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公开(公告)号：CN118262949A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410364401.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于电子靶的正离子中性化器，涉及磁约束聚变技术领域，包括：中性化管道，中性化管道为离子源发射的高能正离子束流的中性转化提供转化区域，多个电子枪，多个电子枪均匀分布且径向安装在所述中性化管道的中部，所述多个电子枪的发射口朝向于所述中性化管道的轴线方向，向所述中性化管道的中部区域发射电子；螺线管，所述螺线管设置在所述中性化管道上，以在所述中性化管道中产生一个沿轴线方向的匀强磁场，用于将所述多个电子枪发射的电子约束在所述中性化管道的中部区域形成电子靶。本发明利用电子靶取代气体靶，从而减少中性化器中气体负载，同时也减少低温泵的气体负载，达到降低束流的剥离损失和再电离损失的效果。
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公开(公告)号：CN106935458B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201511026449.6
申请日：2015-12-31
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H01J27/02
Abstract: 本发明属于一种高功率离子源技术领域，具体涉及一种高功率强流离子源四电极支撑座组件；该组件主要包括四个大尺寸电极法兰，三个带有数条细缝结构的电极支架，三个PEEK绝缘腔。每两个法兰之间有一个绝缘腔，法兰通过O型氟橡胶密封圈与绝缘腔配合构成两端开口的真空密封绝缘腔。该电极栅支撑座组件采用了将四层电极法兰、绝缘腔以及支撑架通过密封圈密封组装之后，再次对四层支撑面进行平行度修正的方法，可以使每层电极支撑面之间的平行度达到0.04mm以内，有效降低了多个工件装配公差，降低了电极间场强的非均匀性；增大了电极系统的抽口面积，降低了电极栅层与层之间的真空度，降低高功率离子源引出期间的电击穿概率。
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公开(公告)号：CN119021865A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411300373.0
申请日：2024-09-18
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及真空技术领域，具体涉及一种具有蜂窝活性炭板的吸附低温泵，包括主支架、壳体、顶法兰和泵组件，泵组件包括吸附组件、屏蔽组件、第一冷质管和第二冷质管，吸附组件包括多个吸附模块，屏蔽组件包括多个屏蔽模块，每个屏蔽模块匹配一个吸附模块构成泵模块，吸附模块包括吸附冷板和蜂窝活性炭板；本发明采用蜂窝活性炭板代替传统的颗粒或柱状活性炭，大幅提高了单位面积的吸附表面积和使用量，提升了泵的抽气性能，避免了低温胶粘接过程中孔隙淹没和吸附剂脱落的问题，使得吸附效率更加稳定可靠。
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公开(公告)号：CN111348932B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811578816.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明属于材料处理技术，具体涉及一种纯钨材料和绝缘陶瓷的连接方法，将钨材料预处理之后在其表面制备过渡层，之后在制备陶瓷层，钨粉、氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成过渡层固体粉末，氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成陶瓷层固体粉末，有机溶剂、有机粘结剂制成有机粘结剂，最后将涂覆过过渡层和陶瓷层的钨材料进行高温烧结，使纯钨基体、过渡层和陶瓷层紧密结合在一起，在界面处形成冶金结合，利用预处理工艺对纯钨材料进行表面处理，使其具有一定的表面粗糙度和光洁度，能增大与过渡层的接触面，可以有效地完成纯钨材料的表面绝缘化，达到电气使用条件；得到的涂层为冶金结合态，能有效地形成热传导通道，提高整体部件的热导率。
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公开(公告)号：CN111816532A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010693465.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及热阴极弧放电离子源技术领域，具体涉及一种用于热阴极弧放电离子源的可更换灯丝组件。本发明包括馈电连接铜杆、陶瓷管、安装法兰、金属保护管、屏蔽陶瓷管、灯丝安装端子、灯丝；安装法兰上设有两个馈穿孔，每个馈穿孔的两侧分别固定连接有陶瓷管和金属保护管，馈电连接铜杆的前端穿过陶瓷管和金属保护管中心进入真空环境，馈电连接铜杆穿出馈穿孔的部分上套有屏蔽陶瓷管，馈电连接铜杆前端连接有灯丝安装端子，灯丝连接在两个灯丝安装端子上。本发明能够保证离子源能够快速更换灯丝，便于维护和维修。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106935458A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511026449.6
申请日：2015-12-31
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H01J27/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J27/022
Abstract: 本发明属于一种高功率离子源技术领域，具体涉及一种高功率强流离子源四电极支撑座组件；该组件主要包括四个大尺寸电极法兰，三个带有数条细缝结构的电极支架，三个PEEK绝缘腔。每两个法兰之间有一个绝缘腔，法兰通过O型氟橡胶密封圈与绝缘腔配合构成两端开口的真空密封绝缘腔。该电极栅支撑座组件采用了将四层电极法兰、绝缘腔以及支撑架通过密封圈密封组装之后，再次对四层支撑面进行平行度修正的方法，可以使每层电极支撑面之间的平行度达到0.04mm以内，有效降低了多个工件装配公差，降低了电极间场强的非均匀性；增大了电极系统的抽口面积，降低了电极栅层与层之间的真空度，降低高功率离子源引出期间的电击穿概率。
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公开(公告)号：CN111816532B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202010693465.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及热阴极弧放电离子源技术领域，具体涉及一种用于热阴极弧放电离子源的可更换灯丝组件。本发明包括馈电连接铜杆、陶瓷管、安装法兰、金属保护管、屏蔽陶瓷管、灯丝安装端子、灯丝；安装法兰上设有两个馈穿孔，每个馈穿孔的两侧分别固定连接有陶瓷管和金属保护管，馈电连接铜杆的前端穿过陶瓷管和金属保护管中心进入真空环境，馈电连接铜杆穿出馈穿孔的部分上套有屏蔽陶瓷管，馈电连接铜杆前端连接有灯丝安装端子，灯丝连接在两个灯丝安装端子上。本发明能够保证离子源能够快速更换灯丝，便于维护和维修。
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公开(公告)号：CN111348932A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811578816.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明属于材料处理技术，具体涉及一种纯钨材料和绝缘陶瓷的连接方法，将钨材料预处理之后在其表面制备过渡层，之后在制备陶瓷层，钨粉、氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成过渡层固体粉末，氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成陶瓷层固体粉末，有机溶剂、有机粘结剂制成有机粘结剂，最后将涂覆过过渡层和陶瓷层的钨材料进行高温烧结，使纯钨基体、过渡层和陶瓷层紧密结合在一起，在界面处形成冶金结合，利用预处理工艺对纯钨材料进行表面处理，使其具有一定的表面粗糙度和光洁度，能增大与过渡层的接触面，可以有效地完成纯钨材料的表面绝缘化，达到电气使用条件；得到的涂层为冶金结合态，能有效地形成热传导通道，提高整体部件的热导率。
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公开(公告)号：CN212967597U
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202021423071.X
申请日：2020-07-17
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本实用新型涉及热阴极弧放电离子源技术领域，具体涉及一种用于热阴极弧放电离子源的可更换灯丝组件。本实用新型包括馈电连接铜杆、陶瓷管、安装法兰、金属保护管、屏蔽陶瓷管、灯丝安装端子、灯丝；安装法兰上设有两个馈穿孔，每个馈穿孔的两侧分别固定连接有陶瓷管和金属保护管，馈电连接铜杆的前端穿过陶瓷管和金属保护管中心进入真空环境，馈电连接铜杆穿出馈穿孔的部分上套有屏蔽陶瓷管，馈电连接铜杆前端连接有灯丝安装端子，灯丝连接在两个灯丝安装端子上。本实用新型能够保证离子源能够快速更换灯丝，便于维护和维修。
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公开(公告)号：CN206422037U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201521137446.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H01J27/02
Abstract: 本实用新型属于一种高功率离子源技术领域，具体涉及一种高功率强流离子源四电极支撑座组件；该组件主要包括四个大尺寸电极法兰，三个带有数条细缝结构的电极支架，三个PEEK绝缘腔。每两个法兰之间有一个绝缘腔，法兰通过O型氟橡胶密封圈与绝缘腔配合构成两端开口的真空密封绝缘腔。该电极栅支撑座组件采用了将四层电极法兰、绝缘腔以及支撑架通过密封圈密封组装之后，再次对四层支撑面进行平行度修正的方法，可以使每层电极支撑面之间的平行度达到0.04mm以内，有效降低了多个工件装配公差，降低了电极间场强的非均匀性；增大了电极系统的抽口面积，降低了电极栅层与层之间的真空度，降低高功率离子源引出期间的电击穿概率。
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