公开(公告)号：CN105765714A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480049766.7

申请日：2014-09-11

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： C·科林斯 ,  T·L·格拉维萨贝 ,  M·G·法罗库 ,  T-M·考 ,  W·F·兰德斯 ,  林友博 ,  S·V·恩古彦 ,  J·A·奥克莱伊 ,  D·普里亚达尔什尼

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了改进的硅通孔(TSV)和制造方法。在半导体衬底上形成后段制程(BEOL)堆叠。在后段制程(BEOL)堆叠和半导体衬底中形成TSV腔体。共形保护层沿着BEOL堆叠设置在TSV腔体的内表面上，到达半导体衬底内的中间处。共形保护层用于在后续处理期间保护BEOL堆叠内的电介质层，从而提高集成电路质量和产品良率。

公开(公告)号：CN105765714B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201480049766.7

申请日：2014-09-11

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： C·科林斯 ,  T·L·格拉维萨贝 ,  M·G·法罗库 ,  T-M·考 ,  W·F·兰德斯 ,  林友博 ,  S·V·恩古彦 ,  J·A·奥克莱伊 ,  D·普里亚达尔什尼

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了改进的硅通孔(TSV)和制造方法。在半导体衬底上形成后段制程(BEOL)堆叠。在后段制程(BEOL)堆叠和半导体衬底中形成TSV腔体。共形保护层沿着BEOL堆叠设置在TSV腔体的内表面上，到达半导体衬底内的中间处。共形保护层用于在后续处理期间保护BEOL堆叠内的电介质层，从而提高集成电路质量和产品良率。