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公开(公告)号：CN116895475A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310832961.8
申请日：2023-07-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备Ni掺杂W18O49/泡沫镍复合材料用做光助充电容器电极的方法。通过掺杂Ni提高W18O49的光电转换性能，并且利用Ni2+的还原性降低W18O49中钨的价态，从而提高其储存负离子的性能。发明将原料氯化钨和硝酸镍配制为混合溶液，通过浸泡、旋转、保温和烧结的步骤将Ni掺杂W18O49负载在泡沫镍上，通过改变浸泡、旋转和保温的重复次数调节泡沫镍上Ni掺杂W18O49的负载量，通过改变前驱溶液中氯化钨和硝酸镍的比例调节Ni在W18O49中的含量。本发明采用的方法能够保证Ni掺杂W18O49在泡沫镍上负载量的可控以及Ni掺杂含量的可控，从而实现电极光助充放电性能的可控，其操作简单，制备的Ni掺杂W18O49/泡沫镍复合物电极具有良好的光助充放电性能，具有应用做为光助充电容器电极的潜力。
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公开(公告)号：CN114870867A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210386756.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种以氧化石墨烯为乳化剂两相合成CdS‑石墨烯‑ZnS光催化复合材料的方法，利用氧化石墨烯既亲水又亲油的表面活性将两种互不相溶的前驱溶液乳化，形成油包水的乳浊液，再通过一步溶剂热反应，使CdS和ZnS分别沉积在氧化石墨烯的两侧，同时氧化石墨烯在溶剂热过程中被还原为石墨烯，得到CdS‑石墨烯‑ZnS复合材料。本发明解决了采用分步沉积法和机械混合法制备时，不能控制半导体沉积位置，不能保证CdS和ZnS直接与石墨烯接触，从而影响光催化性能的问题。发明的操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光催化性能，所制备的复合材料具有较好的光催化产双氧水和光催化降解四环素的性能，在光催化领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116875984A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310840216.8
申请日：2023-07-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备WO3‑BiVO4‑NiO复合材料用于金属光阴极保护的方法。发明采用阳极氧化在钨片上原位生长WO3纳米片，采用旋涂BiVO4前驱液后烧结的方法在WO3纳米片上制备BiVO4，采用化学沉积后烧结的方法在WO3‑BiVO4上生长NiO，得到用于金属光阴极保护的WO3‑BiVO4‑NiO复合材料。WO3兼具光电转换和储电的功能，BiVO4与WO3复合能拓宽材料吸光范围并提高电子空穴分离效率，NiO能富集材料中的光生空穴从而进一步提高电子空穴分离效率。通过改变阳极氧化的条件、BiVO4前驱液的浓度和NiO化学沉积的时间可分别调控WO3、BiVO4和NiO的性能，从而调控复合材料对金属光阴极保护的性能，得到的复合材料对金属具有显著的光阴极保护效果。
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公开(公告)号：CN114870867B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210386756.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种以氧化石墨烯为乳化剂两相合成CdS‑石墨烯‑ZnS光催化复合材料的方法，利用氧化石墨烯既亲水又亲油的表面活性将两种互不相溶的前驱溶液乳化，形成油包水的乳浊液，再通过一步溶剂热反应，使CdS和ZnS分别沉积在氧化石墨烯的两侧，同时氧化石墨烯在溶剂热过程中被还原为石墨烯，得到CdS‑石墨烯‑ZnS复合材料。本发明解决了采用分步沉积法和机械混合法制备时，不能控制半导体沉积位置，不能保证CdS和ZnS直接与石墨烯接触，从而影响光催化性能的问题。发明的操作简单，通过调节反应液的浓度可以控制复合物的含量，从而改变材料的光催化性能，所制备的复合材料具有较好的光催化产双氧水和光催化降解四环素的性能，在光催化领域有很好的应用前景。
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