温度系数电阻材料。本发明所制得的电阻材料不含铅,避免了铅对人们身体健康的危害及对环境的污染。本发明烧结温度低,原料成本低,达到了实用化水平,适合于工业化大规模生产。

    一种高居里点正温度系数电阻材料Ba2BiTiV3O13及其制备方法

    公开(公告)号:CN105254290A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201510626049.2

    申请日:2015-09-28

    Inventor: 罗昊 方亮 王丹

    Abstract: 本发明公开了一种无铅高居里点正温度系数电阻材料及其制备方法。所述高居里点正温度系数电阻材料的化学组成式为:Ba2BiTiV3O13。将纯度为99.9%(重量百分比)以上的BaCO3、Bi2O3、TiO2和V2O5的原始粉末按Ba2BiTiV3O13组成称量配料,经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结、上Ag电极等工序,制备出居里点高达370℃的无铅正温度系数电阻材料。本发明所制得的电阻材料不含铅,避免了铅对人们身体健康的危害及对环境的污染。本发明烧结温度低,原料成本低,达到了实用化水平,适合于工业化大规模生产。

    温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBaLa2V3O12

    公开(公告)号:CN105236978A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510669350.1

    申请日:2015-10-18

    Inventor: 罗昊 唐莹 方维双

    Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型四方氧化锆结构低介电常数微波介电陶瓷LiBaLa2V3O12及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、BaCO3、La2O3和V2O5的原始粉末按LiBaLa2V3O12的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好,介电常数达到24.2~24.9,其品质因数Qf值高达117000-148000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

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