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公开(公告)号：CN106892458B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201710064680.7
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。以分散在PbS前驱液中的MoS2纳米片为载体，随着前驱液中的硫源在一定温度下缓慢释放出S2‑，PbS纳米颗粒在MoS2纳米片上析出生长，从而得到二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度控制PbS颗粒在MoS2纳米片上的附着含量，从而调节复合材料的光电性能，所制备的二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料能够用于光电领域。
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公开(公告)号：CN105552237A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610084608.6
申请日：2016-02-14
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0032
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法。以导电玻璃作为基底，采用电沉积的方法制备硫化铅薄膜，并以硫化铅薄膜作为前驱体，碘单质作为碘化剂将硫化铅碘化为碘化铅，再与甲基卤化铵反应得到钙钛矿薄膜。本发明方法能够大面积操作，膜层的面积和形状可控，通过腐蚀导电面的方法可控制电沉积的面积和形状；膜层的厚度可控，通过调节电沉积的时间能够方便的控制膜层厚度；膜层的化学成分可控，通过改变CH3NH3X溶液中I和Br的比例能够得到成分不同的膜层，从而得到物理性质不同的钙钛矿薄膜，且得到的膜层较均匀，致密性好。
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公开(公告)号：CN104045105B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410195003.5
申请日：2014-05-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C09K11/56
Abstract: 本发明公开了一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法。将镉源在室温下溶于油胺，加入油酸稀释，制得镉溶液，即为油相；镉源为氯化镉、硫酸镉和硝酸镉中的一种，油胺与油酸的体积比为1:4；将升华硫粉在室温条件下超声溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液或者将含硫化合物直接溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液；升华硫粉或含硫化合物为硫源，含硫化合物为硫脲或硫化钠，三辛基膦为包裹剂，硫源与包裹剂的摩尔比为2:1；将镉溶液与硫溶液混合，在70度水浴条件下反应30分钟，在油相中有硫化镉量子点生成。本发明方法原料来源广，反应温度低，制得的硫化镉量子点粒径均匀，尺寸分布较窄，吸光峰位置在396~445纳米之间可调，荧光较强。
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公开(公告)号：CN110215925B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910494366.1
申请日：2019-06-09
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/047 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种均相一步合成CdS‑WO3复合材料的方法。将制备CdS所需的硫源和镉源，以及制备WO3所需的钨源，同时溶解在同一溶剂中，形成均相混合溶液，在溶剂热条件下反应，使CdS和WO3同时生成，得到CdS‑WO3复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变镉源、硫源和钨源的相对浓度控制复合物中CdS和WO3的相对含量，从而调节CdS‑WO3复合材料的光电和光催化性能，所制备的CdS‑WO3复合材料能够用于光电和光催化领域。
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公开(公告)号：CN104045105A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410195003.5
申请日：2014-05-11
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法。将镉源在室温下溶于油胺，加入油酸稀释，制得镉溶液，即为油相；镉源为氯化镉、硫酸镉和硝酸镉中的一种，油胺与油酸的体积比为1:4；将升华硫粉在室温条件下超声溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液或者将含硫化合物直接溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液；升华硫粉或含硫化合物为硫源，含硫化合物为硫脲或硫化钠，三辛基膦为包裹剂，硫源与包裹剂的摩尔比为2:1；将镉溶液与硫溶液混合，在70度水浴条件下反应30分钟，在油相中有硫化镉量子点生成。本发明方法原料来源广，反应温度低，制得的硫化镉量子点粒径均匀，尺寸分布较窄，吸光峰位置在396~445纳米之间可调，荧光较强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118692832A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410887931.1
申请日：2024-07-03
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种一步法制备柔性光助充电容器电极Cu2O/Co3O4/碳布材料的方法，通过形成复合物提高电极的光电转换和储电性能。发明将制备Cu2O和Co3O4的原料以及结构导向剂同时溶解在同一溶剂水中，形成均相混合溶液，将经过预处理的碳布放入后，在水热条件下反应，使Cu2O和Co3O4同时在碳布上生成，得到Cu2O/Co3O4/碳布复合材料。相较分步的合成方法，本发明方法更简单，并且能够解决分步合成有可能带来的半导体性质改变的问题。能够通过改变原料的浓度比例控制复合物中Cu2O和Co3O4的相对含量，从而调节Cu2O/Co3O4/碳布的光电性能和储电性能，所制备的Cu2O/Co3O4/碳布复合材料具有良好的光助充放电特性，具有应用做为光助充电容器电极的潜力。
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公开(公告)号：CN116875984A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310840216.8
申请日：2023-07-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备WO3‑BiVO4‑NiO复合材料用于金属光阴极保护的方法。发明采用阳极氧化在钨片上原位生长WO3纳米片，采用旋涂BiVO4前驱液后烧结的方法在WO3纳米片上制备BiVO4，采用化学沉积后烧结的方法在WO3‑BiVO4上生长NiO，得到用于金属光阴极保护的WO3‑BiVO4‑NiO复合材料。WO3兼具光电转换和储电的功能，BiVO4与WO3复合能拓宽材料吸光范围并提高电子空穴分离效率，NiO能富集材料中的光生空穴从而进一步提高电子空穴分离效率。通过改变阳极氧化的条件、BiVO4前驱液的浓度和NiO化学沉积的时间可分别调控WO3、BiVO4和NiO的性能，从而调控复合材料对金属光阴极保护的性能，得到的复合材料对金属具有显著的光阴极保护效果。
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公开(公告)号：CN114870867B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210386756.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种以氧化石墨烯为乳化剂两相合成CdS‑石墨烯‑ZnS光催化复合材料的方法，利用氧化石墨烯既亲水又亲油的表面活性将两种互不相溶的前驱溶液乳化，形成油包水的乳浊液，再通过一步溶剂热反应，使CdS和ZnS分别沉积在氧化石墨烯的两侧，同时氧化石墨烯在溶剂热过程中被还原为石墨烯，得到CdS‑石墨烯‑ZnS复合材料。本发明解决了采用分步沉积法和机械混合法制备时，不能控制半导体沉积位置，不能保证CdS和ZnS直接与石墨烯接触，从而影响光催化性能的问题。发明的操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光催化性能，所制备的复合材料具有较好的光催化产双氧水和光催化降解四环素的性能，在光催化领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109012700B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201811065030.5
申请日：2018-09-13
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种CuS‑W18O49‑rGO纳米复合材料的制备方法。以分散在WCl6前驱反应液中的CuS和氧化石墨烯为载体，在溶剂热条件下，氧化石墨烯被还原，同时在溶剂热过程中，W18O49直接在CuS和石墨烯上生长，最终得到CuS‑W18O49‑rGO的复合材料。本发明方法能够通过改变反应液中WCl6的浓度控制W18O49在复合物中的含量。复合材料的光电和光催化性能均优于纯CuS材料，并且随W18O49在复合物中含量的改变而发生变化。所制备的CuS‑W18O49‑rGO纳米复合材料能够用于光电和光催化领域。
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公开(公告)号：CN109012700A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811065030.5
申请日：2018-09-13
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/04 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/36 , C02F101/38
CPC classification number: B01J27/04 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2101/36 , C02F2101/38 , C02F2101/40 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种CuS‑W18O49‑rGO纳米复合材料的制备方法。以分散在WCl6前驱反应液中的CuS和氧化石墨烯为载体，在溶剂热条件下，氧化石墨烯被还原，同时在溶剂热过程中，W18O49直接在CuS和石墨烯上生长，最终得到CuS‑W18O49‑rGO的复合材料。本发明方法能够通过改变反应液中WCl6的浓度控制W18O49在复合物中的含量。复合材料的光电和光催化性能均优于纯CuS材料，并且随W18O49在复合物中含量的改变而发生变化。所制备的CuS‑W18O49‑rGO纳米复合材料能够用于光电和光催化领域。
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