公开(公告)号：CN105845827A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610198297.6

申请日：2016-04-01

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 利明 ,  袁小亲 ,  阮浩然 ,  邓晓宁

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  C01G21/21 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/0045 ,  C01G21/21 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  H01L51/42 ,  H01L2251/301

Abstract: 本发明公开了一种无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料的制备方法。以分散在CH3NH3PbX3前驱液中的PbS纳米颗粒为种子，由于CH3NH3PbX3在非极性溶剂中的溶解度不高，通过滴入非极性溶剂的方法改变前驱液的极性使CH3NH3PbX3在PbS纳米颗粒表面析出，从而得到独立的无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度和成分配比控制CH3NH3PbX3壳层的厚度和成分，从而调节材料的吸光度和吸光范围，所制备的PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料能够用于太阳能电池等光电领域。

公开(公告)号：CN105845827B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201610198297.6

申请日：2016-04-01

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 利明 ,  袁小亲 ,  阮浩然 ,  邓晓宁

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  C01G21/21 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料的制备方法。以分散在CH3NH3PbX3前驱液中的PbS纳米颗粒为种子，由于CH3NH3PbX3在非极性溶剂中的溶解度不高，通过滴入非极性溶剂的方法改变前驱液的极性使CH3NH3PbX3在PbS纳米颗粒表面析出，从而得到独立的无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度和成分配比控制CH3NH3PbX3壳层的厚度和成分，从而调节材料的吸光度和吸光范围，所制备的PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料能够用于太阳能电池等光电领域。

公开(公告)号：CN106892458A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710064680.7

申请日：2017-02-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 利明 ,  袁小亲 ,  阮浩然

IPC: C01G39/06 ,  C01G21/21 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  C01G21/21 ,  C01P2002/01 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/24 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/82

Abstract: 本发明公开了一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。以分散在PbS前驱液中的MoS2纳米片为载体，随着前驱液中的硫源在一定温度下缓慢释放出S2‑，PbS纳米颗粒在MoS2纳米片上析出生长，从而得到二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度控制PbS颗粒在MoS2纳米片上的附着含量，从而调节复合材料的光电性能，所制备的二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料能够用于光电领域。

公开(公告)号：CN106892458B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201710064680.7

申请日：2017-02-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 利明 ,  袁小亲 ,  阮浩然

IPC: C01G39/06 ,  C01G21/21 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。以分散在PbS前驱液中的MoS2纳米片为载体，随着前驱液中的硫源在一定温度下缓慢释放出S2‑，PbS纳米颗粒在MoS2纳米片上析出生长，从而得到二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度控制PbS颗粒在MoS2纳米片上的附着含量，从而调节复合材料的光电性能，所制备的二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料能够用于光电领域。

公开(公告)号：CN105552237A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610084608.6

申请日：2016-02-14

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 利明 ,  袁小亲 ,  阮浩然 ,  杨阳博文

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/42 ,  H01L51/0032

Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法。以导电玻璃作为基底，采用电沉积的方法制备硫化铅薄膜，并以硫化铅薄膜作为前驱体，碘单质作为碘化剂将硫化铅碘化为碘化铅，再与甲基卤化铵反应得到钙钛矿薄膜。本发明方法能够大面积操作，膜层的面积和形状可控，通过腐蚀导电面的方法可控制电沉积的面积和形状；膜层的厚度可控，通过调节电沉积的时间能够方便的控制膜层厚度；膜层的化学成分可控，通过改变CH3NH3X溶液中I和Br的比例能够得到成分不同的膜层，从而得到物理性质不同的钙钛矿薄膜，且得到的膜层较均匀，致密性好。